172473. lajstromszámú szabadalom • Eljárás ohmos kontaktus előállítására félvezetőn
MAGTAB NÉPKÖZTÁRSASÁG SZABADALMI LEÍRÁS SZOLGÁLATI TALÁLMÁNY Bejelentés napja: 1975. XII. 11. (EE-2391) Közzététel napja: 1978. IV. 28. ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL Megjelent: 1979.1. 31. 172473 Nemzetközi osztályozás: HOI L 21/44 Feltalálók: Tulajdonos: Puskás László vegyész 40%, Nagy Anna vegyészmérnök 40%, Egyesült Izzólámpa és Villamossági Rt., dr. Bakonyi János fizikus 20%, Budapest Budapest Eljárás ohmos kontaktus előállítására 1 A találmány (általában) félvezetők felületén kialakítandó ohmos kontaktus készítésére vonatkozik. A kontaktusfém kémiai redukciós úton leválasztott nikkel bevonat. 5 A kontaktussal szemben az a követelmény, hogy a félvezető felületére jól tapadjon, átmeneti ellenállása kicsi legyen és a félvezetők n- és p-típusán közel egyenletes fétegvastagságot képezzen. 10 A kémiai-redukciós nikkelbevonatot kontaktusfémként elteijedten alkalmazzák, azonban olyan felületeken, ahol a p- és n-típus együttesen fordul elő, a p-típusű felületen a nikkel leválás sebessége lassúbb, sőt szélsőséges esetben p-típuson a nikkel 15 le sem válik. (A találmány célkitűzése a szilícium két típusán az eltérő fémleválási sebesség kiküszöbölése.) Jó ohmos kontaktus érdekében az n+ diffúziót eddig is általánosságban használták, de csak n-típusú felületek esetén, p-típusú felületeken 20 értelemszerűen p* diffúziót alkalmaztak az ohmos kontaktus készítése előtt. Amennyiben a kontaktusfém pl. alumínium, ez a megoldás valóban kiváló eredményt adott. A p-típusú szilícium felületén, illetve a borral 25 adalékolt felületen a nikkel leválásának megkönnyítésére több módszert alkalmaztak, pl. a 1 188 694 sz. angol szabadalom EDTA só adagolással, a 3 539 390 sz. USA szabadalom a felület aktiválásával, míg a 1 242 971 sz. NSZK szabada- 30 2 lom az oldat hipofoszfit koncentrációjának növelésével próbálta a nikkel leválási sebességét növelni. Egyéb eljárások a felületi réteg maratásával, csiszolásával, illetve a felületi réteg eltávolításával próbálták a problémát megoldani. Mindezek az eljárások azonban csak kissé növelik a nikkel leválási sebességét p-típusú felületen, a két típus közötti elektródpotenciál különbség megmarad, más az n-típusú és más a p-típusú felületen, ennek következtében eltér a fém leválásának sebessége is a két típuson. Vagyis a különböző eljárásokkal ugyan megnövelhető a p-típusú felületen a nikkelleválás sebessége, de ezalatt az n-típuson olyan vastag fémréteg válik le, ami a további technológiai műveleteknél tapadási problémákhoz vezet. A találmámy célkitűzése az eltérő fémleválási sebesség kiküszöbölése a félvezető szilícium két típusán. A találmány szerint a feladatot úgy oldjuk meg, hogy azokon a p-típusú felületeken, amelyeken nikkel kontaktust kívánunk létrehozni, a bevonat felvitele előtt vékony rétegben nagy felületi koncentrációjú, n-típusú diffúzánst választunk le. A találmány szerinti eljárással a p- és n-típusú felület elektródpotenciálja azonossá válik és így a nikkel leválás sebessége, ezzel együtt a réteg vastagsága mindkét típuson azonos lesz. A diffúzióval ugyanis a p-típusú felület n-típusra konvertál, tehát p-n átmenet képződik. Ha a 172473
