169124. lajstromszámú szabadalom • Eljárás szennyezett átlátszó félvezetők előállítására villamos fűtéshez

5 169124 6 vagy porlasztással vittük fel egy lágyulási hőmérséklettartományra hevített üveglap felületére. Először a csak félvezetőből és adalékanyagból álló alapbevonatot vittük fel, majd második rétegként vittük fel a termoelektromos pufferanyagot is tartalmazó kéve- 5 réket. Az így kapott félvezető felületi ellenállása a 0-300 C°os hőmérséklettartományban gyakorlatilag nem változik (maximális ellenállásnövekedés: 2%). 2. példa 10 ' Az alábbi összetételű keveréket az 1. példában ismertetett módon aprítottuk, majd az aprított 15 keveréket az 1. példában ismertetett alapbevonatra második rétegként vittük fel. 4. példa A 3. példában ismertetett módon jártunk el, azonban a következő összetételű keverékből alakítottuk ki a második réteget: félvezető: indium(III)-klorid (ionrádiusz: 0,81) termoelektromos puffer: berilliumklorid (ionrádiusz: 0,35) 98,6 súlyrész 1,4 súlyrész A kapott félvezető felületi ellenállása a 0-300 C°-os hőmérséklettartományban gyakorlatilag nem változik (maximális ellenállásnövekedés: 2%). félvezető: bizmut(III)-klorid (ionrádiusz: 0,96) adalékanyag: réz(II)-klorid termoelektromos puffer: lítiumkarbonát (ionrádiusz: 0,68) 20 90 súlyrész 8,2 súlyrész 25 1,8 súlyrész Az így kapott félvezető felületi ellenállása a 0-300 C°-os hőmérséklettartományban gyakorlatilag nem változik (maximális ellenállásnövekedés: 2%). félvezető: indium(III)-klorid (ionrádiusz: 0,81) adalékanyag: ólom(II)-klorid termoelektromos puffer: berilliumklorid (ionrádiusz: 0,35) 90 súlyrész 8,6 súlyrész 1,4 súlyrész 30 35 3. példa Az 1. példában ismertetett összetételű alapbevonatra a következő összetételű, adalékanyagot és 40 pufferanyagot is tartalmazó keveréket vittük fel második rétegként: 45 50 55 A felsorolt komponenseket vízzel elegyítettük, az elegyet alaposan összekevertük, majd a vizet elpárologtattuk. A szilárd maradékot megolvasztottuk, majd egyidejű gyors hűtés közben gondosan felaprítottuk. Az olvasztási-aprítási műveletet mégegyszer megis- 60 metéltük. Az így kapott, aprított keveréket használtuk fel a második réteg kialakításához. A kapott félvezető felületi ellenállása a 0-300 C°-os hőmérséklettartományban gyakorlatilag nem változik (maximális ellenállásnövekedés: 2%). 65 Szabadalmi igénypontok: 1. Eljárás szennyezett, átlátszó, adott esetben vékonyréteg alakú félvezető előállítására villamos fűtéshez, félvezető alapanyagból, célszerűen indium, ón vagy bizmut kationt tartalmazó anyagból és adott esetben adalékanyagból, célszerűen valamely antimon- és/vagy ammónium-vegyületbőí álló keverék felhasználásával, azzal jellemezve, hogy a fenti alapanyaghoz vagy keverékhez - amely a késztermék összsúlyának 95-99,9%-át teszi ki- a késztermék összsúlyának 0,1-5%-át kitevő mennyiségben egy vagy több termoelektromos pufferanyagot, azaz olyan vegyületet, amelyben a kationok (célszerűen bór-, lítium- és/vagy berillium-ionok) ionrádiusza legalább 20%-kal kisebb a félvezető alapanyag kationjainak az ionrádiuszánál, adagolunk, ezt a keveréket megolvasztjuk és intenzív anrítás közben lehűtjük vagy oldószerben feloldjuk vagy hígítószerben diszpergáljuk, majd az oldószert vagy hígítószert elpárologtatjuk, végül a visszamaradt anyagot egymás után legalább kétszer megolvasztjuk és ezt követően intenzív aprítás közben gyorsan lehűtjük, és adott esetben az aprított anyagból vékonyréteget készítünk. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy n-típusú szennyezett félvezető esetében olyan termoelektromos pufferanyagot alkalmazunk, amelyben a kationok vegyértéke kisebb a félvezető alapanyag kationjainak maximális vegyértékénél, míg p-típusú szennyezett félvezető esetében olyan termoelektromos pufferanyagot alkalmazunk, amelyben a kationok vegyértéke nagyobb a félvezető alapanyag kationjainak vegyértékénél. 3. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy termoelektromos pufferanyagként halogenideket és/vagy karbonátokat alkalmazunk. 4. Az 1-3. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja átlátszó félvezető réteg előállítására, azzal jellemezve, hogy az előállított szennyezett félvezetőt szublimálással, kenéssel vagy katódporlasztással valamely hőálló anyag, célszerűen üveg, kvarc, kerámia, fémoxid vagy ásvány felületére visszük fel, miközben az alapot olvadási vagy lágyulási hőmérsékletéhez közeli hőmérsékletre hevítjük. 3