176096. lajstromszámú szabadalom • Eljárás kétfázisú töltésléptető elrendezés előállítására
7 176096 8 kristályos réteget választjuk le ugyanazokkal a paraméterekkel, ahogy az első rétegnél történt. Ebből kemigráfiai úton állítjuk elő a második réteg 10 Si-kapuit. Valamennyi struktúra maszkolása céljából mégegyszer lezáró nagyfelületű 11 szigetelőréteg előállítására oxidá- 5 lást végzünk. F./en utolsó nagyhőmérsékletű lépés befejezése után alkalmas eljárások következnek a CCD struktúrák belsőtéri és felületi tulajdonságainak javítására, mint például a hátoldalon levő oxid Iemaratása, továbbá getterezési és temperálási folyamatok. Végül kemigráfiai úton nyitjuk a kontaktus ablakokat, amelyek biztosítják az összeköttetést a struktúraelemek és a 12 fémbevonatú sík között. A fémbevonatú síkot alumíniumnak a szilíciumtárcsára való párologtatásával állítjuk elő kb. 1 pm rétegvastagsággal. Egy lezáró kemigráfiai folyamat segítségével előállítjuk a megfelelő vezetősávokat és ezeket temperálási eljárással stabilizáljuk. Szabadalmi igénypontok 1. Eljárás kétfázisú töltésléptető elrendezés előállítására, amely fedett csatornával és implantált zárórétegekkel rendelkezik, azzal jellemezve, hogy első kapuoxid- 25 réteg (5) és Si-kapuk (6) első rétegének előállítása után ezen kapuelektródák közötti tereken keresztül magától illeszkedő implantálást végzünk egy lefedett csatornában, majd ezt követően egy második kapuoxidrétcget (9) és egy második Si-kapukat (10) tartalmazó síkot állítunk elő azelsö sík közbenső terei fölött oly módon, hogy mind az első sík Si-kapui (6) alatt, mind pedig a második sík Si-kapui (10) alatt azonos vékonyságú kapuoxidréteget alakítunk ki úgy, hogy az Si-kapuk (6) első síkjának közbenső terei fölött központosított második síkbeli Si-kapuk (10) az első sík Si-kapuit (6) részben átfedik. 2. Az I. igénypont szerinti eljárás foganatosítási mód- 10 ja, kétfázisú töltésléptető elrendezés előállítására, azzal jellemezve, hogy a fedett csatornába történő impiantálásnál hatásos zavarhely sűrüségcsökkenést biztosítunk kompenzálás útján. 3. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás foganatosí- 15 tási módja, kétfázisú töltésléptető elrendezés előállítására, azzal jellemezve, hogy az első sík Si-kapui (6), illetve a második sík Si-kapui (10) alatt különböző vastagságú oxidrétegeket állítunk elő. 4. Az 1—3. igénypontok bármelyike szerinti eljárás 20 foganatosítási módja, kétfázisú töltésléptetö elrendezés előállítására, azzal jellemezve, hogy szubsztrátum anyagként (1) n- vagy p-adaiékolású anyagot alkalmazunk és a hozzácsatlakozó eljárási lépésekben megfelelő adalékolást alkalmazunk. 5. Az 1—4. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja kétfázisú töltésléptetö elrendezés előállítására, azzal jellemezve, hogy kompenzált implantáiássai a tároló tartományhosszaknál kisebb kiterjedésű záróréteg (7) tartományokat alakítunk ki. 2 db rajz, 3 db ábra A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 81.946.66-42 Alföldi Nyomda, Debrecen — Felelős vezető: Bcnkő István igazgató 4
