175677. lajstromszámú szabadalom • Eljárás vékony szigetelő rétegek tisztítására félvezető eszközök gyártásakor
5 175677 6 és célszerűen minden egyes újabb, tetszőleges technológiával előállított szigetelőréteg vagy p—n átmenet létrehozását követően ismét elvégezzük, mellyel a káros szennyező atomokat a szigetelő rétegből kidill'undáltatjuk. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a hőkezelést 600—1350 C között végezzük. 3. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás foganatositási módja, azzal jellemezve, hogy klórozott s/énhidrogéngőzként metilkloridot vagy ctilkloridot vagy metilénkloridot vagy ctilénkloridot vagy diklóretánt vagy triklóretánt vagy triklórctilént vagy ezeknek egymással 5 való keverékét alkalmazzuk. 4. Az 1 - 3. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy s/énhidrogéngőzként triklórctilént alkalmazunk, melynek koncentrációja nem haladja meg a 3 M" ,,-ot. A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 81.676.66-42 Alföldi Nyomda, Debrecea — Felelős vezető: Bcnkő ütváa igazgató
