172986. lajstromszámú szabadalom • Eljárás félvezető fotondetektor vagy fényelem előállítására
MAGYAR SZABADALMI 172986 NÉPKÖZTÁRSASÁG LEÍRÁS SZOLGÁLATI TALÁLMÁNY Nemzetközi osztályozás: |öj Bejelentés napja: 1976. VI. 11. (MA-2788) H 01 L 31/18 Közzététel napja: 1978. VII. 28.-------— ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL Megjelent: 1979. VII. 31. Feltalálók: Tulajdonos: Hoffmann Gyöigy old. fizikus 30%, Puskás László o kL vegyész 30%, Stubnya György oki vegyész 16 %, Rónai Tiborné Pfeifer Judit oki vegyész 12%, dr. Schanda János oki. fizikus 12%, Budapest Magyar Tudományos Akadémia Műszaki Fizikai Kutató intézete, Budapest Eljárás félvezető fotondetektor vagy fényelem előállítására 1 A találmány tárgya eljárás félvezető anyagú fotondetektor, pl. fotodióda vagy fényelem, pl. napelem előállítására, amelynél a félvezető szeletben p-n átmenetet alakítunk ki és a szeletnek a p-n átmenet feletti részén reflexiócsökkentő réteget s hozunk létre. Az ilyen típusú fotondetektoroknál a p-n átmenet a beeső sugárzás, pl. fény által keltett töltéshordozókat választja szét, a reflexiócsökkentő réteg pedig a visszavert sugárzást csökkenti és így növeli a fotondetektor hatásfokát. 10 Az ismert fotondetektor, illetve napelem készítési eljárásoknál a p-n átmenetet és a reflexiócsökkentő réteget külön lépésekben hozzák létre. Például a p-n átmenet diffúzió útján történő előállítása után a reflexiócsökkentő réteget vá- IS kuumpárologtatással viszik fel a félvezető szelet fényérzékeny felületére. Ez a megoldás a két különféle technológiai lépés miatt hosszú időt vesz igénybe és költséges. Találmányunk azon a felismerésen alapul, hogy 20 a p-n átmenet előállításának megfelelő megválasztásával egyben a reflexiócsökkentő réteget is előállíthatjuk. A találmány szerint ezt azzal étjük el, hogy olyan adalékolt oxid, illetve nitrid réteget alkalmazunk diffúziós forrásként, amely egy- 25 szersmind reflexiócsökkentő rétegként is megfelelő. A találmány szerinti eljárást tehát az jellemzi, hogy a félvezető szelet egyik felületének legalább egy részére adalékanyagot tartalmazó oxid vagy nitrid réteget viszünk fel, az adalékanyagot hőkeze- 30 2 léssel a félvezető szeletbe diffundáltatjuk, ezután a kialakult reflexiócsökkentő oxid vagy nitrid rétegben nyitott legalább egy ablakra a p-n átmenet egyik oldalát kivezető első kontaktust és a szeletre a p-n átmenet másik oldalát kivezető második kontaktust viszünk fel, majd a kontaktusokat kivezetésekkel látjuk el. Előnyösen az adalékanyagot tartalmazó oxid vagy nitrid réteget kémiai leválasztással visszük fel a félvezető szeletre. Az oxid vagy nitrid réteget vagy az érzékelni kívánt sugárzás hullámhossza negyedének páratlan számú többszörösének megfelelő optikai vastagságban visszük fel, vagy ennél vastagabban visszük fel és vastagságot a hőkezelés után állítjuk be az említett értékre. A találmány szerinti eljárásnál félvezetőként előnyösen Sí, Ge, InP, GaAs vagy AlSb anyagot alkalmazunk, és az oxid réteg adalékolt szilíciumoxid, tantáloxid, niobiumoxid, titánoxid vagy alumíniumoxid lehet. Előnyösen lehet adalékolt szilíciumnitrid réteget alkalmazni diffúziós forrásként. Az adalékanyag Si esetén B, P, As, Al, Ga, Ge esetén Zn, B, P, As, InP esetén Zn, Cd, Cu, GaAs esetén Zn, Si, és AlSb esetén Zn lehet. A találmány szerinti eljárással igen gazdaságosan lehet egyszerre több fotondetektort előállítani. Ezt a találmány szerint úgy végezzük, hogy a félvezető szeleten levő oxid vagy nitrid rétegben a diffúziós lépés után több ablakot nyitunk, valamennyi ablakra kontaktust viszünk fel, és a kontaktusok 172986
