165963. lajstromszámú szabadalom • Eljárás félvezető elrendezések előállítására planar-technikával
7 165963 8 nagy felületi koncentrációjú és kis behatolási mélységű donorokat, illetve p-típusú tartományoknál akceptorokat diffundáltatunk, a 13 emitterkontaktusabfakot pedig a 20 szilikátréteggel takarjuk. Szabadalmi igénypontok: 1. Eljárás félvezető elrendezések planár-technikával történő előállítására, amelynek során félvezető egykristály alaplemez felületét tapadó maszkkal fedjük be, és a maszk ablakain át a félvezető alaplemezbe diffúzió útján szennyezéseket juttatunk be, és ezáltal diffúziós bázistartományt hozunk létre, majd az így kapott felületre Si02 réteget és ezt követően Si 3 N 4 réteget választunk le, azzal jellemezve, hogy a Si3 N 4 rétegben fotolitografikus úton a rétegre helyezett fotolakkmaszk (9) alkalmazásával az emitterdiffúzióhoz és a báziskontaktusok létrehozásához szükséges emitterkontaktus- és báziskontaktusablakokat (13, 14) egyidejűleg hozzuk létre, továbbá a báziskontaktusablakot (14) tapadó fotolakkmaszkkal (10) fedjük be, és a Si3 N 4 rétegből kiképzett tapadómaszk (8) felhasználásával az emitterkontaktusablakokból (13) a Si02 réteget eltávolítjuk, majd diffúziós úton létrehozzuk az emittertartományt (3) és ezt követően a báziskontaktusablakokból (15) is eltávolítjuk a Si02 réteget, végül pedig az emitter és bázistartomány szabad felületein a kontaktáláshoz fémet választunk ki. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a félvezető alap (1) szilíciumból áll, és a tapadómaszk (4) ablakait a Si02 rétég (5) helyett a bázisdiffúzió során termikusan növesztett szilikátréteggel (18) fedjük le, és az emitterdiffúzió során az emitterkontaktusablakot (13) ismét szilikátréteggel (19) fedjük le, és ezt a szilikátréteget (19) a bázisdiffúzió során növesztett szilikátréteggel (18) együtt a kontaktusablakok szilíciumfelülete felett eltávolítjuk. 2 rajz, 2 ábra A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 766009 - Zrínyi Nyomda 4 3. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a Si02 rétegnek a báziskontaktusablakból (15) való szelektív eltávolítását maratással végezzük, miközben az ernitterdiffúziós ablakot (13) fotolakkmaszkkal (11) fedjük be. 4. A 2. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a báziskontaktusablakok (15) illetve az emitterkontaktusablakok (13) szilikátrétegeinek (18, 20) eltávolítása során először csak az egyik ablakot maratjuk ki, miközben a másik ablakot fotolakkmaszkkal (11) fedjük le, továbbá ezen fotolakkmaszk (11) levétele után a szilikátréteget a másik ablakból is eltávolítjuk. 5. A 2. vagy 4. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy miután eltávolítottuk a szilikátréteget (18) a báziskontaktusablakokból (15), a szilikátréteggel (20) még lefedett emitterablakok mellett olyan típusú szennyezéses diffúziót végzünk, amelynek a bázistartománnyal (2) azonos vezetési típusa van, és ezt követően az emitter- és a báziskontaktusablakokat egyaránt szabaddá tesszük. 6. Az 1. igénypont szerint eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az Si3 N 4 tapadómaszk fotolitografikus úton történő előállításához fém vagy oxid anyagú segédmaszkot alkalmazunk. 7. Az 1 - 4. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy csak a Si3 N 4 tapadómaszk (8) előállításához alkalmazott fotolakkmaszknak (9) a bázisdiffúzióhoz felhasznált tapadómaszkhoz (4) képest felvett helyzetét illesztjük, miközben az emitterdiffúziós ablakok marásához használt fotolakkmaszkot (10) és a báziskontaktusablak marásához felhasznált fotolakkmaszkot ezen illesztésnél nagyobb tűréssel helyezzük el, a tűréseket pedig az emitterkontaktusablakok (13) és a báziskontaktusablakok (14) között elválasztócsík (21) szélességénél kisebbre választjuk.
