177153. lajstromszámú szabadalom • Eljárás szilícium anyagú, n-i-p szerkezetű sugárzásdetektorok előállítására
9 177153 10 tőén HNOa : HF : CHjCOOH = 2:1:1 térfogat arányú savkeverékben 10-120 sec időtartamú maratással végezzük, amely maratás során a maratni nem kívánt felületeket saválló műanyag bevonattal, vagy ilyen lemezzel takarjuk, és a maratást követően nagytisztaságú vízzel mossuk, amely mosás során az esetleges műanyag takarást eltávolítjuk. 6. Az 1-5. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az n-i-p szerkezet kialakítása után az azt tartalmazó kristálydarabkát a kívánt detektor mérete szerinti nagyságú kisebb darabokra aprítjuk. 7. Az 1-6. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az eljárás során alkalmazott vizes mosásokat, vagy csak az 0 bekezdés szerinti igen nagytisztaságú vízzel mosást követő gyors szárítást indifferens gáz erős sugarával történő lefújással végezzük. 8. Az 1-7. igénypontok bármelyike szerinti el- 5 járás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a g) bekezdésben leírt visszáramcsökkentő réteget CAF—1 jelű polikondenzálódó egykomponenses szilikongumiból és/vagy poliizobutilénből alakítjuk ki. 9. Az 1-8. igénypontok bármelyike szerinti el- 0 járás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a „p” és/vagy „n” oldali fegyverzet villamos csatlakozásait a kristályfelületre szorított aranyszál kondenzátorkisütéssel történő helyi felmelegítésével létrehozott kisterületű beötvözésével (mikroötvözés- 5 sei) állítjuk elő. A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 824398 - Zrínyi Nyomda, Budapest
