173930. lajstromszámú szabadalom • Félvezető eszköz
9 173930 10 tranzisztort, mind a PNP 32 tranzisztort. Három N típusú tartomány, nevezetesen 61, 62 és 66 serleg-alakú szigetelő területet alkot, ami körülveszi a PNP 32 tranzisztort. Ebben az integrált áramkörben nagyszámú pár vagy hármas alakítható ki egyidejűleg, amelyek mindegyike N* típusú . és a P típusú 30 hordozórétegbe történő szelektív diffúzióval alakítható ki. A 2 és 62 rétegek, amelyek mindegyike N~ típusú, N típusú epitaxiális növesztéssel alakítható ki. A P típusú szilícium epitaxiális 3 második zóna, ami az NPN tranzisztor bázisát alkotja, és a 63 zóna, ami a PNP 32 tranzisztor kollektorát alkotja, P típusú epitaxiális növesztéssel vagy szelektív diffúzióval alakítható ki. A 4 első réteg, ami a kevéssé szennyezett emitter rétege az NPN tranzisztornak, N típusú epitaxiális növesztéssel alakítható ki. Az N* 6 és 66 rétegek N típusú növesztéssel alakíthatók ki. A 7 és 67 zónák P típusú diffúzióval alakíthatók ki. A 8, 38 és 48 P+ rétegeket P típusú diffúzióval alakítottuk ki. Az 5 második réteg (NPN tranzisztor emittere) és NPN tranzisztor 25 kollektor kontaktusát, valamint a PNP tranzisztor 35 bázis kontaktusát diffúzióval alakítottuk ki. Az „alapvetően egyenletes” kifejezés a kisebbségi töltéshordozók koncentrációjára vonatkozik az aktív emitter tartományon keresztül, úgy tekintendő, hogy a kisebbségi töltéshordozók kombinált értékét jelentse, amelyek az aktív bázisrétegből az aktív emitter rétegbe injektálódtak, és az emitter kisebbségi töltéshordozóit, amelyek ellentétes irányban ijwzognak annak eredményeként, hogy a beépített mező viszonylag kicsi az aktív emitter rétegen keresztül. Ezt a (c) vonallal jellemzett emitter rész képviseli, ami jobbára vízszintesen fekszik. Míg a találmányt az 1. ábrával kapcsolatban mutattuk be, mint NPN tranzisztort, természetesen megértendő, hogy az lehet PNP tranzisztor is, a megfelelő felépítéssel és jellemzőkkel. Ugyancsak nyilvánvaló, hogy a találmány kiviteli alakja lehet NPNP típusú, félvezető tranzisztor is. Szabadalmi igénypontok: 1. Félvezető eszköz, amelynek első, egyik típusú félvezető zónája, valamint ezzel közös felületen érintkező első PN átmenetet alkotó második, másik típusú félvezető zónája, továbbá a második zónával közös felületen érintkező, második PN átmenetet alkotó, harmadik, egyik típusú félvezető zónája van, azzal jellemezve hogy 5 az első, egyik típusú félvezető zóna két különböző szennyezés koncentrációjú első és második rétegből (4 és 5) áll amelyek közös felületén L-H átmenet (14) van kialakítva, az első zóna első rétege (4) az első PN átmenettel (13) szomszédos 10 és szennyezés koncentrációja kisebb, mint az első zóna második rétegének (5) a szennyezéskoncentrációja, az első zóna első rétegének (4) vastagsága nagyobb, mint az első zóna második rétegének (5) 15 vastagsága, az első zóna első rétegének (4) a vastagsága kisebb, mint az első zónában a kisebbségi töltéshordozók diffúziós hossza, továbbá az első zóna első és második rétege (4 és 5) közötti szennyezés koncentráció különbsége az első zónán 20 belül beépített, az első PN átmenetből (13) az első zónába injektált kisebbségi töitéshordozók diffúziós áramát kompenzáló kisebbségi töltéshordozók dríftáramát keltő mezőt alkot. 25 2. Az 1. igénypont szerinti félvezető eszköz kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy az első zóna első rétegének (4), valamint az első zóna második rétegének (5) együttes vastagsága kisebb, mint a kisebbségi töltéshordozók diffúziós hossza az első 30 zónán belül. 3. A 2. igénypont szerinti félvezető eszköz kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a kisebbségi töltéshordozók diffúziós úthossza az első zónán 35 belül 50—100 mikron között van. 4. Az 1. igénypont szerinti félvezető eszköz kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy az első zóna első rétege (4) epitaxiális réteg, az első zóna második rétege (5) diffúziós réteg. 40 5. Az 1. igénypont szerinti félvezető eszköz kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy az első zóna első rétegének szennyezés koncentrációja kisebb, mint 1018 atom/cm3. 6. Az 1. igénypont szerinti félvezető eszköz 45 kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy az első zóna egy emitter zónát alkot, és az első zóna első rétegének (4) szennyezéskoncentrációja kisebb, mint a második zóna (3) szennyezéskoncentrációja. 2 rajz, 7 ábra A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 794384 - Zrínyi Nyomda, Budapest 5
