162278. lajstromszámú szabadalom • Eljárás félvezető testek és védőrétegeik mikroszkópikus hibáinak roncsolásmentes kimutatására
3 162278 4 kialakuló elektromos térben a szemcsék az oxidréteg illetőleg^ a félvezető test felé haladnak, arra leválnak, és töltésüket; leadva megtapadnak. Alkalmas dielektromos állandójú folyé kony dielektrikum és leválasztó feszültség mellett a fent felsorolt hibák mindegyike a villamos térelosztást úgy módosítja, hogy a töltött szemcsék leválása ezeken a helyeken történik meg. így a leválás után a hibák mikroszkóp alatt igen jól megfigyelhetők. A levált szigetelő szemcsék általában maradhatnak a felületen, zavaró hatásuk nincs, de szükség esetén megfelelően választott anyaggal kémiailag eltávolíthatók. Találmányunk szerinti eljárás egyik példaképpeni foganatosítási módja a következő. A folyékony dielektrikum transzportschutzlakk és aceton 1:10 arányú keveréke, a töltött -szemcsék 0,05-1 Mm átmérőjűek és ZnS, CdS, 1:1 arányú por keveréke, a lém legyverzet és a félveztö test távolság, vagyis a folyadék vastagsága 2 mm, az alkalmazott feszültség pozitív a fém elektródán és 20 V értékű egyenfeszültség. A félvezető Si egykristály volt, amelyet csak 10- 20 Ä vastag oxidréteg borított. A leválasztás során néhány perc alatt szépen megjelentek a mikroinhomogenitásoknak megfelelő vonalak. A vizsgálat eredményét utóbb elektrokémiai marással ellenőriztük. A marással kapott eredmények megegyeztek a találmány szerinti eljárás eredményével. A találmány szerinti eljárás egy másik példája a következő. A folyékony dielektrikum 6%-os kollódiumoldat és aceton 1:5 arányú keveréke. A töltéssel rendelkező por ZnS, 0,05- 2 Mm szemcsemérettartományban. A felvezető és fém elektróda távolsága 3 mm, amelyekre 25 V egyenfeszültséget kapcsolunk. A félvezető kristály GaAs egykristály, amelynek felületét kémiailag políroztuk. 5 perces leválasztás után a kristály felületén a szennyezési mikroinhomogenitások láthatóvá váltak. 10 SZA BA DA l.MI IG ÉN YPONTOK 1. Eljárás félvezető testek és/vagy ezek felületén létrehozott védőrétegek mikroszkopikus hibáinak roncsolásmentes kimutatására, azzal jellemezve, hogy a félvezető test 15 és vele nem érintkező fém fegyverzet közé villamosan töltött előnyösen 100 100 000 Angstrom szemcseátmérőjű szigetelő port tartalmazó, 100-nál nagyobb dielektromos állandójú szigetelő folyadékot töltünk, majd egyenfeszültségű áramforrásnak a szigetelő por töltésével ellentétes polaritású 20 sarkát a félvezető testhez, másik sarkát pedig a fegyverzethez kapcsoljuk. 2. Az 1. igénypont szerinti ehY ás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy szigetelő r_ írként ZnS és/vagy CdS port alkalmazunk. 25 3. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy szigetelő folyadékként célszerűen acctonnal hígított transportschutzlakkot alkalmazunk. A kiadásért felel: A Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó Igazgatója 740054, OTH Budapest
