179820. lajstromszámú szabadalom • Eljárás n-tipusú rétegek előállítására Si félvezető kristályon
7 179820 8 úgy biztosítjuk, hogy az finoman eloszlatott permet formájában juttatjuk a diffúziós leválasztó rendszerbe. 3. A 2. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az adalékanyagot 5—15 s-ig és 0,5—1,0 mmól/s mennyiségben juttatjuk a diffúziós leválasztó rendszerbe. 4. Az 1—3. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy adalékanyagként foszfor-oxikloridot használunk. 5. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási mód- 5 ja, azzal jellemezve, hogy a leválasztás folyamán képződött üvegfázis réteget a bedififundáltatási szakasz előtt a szeletek felületéről marással eltávolítjuk. 1 rajz, 2 ábra A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 84.596.66-4 Alföldi Nyomda, Debrecen — Felelős vezető : Benkő István igazgató
