162314. lajstromszámú szabadalom • Eljárás szilicium alapú diffuziós p-n átmenet előállítására

3 162314 4 megvédi a maródásoktól, melyeket a foszforpentoxid erős aktivitása idézhet elő. így a további hevítéssel - melynek eredményeképpen a szilícium lapkát 1300 C* környezetébe, előnyösen pl. 1250 vagy 1280 C*-ra, a forrásanyagot pedig 600 C* környezetébe hevítjük - beállíthatjuk a mostmár kielégítő intenzitású diffúziós folyamatot. SZA BAD A LMI IGÉNYPONT 1. Eljárás szilícium alapban diffúziós p-n átmenet előállítására, melynek során a szilicíum lapkán doppolt felületi 10 zónát foszfortartalmú forrásanyaggal végzett termikus diffúzió útján alakítjuk ki és így a felületi zónákon a diffundáltatás folyamatában foszforszilikát üvegbevonatot .hozunk létre, miközben a szilícium lapkát, illetve a forrásanyagként használt ortofoszforsavat a hevítési tér eltérő hőmérsékleti zónáiban helyezzük el, azzal jellemezve, hogy a zónákat olyan ütemben hevítjük, hogy amikor a forrásanyag 213 C* hőmérsékletű, akkor a szilícium lapka 1000 C* ± 50 C hőmérsékletű és amikor a sziliciumlapka 1300 C ± 50 C* hőmérsékletű, akkor a forrásanyag 600 C* ± 25 C*-os hőmérsékletű, majd a diffúziós folyamatot kellő ideig ismert módszerrel lefolytatjuk. A kiadásért felel: a Közgazdasági ás Jogi Könyvkiadó igazgatója 740090, OTH, Budapest