163833. lajstromszámú szabadalom • PNP elrendezésű germánium epitaxiális planár tranzisztor és eljárás annak előállítására
5 163833 6 4. Eljárás az 1. vagy 3. igénypont szerinti PNP elrendezésű germánium epitaxiális planár tranzisztor előállítására, amely szerint epitaxiális réteg felületére első védő oxidréteget viszünk fel, abba kollektorablakot maratunk, ezen át diffúzió útján bázisréteget hozunk létre, majd második védő oxidréteget viszünk fel, abba emitterablakot maratunk, ezen át diffúzió útján emitterréteget hozunk létre, ezután felgőzölögtetéssel és maratással az emitterréteg és a bázisréteg kivezetését hozzuk létre, azzal jellemezve, hogy a második oxidréteg felvitele után a bázisréteg kivezetése (8) számára ablakot maratunk, ezen át a bázisrétegbe (4) diffundáltatással a bázisréteg vastagságánál nagyobb mélységig további n+ típusú réteget (7) hozunk létre, majd elkészítjük a bázisréteg (4) kivezetését (8), ezután emitterablakot (9) maratunk, felgó'zölögtetéssel és maratással elkészítjük az emitter kivezetését, majd ötvözéssel emitterátmenetet (11) hozunk létre. 5. A 4. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az emitter átmenetét (11) 5 C° (p-nél kisebb sebességgel ötvözzük. 1 db rajz A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 740454, OTH, Budapest
