177468. lajstromszámú szabadalom • Többréteges építőelem ívfényoltó kamrákhoz
5 177468 oxidvegyületekből állítsuk elő, amelyek már önmagukban viszonylag magas dielektromos állandóval rendelkeznek, de a zsugorításhoz magas hőmérsékletet igényelnek, mint pl. a titanátok, niobátok, cirkonátok. 1 * * * 5 * A találmány egyik célszerű kiviteli alakjánál hordozóként egy lehetőleg jó hővezető és viszonylag jó elektromos vezetőképességű mágneses keramikus anyagot alkalmazunk, pl. tömörre zsugorított báriumferritet, mangán-cink-ferntet stb. állí-10 tunk elő és ezt az ívfényoltó kamra felőli oldalán pl. 0,2—2 mm vastagságú réteggel vonjuk be olyan anyaggal, amelynek dielektromos állandója >6, a szokásos technológiát alkalmazva, pl. rápréseléssel, mázbevonatként, szitanyomással vagy adott esetben 15 megfelelő kötő- és/vagy ragasztóanyag alkalmazásával. Erre vékony réteget vihetünk fel pl. fluoridot tartalmazó anyagból, vagy a fluoridot tartalmazó anyagot vagy a fluort lehasító anyagból, 0,1—1 mm-es rétegvastagságban, a szokásos techno- 20 lógiával. Egy másik előnyös előállítási módnál az egyes anyagrendszereket egymás után, rétegszerűen egy présbe helyezzük és együttesen összepréseljük. Ha kizárólag keramikus vagy üveges alkotó- 25 elemeket alkalmazunk az egyes anyagrendszerekhez és rétegekhez, ügy a préselés után célszerű adott esetben zsugorításig, sőt esetleg tömörre zsugorításig égetést alkalmazni. Erre a célra az egyes rétegeknél az alábbi összetételek bizonyultak elő- 30 ny ősnek: 1. példa I. réteg: Ti02 + 0-20 súly% fritt di = 0,2—2 mm II. réteg: BaO *6Fe203 + 0-5 súly% fritt, előnyösen 3 sűly%, dn = 1-5 mm 2. példa I. réteg: ZrSi04’+ 0r20 súly% fritt = = 0,2-3 mm II. réteg: BaO • 6Fe203 és/vagy mangán-cink-ferrit + 0-5 súly% fritt, előnyösen 3súly% dn = l—5mm 55 3. példa I. réteg: mázréteg, előnyösen bórszilikát-máz vagy erre az alapra 60 felépített máz, di =0,1—1 mm II. réteg: BaO • 6Fe203 + 0—8 sűly%- előnyösen 3—5 súly% fritt, dn = 1—5 mm 65 6 4. példa: I. réteg CaF2 + 0—8 sűly% - előnyösen 3-5 súly% fritt, dj =0,1—1 mm, előnyösen 0,2—0,6 mm II. réteg: Ti02 + 0-25 súly%, előnyösen 8-12 sűly% fritt, dn = 0,2-3 mm III. réteg: BaO • 6Fe203 + 0-5 sűly%, előnyösen 3 súly% fritt, dm = 0,5—6,0 mm 5. példa I. réteg: BaO • 6Fe203 + 0-8 súly%, előnyösen 3-5 sűly% fritt, di =0,5-4 mm II. réteg: ZrSi04 + 0—25 súly% fritt. Az I. rétegen mindenkor az ívfényhez legközelebb eső réteg értendő, tehát egy ívfénykamra fala esetében a belső térrel határos réteg, és pl. beilleszthető oltólemezeknél a legfelső réteg. A II. réteg az I. réteggel közvetlenül összekötött réteg és a III. réteg pedig a II. réteggel közvetlenül összekötött réteg. Normál esetben a II. és/vagy a III. réteg az I. réteg illetve a többi réteg hordozójaként van kiképezve. Frittként előnyösen ólom-, bór-, szilikát vagy alumíniumszilikát alapú üvegfritt alkalmazható. Általában szüíciumdioxid amorf fázisából és legalább egy további oxidból (alumínium-, bór-, magnézium-, lítium vagy ólomoxidból) állhat. Valamennyi alkotóelem, vegyűlet, szemcsenagyság és az egyes anyagrendszerek eljárási lépései megtalálhatók a 27 56 715 sz. NSZK-beli szabadalmi bejelentésben. A dj, du és dm értékek a mindenkori rétegvastagságokat jelzik. Szabadalmi igénypontok: 1. Többrétegű építőelem ívfényoltókamrákhoz, különösen kamrafalakhoz, legalább egy, szigetelőanyagból készült réteggel, azzal jellemezve, hogy legalább két réteg van kialakítva, amelyek közül az első az alábbi három anyagrendszer egyikéből, a második a három közül egy második anyagrendszerből áll: a) magas dielektromos polarizálhatóságú anyagrendszer, b) mágneses tulajdonságú, mágnes-keramikus alapanyagból levő anyagrendszer, c) olyan vegyidéiből álló, vagy legalább egy olyan vegyületet tartalmazó anyagrendszer, amely az ívfény hatására az oltási folyamatot elősegítő elemeket és/vagy vegyűlet eket hasít le, és a rétegek szorosan kötődnek egymáshoz. 3
