170805. lajstromszámú szabadalom • Eljárás IG-FET tranzisztorok előállítására
5 170805 6 tustartományok kinyitását és implantációját megfelelő ciklusban végezzük. A példák természetesen nem tartalmazzák az összes lehetséges variációt, így például az oxidáció elleni nitrides lefedés helyettesíthető más műveleti rendszerben vastag és vékony oxidrétegek különböző növekedési sebességéből származó maszkoló hatással. Más technológiai műveletsorok is felépíthetők tehát a szabadalmi eljárás alapján. Szabadalmi igénypontok; 1. Eljárás szigetelt térelektródás térvezérlésű tranzisztor előállítására, amelynek drain és source tartományait adott esetben n illetve p típusú adalékanyagnak a kiindulási szilícium lemezbe történő lokális bevitelével alakítjuk ki, a rejtett Si02-ből és a fölötte levő Si rétegből álló térelektródás szerkezetet pedig ezen tartományok kialakítása előtt vagy után hozzuk létre, végül kontaktusokat és fémösszeköttetéseket alakítunk ki, azzal jellemezve, hogy a térekeltródás szerkezetet oxigénionoknak a szilícium lemez felszíne alá, legfeljebb 1 mikron mélységbe történő implantációjával alakítjuk ki. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítasi módja azzal jellemezve, hogy az oxigénionokat a szilícium lemez felszíne alá 1000—5000 Á mélységbe implantáljuk. 3. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítasi módja azzal jellemezve, hogy az oxigénionok implantá-5 cióját a drain és source tartományok kialakítása előtt a szilícium lemez teljes felületén végezzük, majd a térelektródás szerkezetet az implantáció során kialakuló rejtett Si02-t fedő Si rétegnek a térelektróda tartományok kivételével, a felületről fotoreziszt technikai eljá-10 rásokkal történő lemarásával behatároljuk. 4. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítasi módja azzal jellemezve, hogy a drain és source tartományok kialakítását és a térelektródás szerkezet helyének behatárolását egyidejűleg végezzük, az oxigénion 15 implantáció előtt. 5. A 4. igénypont szerinti eljárás foganatosítasi módja azzal jellemezve, hogy a drain és source tartományok behatárolását az előzőleg Si3N 4 réteggel befedett kiindulási szilícium rétegről az Si3 N 4 réteg szelektív lema-20 rásával végezzük, majd a felületet Si02 réteggel fedjük be, amelyet a kialakítandó drain és source tartományok fölött és között szelektív marással eltávolítunk, kialakítjuk a drain és source tartományokat, majd a térelektródás szerkezet helyét a source és drain tartományok kö-25 zött visszamaradt Si3 N 4 réteg kimarásával az ion implantáció számára szabaddá tesszük. 3 rajz, 3 ábra A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 78.5457.66-42 Alföldi Nyomda, Debrecen — Felelős vezető: Benkő István igazgató 3
