171708. lajstromszámú szabadalom • Eljárás alumínium-szilícium ötvözetből készült lemez előállítására
7 171708 8 A következő példa ikerhengerekkel rendelkező eszközzel öntött lemezből készült hidegen hengerelt lap és az 1. példa szerinti nagy növekedési sebességgel közvetlen hűtéses (D. C.) eljárással készített vékony lemez szilárdsági és nyúlásbeli tulajdonságait hasonlítja össze hidegen hengerelt D. C. öntecsből 6—8 cm/perc növekedési sebességgel öntött lemez hasonló jellemzőivel. A közvetlen hűtéses- vékony lemezt szabványos közvetlen hűtéses öntéssel készítettük azzal az eltéréssel, 2. példa Al—Si ötvözet 3. példa Vékony D. C. lemezeket állítunk elő különböző Sitartalmú Al-Si ötvözetekből 6 mm vastagságban 40—60 cm/perc növekedési sebességgel. A lemezeket ezután 1 mm-re hidegen hengereljük. Ezután a lapokat részlegesen megeresztjük 300—350 C°-on 2 óra hosszat. A folyási határt a Si-tartalom függvényében ábrázoljuk, ahogy a csatolt 1. ábra ezt mutatja. Ebből kitűnik, hogy a folyási határ fokozatosan emelkedik, ha a Si-tartalom 6% Si-ről 11,5% Si-re növekszik. hogy vékony öntecset állítottunk elő. Öntőmintaként vízhűtéses, rézből készült, 19 mm hosszú mintát alkalmaztunk és nagy sebességű (150 cm/mp) vízfilmet használtunk az öntecs hűtésére. Az öntecs öntési sebessége 75—120 cm/perc nagyságrendbe esett. A nagy öntési sebesség összekapcsolva a vékony lemezből történő nagy hőelvonási sebességgel, nagy növekedési sebességet eredményezett az öntecs középső részében. A pálcikaszerű szilícium-fázissal rendelkező öntött lemezt feltekerhetjük, lehűthetjük és továbbvihetjük a hengerlésre, és az ezt követő hőkezelésre. Ily módon kereskedelmi forgalomban értékesíthető terméket kapunk. 4. példa 9,4% Si, 0,17% Fe, 0,03% Ti tartalmú Al-ötvözetet (szennyezők 0,01% alatt) egy Hunter Engineering Twin Roll Caster öntőgépben 70 cm/perc sebességgel 7,4 cm sakítás 300 UTS (ksi) 29 27 32 28 20 20 ilárdsá ; felett n-es 1« slegítv 55 60 65 1 mm vastag lemez szakításbeh tulajdonságai (1) hengerelt részben megeresztett 300 C°-on (2 óra) részben megeresztett 350 C°-on (2 óra) részben megeresztett 400 C-on (2 óra) anyag UTS (ksi) YS (ksi) nyúlás UTS (ksi) YS (ksi) nyúlás UTS (ksi) YS (ksi) nyúlás UTS (ksi) YS (ksi) nyúlás A. Ikerhengerlésű lemez 9,4% Si (lemez megeresztés 275C°-on)(2) 9,4% Si (lemez megeresztés 350 C°-on) 41 39 31 28 7 6 29 27 21 18 16 21 27 25 18 16 20 21 25 23 15 12 20 24 B. Vékony D. C. lemez 9,5% Si—0,6% Cu (lemez megeresztés 325 C°-on) 11,6% Si (lemez megeresztés 350 C°-on) 54 38 27 29 2 5 32 28 23 20 17 15 30 27 17 17 19 18 28 14 20 C. Szabványos D. C. öntecs 9,5% Si (öntecs megeresztés 350 C°-on) (3) 12,0% Si (öntecs megeresztés) 350 C°-on) 34 33 25 27 7 7 20 20 8 9 33 25 21 20 7 9 28 24 20 21 7 9 30 23 Megjegyzések: (1) UTS (Ultimate Tensile Strength) Végső szakító szilárdság: a hosszanti és a keresztirányú normál lemez szakító szilárdság átlagából meghatározva. YS (Yield Strength) Folyási határ: 5 cm hosszúság feletti nyúlások átlagából meghatározva. (2) 6 mm vastag lemez 1 óra hosszat megeresztve 1 mm-es lemezzé való hengerlés előtt. (3) Normál D. C. öntecs: 10 cm vastag 350 C°-on előmelegítve, melegen hengerelve 6 mm-re, majd hidegen hengerelve 1 mm-re. (ksi) =70,3 kp/cm2 . 4
