174902. lajstromszámú szabadalom • Elektrsztatikus képérzékelő eszköz és eljárás annak előállítására
13 174902 14 célra, de használhatunk más doppolószereket is, például hidrogénjodidot. A korábbi bejelentésben több olyan anyagot említettünk, amely alkalmas a fotokonduktív réteg készítésére. Ezek közé tartoznak a cinkindiumszulfid (ZnIn2S4), az arzéntriszulfíd (As2S3), a cinkszelénid (ZnSe), a cinktellurid (ZnTe), a kadmiumszelénid (CdSe), a kadmiumtellurid (CdTe), a galliumarzenid (GaAs) és az antimontriszulfid (Sb2Ss). További alkalmas anyagokat nyerhetünk eme anyagok keverékeiből. A felsorolt vegyületek mindegyike legalább bizonyos mértékben fotokonduktív tulajdonságú. Úgy véljük, hogy az előfeszültséget alkalmazó rádiófrekvenciás porlasztóberendezés segítségével mindezen anyagok esetén reprodukálhatók a leírt eredmények, de valószínűleg kevesebb jó eredménnyel, mint kadmiumszulfid esetén. Az említett vegyületeket könnyen kipróbálhatjuk, ha a katódot belőlük készítjük és/vagy mint gázokat, illetve mint szublimátumokat vezetjük be a porlasztókamrába. Feltételenül biztosítani kell, hogy a porlasztókamra belseje és minden alkatrésze tökéletesen tiszta legyen. Továbbá a katódokat igen gondosan kell elkészíteni és kezelni. Már néhány ppm mértékű szennyezés vagy tisztátlanság is leronthatja az eredményeket. Szabadalmi igénypontok: 1. Eljárás szubsztrátumot és arra leválasztott fotokonduktív, teljesen szervetlen kristályos réteget tartalmazó eszköz előállítására, amelynek során a leválasztást porlasztókamrában porlasztás útján oly módon végezzük, hogy a leválasztandó fotokonduktív anyagból levő katód és a szubsztrátumot tartó anód között plazmát gerjesztünk, amely plazma és a katód között sötét teret hozunk létre, és a porlasztást addig folytatjuk, ameddig a fotokonduktív anyagból egy kristályos réteg le nem választódik a szubsztrátumon, azzal jellemezve, hogy a porlasztásnál a plazma és az anód között egy további sötét teret hozunk létre azáltal, hogy a katódot rádiófrekvenciás generátor kimenetének nagyfeszültségű pontjára, az anódot pedig a föld és a nagyfeszültség közötti előfeszültségre csatlakoztatjuk. (Elsőbbsége: 1973. 07. 11.) 5 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az anódot fűtjük. (Elsőbbsége: 1973. 07. 11.) 3. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a fotokon-10 duktív anyagként kadmiumszulfidot alkalmazunk. (Elsőbbsége: 1973. 07. 11.) 4. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a porlasztás alatt a kamrába kénhidrogén gázt vezetünk, és 15 fotokonduktív anyagként kadmiumszulfidot alkalmazunk. (Elsőbbsége: 1973. 07. 11.) 5. Elektrosztatikus képérzékelő eszköz, azzal jellemezve, hogy szubsztrátuma (16) és arra a szubsztrátum (16) földtől eltérő előfeszültségen 20 való tartása mellett rádiófrekvenciás porlasztással közvetlenül leválasztott, teljesen szervetlen anyagú, orientált mikrokristályos szerkezetű fotokonduktív rétege (12) van. (Elsőbbsége: 1973. 07. 11.) 6. Az 5. igénypont szerinti képérzékelő eszköz 25 kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a szubsztrátum (16) és a fotokonduktív réteg (12) között elhelyezkedő vezető rétege (14) van, és a fotokonduktív réteg (12) a vezető réteghez (14) van kötve. (Elsőbbsége: 1973. 07. 11.) 30 7. Az 5. vagy 6. igénypontok bármelyike szerinti képérzékelő eszköz kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a szubsztrátum (16) átlátszó. (Elsőbbsége: 1973. 07. 11.) 8. Az 5—7. igénypontok bármelyike szerinti kép-35 érzékelő eszköz kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a fotokonduktív réteg (12) félvezető anyagú és fényáteresztő képessége nagyobb mint 70%. (Elsőbbsége: 1973. 07. 11.) 9. Az 5—8. igénypontok bármelyike szerinti 40 képérzékelő eszköz kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a fotokonduktív réteg (12) anyaga kadmiumszulfid vagy cink-indiumszulfid. (Elsőbbsége: 1973. 07. 11.) 5 rajz, 6 ábra A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 804639 - Zrínyi Nyomda, Budapest 7
