169204. lajstromszámú szabadalom • Mágnesfej és eljárás annak előállítására

7 169204 8 irányú első 510 első vezetőréteget a maszk 5 kivágásán keresztül visszük föl, s ez a réteg a 2 kivágáson keresztül'felgőzölt réteg rövidebb ágának hátulsó végével érintkezik, s ugyanakkor baloldali vége (3. ábra) a 2 kivágáson át felvitt rétegtől el van szigetelve. A harmadik 61 szigetelő réteget ezután az 510 vezetőréteg felett képezzük ki a maszk 6 nyílásán keresztül, hogy így annak jobb oldalától el legyen szigetelve (3. ábra) míg a 71 második vezetőréteget a maszk.7 nyílásán át gőzöljük fel a harmadik 61 szigetelő rétegre és annak az 510 első vezetőréteggel érintkező részére, mely ennélfogva baloldali alsó ága révén érintkezik a harmadik 61 szigetelőréteggel (lásd a 3. ábrát). Miután a 33 és 42 negyedik szigetelőrétegeket is felvittük, a tekercs az 520 harmadik vezetőréteg felgőzölögtetése révén alakul ki végleges formájában, s az 520 harmadik vezetőrétegen - a tekercs középső kivezetésének biztosítására - egy újabb réteget alakítunk ki a maszk 8 kivágásán keresztül. A tekercs kialakítása folytatódik a 62 ötödik szigetelőréteg, a 72 negyedik vezetőréteg, a 34 járulékos és 43 hatodik szigetelőrétegek, az 530 hatodik vezetőréteg és 63 hetedik szigetelőréteg felgőzölögtetésével. A tekercs végső kialakításánál a 9 kivágáson át felvitt réteg a 2 kivágáson át felvitt réteggel érintkezik. A vékonyréteg-szerkezetet egy 35 szigetelőréteggel vonjuk be, melyre végül a 12 mágnesréteg kerül. Jóllehet a 4. és 5. ábrákon az egyes rétegeket síkba kiterítve ábrázoltuk a megértés végett, világos, hogy a hordozórétegen elhelyezkedő rétegek a mágnesfej struktúrájának megfelelő formában, egymáshoz szorosan illeszkedve vannak felgőzölve. Avégből, hogy a mágnesfejnek a hordozórétegen levő rétegei simák legyenek, a mágnesfej ezen rétegeinek a hordozóréteggel ellentétes oldalát 55 szigetelő védőréteggel vonjuk be. A tekercs kialakítása természetesen az eddig leírtakkal ellenkező sorrendű technológiai lépések útján is végrehajtható. Ha pedig több menetszámú tekercset óhajtunk készíteni, akkor a szükséges rétegek kialakítását a már ismertetett technológiai sorrend többszörösével hajtjuk végre. Amikor a rétegszerkezet ily módon készen van, akkor a rajzokon szemléltetett példának megfelelően az 1. ábrán látható 56 nyíllal jelzett helyen a mágnesfej rétegszerkezetét lemunkáljuk. Ezáltal a 31-35 szigetelőrétegek által elválasztott 11, 12 első és második mágnesrétegek végeit választjuk le. Kézenfekvő az a megoldás is, hogy a 3 kivágás révén felvitt réteget közvetlenül érintkezésbe hozzuk a hordozóréteggel, s így a 11 és 12 első és második' mágneses rétegekkel is. Egy másik lehetséges megoldás abban van, hogy a 3. 4 vagy 6 kivágásokon keresztül felvitt rétegek kialakítását a tekercs kialakításához igazodva egymással felcseréljük, miután a 7 kivágás szerinti réteget felgőzöltük. Természetesnek tartjuk, hogy a maszkok kivágásaiban végrehajtott kisebb módosítások a találmány szerinti megoldás lényegén nem változtatnak. A találmány körén belüli megoldás az is, ha a maszkot egy dimenziós helyett két dimenzióssá alakítjuk ki. Több mágnesfejet is kialakíthatunk egyidejűleg, ugyanazon hordozórétegen úgy, hogy az elválasztórétegek a hordozóréteg egyik szélén sorakoznak, a mágnesfejet alkotó aktív rétegek viszont a hordozóréteg ugyanezen szélének merő-5 leges irányban vannak egymástól elválasztva. Az 50 maszk(ok)-nak tehát annyi 1-9 kivágása van, ahány réteget ki kell alakítani. A példa kedvéért említjük, hogy az m mágnesréteg vas-nikkel ötvözet is lehet, melynek alkotói 10 önmagában ismert technológia révén úgy vannak felgőzölve, hogy már az olvasztótégelyben határozzuk meg ezek arányát. A vezető tulajdonságú anyag például réz. A d szigetelő tulajdonságú anyag pedig szilícium, amelyet ismert módon 15 SiO-ból nyerünk úgy, hogy az SiO-t oxigén jelenlétében vagy vízgőzben, kis nyomáson elgőzölötetjük. A 10 hordozóréteg nagy olvadáspontú üveg. Összefoglalva a fordított technológiával és rész-20 ben külső mágnesrétegekkel lehatárolt mágnesfej-tekercs kialakításának módját, röviden a következő technológia foganatosítása révén érjük el: Először egy menetet készítünk balról-jobbra, ezután következik egy mágnesréteg, majd két me-25 net jobbról-balra, ismét egy mágneses réteg, majd egy menet balról-jobbra. Ennek a mágnesfej-struktúrának a 10 hordozórétegre történő réteg-felgőzölögtetését az előzőekben megismert maszk kivágásoknak az alábbi sorrendben történő elhelyezése 30 útján hajtjuk végre: Először alkalmazzuk a 2,3,4,5,6,7,3 kivágások szerinti maszk-kombinációt, ezt követi az 1,3,4, 7,6,5,3 kivágások alkalmazása révén végrehajtott felgőzölés, majd az 4,7,6,5,3,4,7 kivágások szerinti 35 maszkok alkalmazása, ezután a 3,1,3,6,7,3,4 kivágásokkal ellátott maszkok alkalmazása, kerül1

sorra, végül az 5,6,9 kivágású maszkokat alkalmazzuk. 40 Szabadalmi igénypontok: 1. Mágnesfej, hordozóanyagra felvitt mágnesrétegre rögzített bináris információk kiolvasására amelynél a mágnesfej vékony-rétegek útján van 45 kialakítva, dielektromos tulajdonságú és párhuzamos szélű hordozórétegen helyezkedik el, s a rétegszerkezetben egymáshoz pontosan illeszkedő mágnesréteg-pár van, melynek szimmetriatengelye a vele határos hordozóréteg szélére merőleges, s attól 50 közbenső rétegekkel van elválasztva úgy, hogy a mágnesréteg-párt alkotó rétegek széle egymással érintkezik, de a hordozó-réteg szélei között az érintkezést megszakító közbenső réteg van, míg a többi réteg együttesen lapos tekercset képez, mely-55 nek menetei, a mágnesrétegekkel érintkezve, azokat körülfogják, s a menet elülső része a mágneses rétegek közé van ágyazva, azzal jellemezve, hogy a rétegszerkezet szigetelőrétegei (31,32,61,33,42,34, 43,63,35,55) együttesen lapos menetű, szigetelő-, 60 tekercset képeznek, melynek menetei egymás fölött helyezkednek el, a vezetőrétegek (11,510,71,520, 62,72,530,12) pedig együttesen lapos, egymás feletti menetekkel rendelkező vezetőtekercset képeznek, melynek, menetei a szigetelőtekercsbe vannak 65 ágyazva, úgy, hogy a vezető rétegek csatlakozása a 4