165229. lajstromszámú szabadalom • Eljárás félvezetőelemek és szilárdtest áramkörök előállítására
9 165229 10 vagy gőzfázisból lecsapatott, egymástól eltérő szennyezőanyagokkal szennyezett szigetelőrétegeket alkalmazunk, mimellett ezen szennyezőanyagok koncentrációit és diffúziós együtthatóit a diffundált rétegek koncentrációs profiljához illesztjük, azzal jellemezve, hogy egy félvezető egykristálytárcsából 5 álló szubsztrátumra (1) szennyezett szigetelőréteget, és erre átvivő fedőréteget (5) választunk le, maid az átvivő fedőréteget (5) tapadó fotolakkmaszkkal (7) fedjük és szelektív maratással alakítjuk tapadó átvivőmaszkká (41), amelyre — miután a tapadó 10 foto-lakkmaszkot (7) - egy második maratással eltávolítjuk - szennyezett szigetelőréteg (21) struktúrát alakítunk ki; amely struktúra olyan aktív diffúziós maszkot (31) képez, amelyet a további v diffúziós eljárás során szennyezőforrásként alkal- 15 mázunk; továbbá, hogy tapadó átvivőmaszk (41) által takart aktív diffúziós maszkra (31) egy második szennyezett szigetelőréteget (22) választunk le és a korábbihoz hasonló módon 'egy második tapadólakkmaszkkal és egy második tapadó átvivőmaszkkal 20 (42) kialakított struktúrát egy második diffúziós maszkká (32) alakítjuk; és hogy a szennyezett szigetelőréteg védőmaszkrétegének leválasztásából, fedőlakkmaszkkal való maszkolási eljárásból és a tapadó fedőmaszk struktúrájának kialakításából, valamint az 25 aktív diffúziós maszk előállításából álló műveleti ciklust annyiszor ismételjük, ahány egymástól eltérően szennyezett diffúziós tartományt szükséges kialakítani a kristályfelületből, majd ezután az átvivő tapadómaszkot (41, 42 és 43) eltávolítjuk és a félvezető 30 kristálytárcsa (szubsztrátum (1)) teljes felületét -beleértve az aktív diffúziós maszkokat (31, 32 és 33)passziváló réteggel (8) vonjuk be; végül, hogy temperáló műveletet végzünk inert vagy oxidáló közegben, miközben a különbözőképpen szennyezett aktív dif- 35 fúziós maszkokból a szennyezőanyagok a félvezető egykristályba diffundálnak és ezáltal különbözően szennyezett koncentrációjú tartományokat hozunk létre a félvezető egykristályban. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási 40 módja, azzal jellemezve, hogy a tapadó átvivőmaszkok (41 és 42) előállítására wolfram, milibdén vagy titán-réteget alkalmazunk. 3. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosításának módja, azzal jellemezve, hogy a szennyezett 45 szigetelőrétegek előnyösen Si02 vagy Si 3 N 4 -ből állnak és azokat gőzfázisból való leválasztás útján vagy pedig 10"5 10'3 Torr gőznyomáson való porlasztással állítjuk elő. 4. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosításának módja, azzal jellemezve, hogy a végleges aktív diffúziós maszkot több különbözőképpen szennyezett és egymást követően előállított maszkból, vagy több egymást követően aktív diffúziós maszkból (31, 32, 33) alakítjuk ki. 5. Az 1-4. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosításának módja, azzal jellemezve, hogy az aktív diffúziós maszk (31, 32) előállítása és a tapadó átvivőmaszkok (41 és 42) eltávolítása után a diffundált kristálytartományok előállítását hőkezeléssel végezzük oxidáló közegben, míg az aktív diffúziós maszk által fedetlen kristályfelületi tartományokon termikus oxidréteget (9, 25 vagy 26) hozunk létre. 6. Az 1., 3. és 4. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosításának módja, azzal jellemezve, hogy a különböző szigetelőrétegek '. különböző marási sebességeinek kihasználásával az aktív diffúziós maszkok (3) előállítását átvivő fedőréteg (4) alkalmazása nélkül végezzük olymódon, hogy a szubsztrátumon (1) szennyezett szigetelőréteget (21) választunk le, amelyet tapadó foto-lakkmaszkkal (19) takarunk és maratással aktív diffúziós maszkká (31) alakítjuk, majd ezt követőleg a tapadó fotó-lakkmaszk (19) eltávolításával a teljes felületre egy második — más módon szennyezett szigetelőréteget választunk le, amelyet ezután egy második tapadó foto-lakkmaszkkal fedünk és marunk úgy, hogy az első diffúziós maszk mellett egy második aktív diffúziós maszkot (32) hozunk létre, és hogy ezt a munka ciklust annyiszor ismételjük, amennyi különböző marási sebességű szennyezett szigetelőréteg van jelen, ahol első szennyezett szigetelőrétegként mindig a legkisebb marási sebességű réteget és azután a többi szennyezett szigetelőrétegeket sorrenben növekvő marási sebességek szerint választjuk le. 7. Az 1-5; igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosításának módja, azzal jellemezve, hogy a szennyezett szigetelőrétegeket Si02 —bői és a tapadó fedőmaszkokat - Si3 N 4 -bői állítjuk elő. 6 rajz, 7 ábra ,A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 750382, OTH, Budapest
