164865. lajstromszámú szabadalom • Integrált kapcsolási elrendezés schottky-kollektoros tranzisztorral és eljárás ennek előállítására

164865 5 6 szigetelőréteggel fedett félvezető rétegből áll, amelyben záróréteg által elválasztott félvezető tartományok vannak kialakítva, azzal jellemezve, hogy a bázistartományokat (5) olyan gylirlialaku határolórétegek (3, 11) veszik körül, amelyeknek szeny- 5 nyezőanyaga az emitter szennyezőanyagával megegyező, és hogy ezekben a bázistartományokban - az egyik oldalon - eltérően szennyezett emittertartományok (2), a másik oldalon pedig passziválóréteg (10) ablakain (13) belul kollektorként (15) 10 olyan villamos vezető tartományok vannak kialakítva, amelyeknek Schottky-gátat képező szilárd vezető anyaga van és amelyek a bázistartományokat (5) teljes egészében, a határolótartományokat (3, 11) pedig csak részben fedik, és továbbá, hogy 15 ezek a bázistartományok (5) részére záró, a határolótartományok (3, 11) részére pedig ohmos átmenetet alkotnak, és továbbá, hogy az emitter (2), a bázis (5), és a határolótartományok (3) az emitter oldalon ohmos kivezetéssel vannak ellátva. 20 2. Az 1. igénypont szerinti kapcsolási elrendezés kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a kollektor (15) anyaga fém. 25 3. Az 1. igénypont szerinti integrált kapcsolási elrendezés kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a kollektor (15) anyaga a kiindulási félvezető anyag-í tói eltérő egykristályos villamos vezető anyag. 30 4. Az 1. igénypont szerinti kapcsolási elrendezés kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a kollektor (15) villamosan vezető fényáteresztő anyag. 5. Eljárás az 1. igénypont szerinti integrált 35 kapcsolási elrendezés előállítására Schottky-kollektoros tranzisztorral, amelynek során a szenynyezett tartományokat, diffúziós és epitaxiális eljárással alakítjuk ki a kristályos félvezető testben vagy a kiinduló anyagtól eltérőanyaguszubsztrátu- 40 mon elhelyezett egykristályos félvezetőrétegben, majd ezt a félvezető testet hordozőréteggel történő összekötés vagy vastag hordozóréteg leválasztása után a tranzisztor alsó részén az alul levő tranzisztor elemek szabaddá válásáig, lehordjuk, 45 majd ezen az oldalon a passziválőréteg leválasztása és a kontaktusablakok maratása után kontakt fémmel vonjuk be, azzal jellemezve, hogy a félvezető testben (1) a bázistartomány (5) szennyezőjétől eltérő szennyezőanyaggal emittertartomá: 50 nyokat (2) és ezzel egyidejűleg ezek köré 10* 9/cm^ felületi koncentrációval gylirUalaku tartományokat hozunk létre diffúzió utján, majd ezután a félvezető testre (1) 1-10 jum vastagságú, a bázistartomány (5) szennyezettségével azonos szennyezett- ^5 ségü epitaxiális réteget (9), majd erre egy paszsziválóréteget (10) viszünk fel, majd ezt követő-1 rajz, 3 A kiadásért felel: a Közgazdasági éi leg az epitaxiális rétegen (9) gyUrüalaku felső határolótartományt (11) hozunk létre, amelynek szennyezője azemittertartománnyal (2)azonos szenynyezőanyag, és hogy ez utóbbi réteget az epitaxiális réteggel fedett gyUrüalaku határolótartományon (3) át olyan mélységig diffundálhatjuk be, amig ezek a tartományok egymással érintkeznek, és a bázistartományt (5) oldalirányban határolják, majd ezután a passziváló rétegben alkotott ablakokon (13) át a kollektortartományban (15) a kiinduló félveze* tő anyagtól eltérő villamos vezető réteg leválasztásával vezető réteget hozunk létre, amellyel a bázistartományt (5) teljes egészében, a határolótartományokat (3, 11) csak részben fedjük, és hogy ezáltal a bázistartományokat záró és a határolótartományokat (3, 11) ohmos átmenettel látjuk el. 6. Az 5. igénypont szerinti eljárás foganatositási módja, azzal jellemezve, hogy a kollektortartományokat (15) fémréteg leválasztásával hozzuk létre. 7. Az 5. igénypont szerinti eljárás foganatositási módja, azzal jellemezve, hogy a kollektortartományokat (15) egykristályos félvezető anyag heteroepitaxiális leválasztásával alkotjuk. 8. Az 5-7. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosításának módja, azzal jellemezve, hogy a kollektorréteg (15) leválasztása előtt az epitaxiális rétegbe (9) a kollektortartományban kimélyitést (14) maratunk. 9. Az 5-8. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosításának módja, azzal jellemezve, hogy a bázistartományok (5) kontaktustartományaiban (7) levő fedett emittertartományok (2) diffúzióját megelőzően vagy azt követően a bázistartomány (5) szennyező típusával azonos szennyezőanyaggal 10 vcrfl3 felületkoncentrációju diffúziót végzünk a félvezetőtestben (1). 10. Az 5-8. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatositási módja, azzal jellemezve, hogy az emitter (2) diffúzióval és a felső határoló tartomány (11) diffúziójával egyidejűleg járulékosan ellenállásokat (6) állitunk elő az epitaxiális rétegben (9), amelyeket az emitter-diffuzió által képzett szigetelőtartomány (4, 12) szigetel. 11. A 9. igénypont szerinti eljárás foganatosításának módja, azzal jellemezve, hogy a kontaktustartományokban (8) az ellenállásokat (6) a bázis -tartomány (5) szennyező anyagával azonos szenynyezőanyaggal 10 /cm^ felületi koncentrációjú diffúzióval alakítjuk ki a fedett emittertartományok (2) diffúzióját megelőzően vagy azt követően. ábra Jogi Könyvkiadó igazgatója 75-1104 - Dabasi Nyomda, Budapest — Dabas