166405. lajstromszámú szabadalom • Planáris mágneses vékonyrétegstruktúra
5 166405 6 réteget diszkrét struktúraként alakítjuk ki, amelynek jellemzőit az említett felszórási mód betartása esetén a szilíciummonoxid S felületi érdessége határozza meg. Végül a 4 mágneses réteg 200—650 angstrom vastagságú második rétegét visszük fel 170—-200 °C hordó- 5 zóhőmérséklet és 8—16 angström/mp kondenzációs sebesség mellett. Az így kapott struktúrában a 3 amorf szilíciummonoxid réteg az alsó nikkel-vas-kobalt réteget szigeteli az alumíniumrétegtől és kizárja az alumíniumréteg 10 krisztallografikus struktúrájának a mágneses réteg struktúrájába való közvetlen hatását, miközben azonban az S felületi érdesség befolyásának a mágneses réteg Hc koercitív erejére való tisztán geometriai hatása megmarad. 15 A mágneses réteg Hc koercitív erejének növelése mellett az S felületi érdességű alumíniumréteg biztosítja a szilíciummonoxid jó tapadását a fémes hordozóhoz. A találmány szerinti planáris mágneses vékonyrétegstruktúra alkalmazása lehetővé teszi, hogy állandó tér- 20 erősségű információfelvétel mellett az információtörlési küszöböt az ismert mágneses vékonyréteg-struktúrák esetéhez képest 2,5-szörösére emeljük. Emellett sikerült a réteghordozónként 4,5 • 103 elemszámú vékonyrétegmátrixok technológiailag elérhető számát egy nagyság- 25 renddel növelni. Az információtörlési küszöbnek és a planáris mágneses vékonyrétegstruktúra paraméterei reprodukálhatóságának növelése hasznosítható folyamatos mágneses bevonattal ellátott mátrixok tárolóelemei beépítési sűrűségének növelésére is. Szabadalmi igénypontok 1. Planáris mágneses vékonyrétegstruktúra, amelynek hordozója és azon elrendezett amorf rétege, valamint nem mágneses anyagból levő közbenső réteggel ellátott mágneses rétege van, azzal jellemezve, hogy az amorf rétegnek (3) a mágneses réteggel (4) érintkező oldalán a mágneses réteg (4) domainhatárainak szélességével megegyező periódusú felületi érdessége (S) van és a nem mágneses anyagból levő közbenső réteg (5) ugyanilyen periodicitással elosztott diszkrét zárványokból áll. 2. Az 1. igénypont szerinti planáris mágneses vékonyrétegstuktúra kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a hordozó (1) és az amorf réteg (3) között fémréteg (2) van, amelynek felületi érdessége azonos periódusú (X), mint az amorf réteg (3) érdessége (S). 3. A 2. igénypont szerinti planáris mágneses vékonyrétegstruktúra kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a hordozó (1) 98,6—1,4%-os alumínium-mangán ötvözetből, a mágneses réteg (4) nikkel-vas-kobalt ötvözetből, a közbenső réteg (5) rézből, az amorf réteg (3) szilíciummonoxidból, a fémréteg (2) pedig alumíniumból van. 1 rajz, 2 ábra A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 76.2762.66-42 Alföldi Nyomda, Debrecen — Felelős vezető: Benkő István igazgató
