163752. lajstromszámú szabadalom • Eljárás maszkok előállítására févezető eszköz gyártásánál
5 163752 6 tartalmazó, nagy tisztaságú oldószerben öblítünk és a lefuratássa! a kezelés be van fejezve. Az 5. ábra a kész SiOj -maszkot mutatja. Ha a maszkolást követő diffúzió után, amely -mint ismeretes zárt oxid-szilikát-réteget állít elő az Si-szubsztrátumon, további maszkot kell az ismertetett eljárás szerint előállítani, például egy másodszori diffúzió vagy kontaktusokkal való ellátás céljára, akkor természetesen az oxid-szilikát-réteget ismert módon a teljes felületről le kell maratni, mielőtt az új maszkot fel lehet vinni. \f elő/ő póldakenti ismertetésben 1 Si-szubsztrátumból indultunk ki, i találmány körét azonban ki lehel terjes/leni inas felvezető anyagokra, például germániumra, vagy A|||Bv-vegyületekre a szilícium helyett. Magától értetődik, hogy ezáltal nem tortént eltérés a találmány szerinti megoldás elvétől. Hasonlóképpen a találmány tárgya nem korlátozódik diffúziós maszkok előállítására, hanem ugyanilyen sikerrel alkalmazható olyan maszkok előállítására, amelyek ve/.etősávok és járulékos vezetősáv-síkok felvitelére szolgálnak. SZABADALMI IGÉNYPONTOK 1. hljárás maszk előállítására félvezető eszköz gyártásánál, maszkot alkotó rétegnek félvezető to 15 20 25 30 szubsztrátum felületére vagy pedig előzetes eljárási lépésekből eredő réteggel már fedett szubsztrátumra való felvitele útján, azzal jellemezve, hogy először egy lakk-anyagú maszkot (2) állítunk, elő, majd gázkisüléses katódporlasztással mind a lakk-anyagú maszkra (2), mind pedig a lakktól mentes felületre (5) Si02 réteget (3) viszünk fel, ezután a kisülés vezérlésével a lakk-maszkot (2) részlegesen elbontva, a Si02 réteg (3) lakk-anyagú maszk fölötti részeit (3') felszakítjuk és a kisülést megszüntetjük, és a szubsztrátumot (1) a lakk-anyagú maszkot (2) oldó oldószerrel például triklóretilénnel - a lakk-anyagú maszk (2) el nem bontott részeit megduzzasztjuk és az Si02 rétegnek (3) a lakk-maszk fölötti részeit (3') a széleken (4) megszakítjuk, majd ultrahangos besugárzás után a lakk-anyagú maszk (2) maradványaival együtt eltávolítjuk. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a szubsztrátumot (1) már az oldószerrel történő kezelése kezdetén ultrahanggal besugározzuk. 3. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a szubsztrátumra (1) SiOx (Kx<2) fajtájú vegyületet porlasztunk. 4. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a szubsztrátumra (1) sziliciumnitridet, vagy sziliciumnitrid tartalmú réteget porlasztunk. 1 rajz, 5 ábra A kiadásért felel: A Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 750241, OTH, Budapest
