164788. lajstromszámú szabadalom • Eljárás tetragonális módosulatú tantál réteg előállítására
3 164788 4 hőmérsékletet megközelítő hőmérsékletre kell hűteni, hogy az utólagos kémiai reakciókat elkerüljük. A találmányt a továbbiakban példa alapján ismertetjük, ahol 0-Ta vékonyréteg előállítása ömlesztett amorf kvarc hordozóra vákuumpárologtatással történik. 1. A hordozó tisztítása Az optikai minőségben előkészített, polírozott kvarc felületet detergensben tisztítjuk, majd csapvíz sugárban öblítjük. A kvarc hordozót kémiailag polírozzuk HF-t, HNOa -t, detergenst és desztillált vizet tartalmazó polirmaróban 3-szor öblítjük, kétszer desztillát vízben, utána öblítjük és szárítjuk centrifugás módszerrel. 2. A hordozó gáztalanítása A kémiai eljárással tisztított és foltmentesen száradt hordozót a vákuumrendszerben fűthető tartóba helyezzük és 700°C hőmérsékleten 1(H> torr nyomás mellett 30 percig gáztalam'tjuk. 3. A hordozó hőmérsékletét 400°C-ra csökkentjük. 4. A vákuumrendszert 99,9% tisztaságú H gázzal 10"* torr nyomáson 3x5 percig öblítjük. Az egyes öblítések közben a vákuumrendszert 10"^ torra szívjuk le. 5. A párologtató forrás gáztalanítása, eló'párologtatás A párologtatáshoz használt normál Ta (Metallwerk Plansee AG (Reutte, Ausztria) az alábbi szennyezéseket tartalmazza: Fe 1 p.p.m.: Cu 5 p.pjn.: Ti 10 p.p.m.: Ca 10 p.p.m. A párologtató forrás Unvala típusú elektronbombázással fűtő forrás. Katódja W-huzal, elektronárama 10 kV mellett 20 mA. Az eló'párologtatás időtartama a fenti forrásbeállítás mellett 2-5 perc. Az eló'párologtatás 10~6 torr nyomáson indul és H beeresztése nélkül történik. Az előpárologtatást addig végezzük, hogy az összenyomás az előpárologtatás végén elérje a 10~6 torrt. Az el-párologtatás alatt a hordozó felületét takaró védi. 6. A Ta-réteg felpárologtatása Az eló'párologtatás befejezése után tűszelepen keresztül H-t vezetünk a rendszerbe és 10"^ torr nyomást állítunk be a 10 15 20 25 30 Ta párologtatása közben. A hordozót fedő takarót nyitva megkezdődik a réteg kialakulása. A Ta párologtatásának sebessége 3 A/sec, az előállított réteg vastagsága 500 -1000 A. 7. A réteg lehűtése, lelevegőzése A réteget a vákuumrendszerben a rendszer szívása közben hűtjük le. Közben a H2 beeresztését megszüntetjük. A réteg lelevegó'zésére akkor kerül sor, ha hőmérséklete 80°C alá csökkent. A példában leírt eljárással előállított réteg kristályszerkezetét elektronmikroszkópos és elektrondiffrakciós módszerrel vizsgáltuk és az irodalomban rendelkezésre álló adatok alapján azt 0-módosulatúnak találtuk. SZABADALMI IGÉNYPONTOK 1. Eljárás tetragonális módosulatú tantál rétegnek vákuumkondenzációval történő előállítására, azzal jellemezve, hogy a vákuumkondenzációt 10"6 -10~3 torr parciális nyomású hidrogén atmoszférában végezzük, amikoris a tantállal szemben a vákuumkondenzáció közben aktív egyéb maradékgázok parciális nyomásai a hidrogén parciális nyomásánál legalább két nagyságrenddel kisebbek. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a vákuumkondenzáció során a tantál réteg hordozóját 30O-5OO°C hőmérsékleten tartjuk. 3. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy vákuumkondenzációként vákuumpárologtatást vagy katódporlasztást végzünk. 4. Az előző igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a tantál réteg vákuumkondenzációja előtt a vákuumtér aktív maradékgázai nyomásának csökkentésére, a hordozó letakarása mellett, 10"6 -10"-' torr nyomáson eló'kondenzációt - célszerűen előpárologtatást vagy clőporlasztást - végzünk. A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó Igazgatója 750077, OTH, Budapest
