161837. lajstromszámú szabadalom • Vezérlő rendszer villamos áramkörhöz

161837 7 romos vezetőből, előnyösen nagy olvadáspontu anyagból, mintpl. tantál, grafit, miobium, wolfram és molibdén. Ezek az elektródok kémiailag általá­ban viszonylag semlegesek a különböző félvezető anyagokkal szemben. Ezeket az elektródokat a fél- 5 vezető anyagból készült testekhez, vékony lapkák­hoz, rétegekhez vagy hártyákhoz bármilyen módon lehet rögziteni; igy lehet mechanikusan helyükre nyomni, helyükre forrasztani, felgőzölni, fémszó­rással vagy hasonló módon felvinni. Forditva, a 10 félvezetőanyagotislehet az elektródokra bevonás­sal, rágőzöléssel, vagy félvezető anyagok rászó­rásával felvinni. Ugy gondoljuk, hogy a memória és nem-memó­ria típusi eszközök általában amorf polimer-szerü 15 félvezető anyagainak jelentős, az áramhordozókat gátló centrumaik vannak (csapdák, rekombinációs centrumok, vagy hasonlók), ameíyek az áramhor­dozók (elektronok és/vagy lyukak) gyors ütemű rekombinációjáról gondoskodnak és egy aránylag 20 széles tiltott sávjuk van; továbbá, hogy az áram­hordozóknak bennük aránylag rövid átlagos szabad úthosszal rendelkeznek és a rekombináció ütemét befolyásoló nagy térbeli potenciál-ingadozásaik vannak, és az amorf szerkezet és az abban levő 25 áramhordozókat akadályozó centrumok miatt aránylag kevés szabad áramhordozójuk van, ami nagy ellenállást vagy áramzáró állapotot biztosit. Ugy gondoljuk, hogy a nem-memória tipusu eszkö­zök kristályos-szerű anyagainak nagy ellenállású, 30 vagy áramzáró állapotukban tetemes áramhordozó­kat akadályozó centrumaik (csapdák, rekombiná­ciós centrumok vagy ehhez hasonlók) vannak, ame­lyek az áramhordozók (elektronok és/vagy lyukak) gyors Utemü rekombinációját biztositják, hogy a 35 kristályos szerkezete következtében aránylag nagy átlagos szabad úthossz áll az áramhordozók ren­delkezésőre, minél fogva az áramhordozóknak aránylag nagy a mozgékonyságuk, de ennek elle­nére aránylag kicsi az áramhordozók száma az 40 abban levő áramhordozókat gátló centrumok, a benne, levő aránylag szóles tiltott sáv és a rekom­binációs ütemet befolyásoló nagy térbeli potenciál­ingadozások miatt, hogyigybiztositsaanagy ellen­állású vagy áramreteszelő állapotot. Továbbá ugy 45 gondoljuk, hogy az amorf tipusu félvezető anyagok­naka szokásos üzemi liőmérsékleten nagyobb ellen­állása, nagyobb nem-lineáris, negativ hőmérsék­let-ellenállás együtthatója, kisebb fajlagos hőve­zetési tényezője van és hogy az áramzáró állapotuk 50 és a vezető állapotuk között a villamos vezetőképes­ség jobban változik, mint a kristályos tipusu fél­vezető anyagoknál, és igy alkalmasabbak a talál­mány sokoldalú alkalmazására. Az anyagok, a méretek és az alakzatok megfelelő megválasztása- 55 val az áramkapcsoló eszközök záró ellenállásér­téke és küszöbfeszültsége előre meghatározható» Ha a 14, 19 áramkapcsoló eszközöket a 15 és 16 terhelőelektródokkal a 10 terhelőáramkörbe sorbakapcsoljuk, amely áramkörbe a 11 és 12 kap- 60 csókon változtatható egyenáramú feszültségforrást kapcsolunk, akkor a memória nélküli eszközök a 3. ábra feszültségáram jelleggörbéi szerint visel­kednek, a memóriával rendelkező eszközök pedig a 4. ábra feszültség-áram jelleggörbéi szerint 65 8 viselkednek. Feltételezve, hogy a 14, 19 eszközök záró állapotukban vannak, akkor amint az alkalma­zott feszültséget fokozatosan zérusról növeljük, ugy az áramsűrűség és tér a 15 és 16 elektródok között növekszik, az áramhordozók bevitelének üteme is növekszik. Ekkor az elektródok közötti félvezető test legalábbis 32 szaggatott vonalak menti részeinekvagyutjainak ellenállása csökken, amint azt a 3. és 4. ábrákon 35 görbével jelöltük. Ha az elektródokra adott feszültség az es'zköz küszöbfeszültségének megfelelő értékre nő, akkor az elektródok közű félvezető testnek legalább az emiitett részei vagy utjai (legalább egyetlen ut vagy vonal, vagy szál az elektródok között) lénye­gében azonnal átváltoznak kis ellenállású vagy vezető állapotba és áramvezetővé válnak. Ugy gon­doljuk, hogy az alkalmazott feszültség a félvezető testnek legalább emiitett részeit, vagy útjait "be­gyújtja", vagyátüti, vagy "kapcsolja". Az "átütés" lehet villamos, termikus, vagy mindkettő kombi­nációja, aholis a villamos tér, vagy feszültség által okozott villamos átütés szerepe nagyobb, ha az elektródok közti távolság kicsi, és a villamos tér vagy feszültség által okozott termikus átütés szerepe nagyobb, ha az elektródok közti távolság nagyobb. Az áramzáró állapotból a vezető állapotba történő átkapcsoláshoz szükséges "kapcsolási" idők rendkívül rövidek, lényegében pillanatsze­rüek. A félvezető test emiitett részeinek vagy útjainak pillanatszerű átkapcsolását nagy ellen­állású, vagy áramzáró állapotukból kisellenállásu vagy lényegében vezető állapotukba a 3. és 4. ábrák szaggatott 36 görbéi ábrázolják. A villamos átütés lehet az alkalmazott villamos tér vagy feszültség befolyása következtében gyor­san felszabaduló, lavina módjára sokszorozódó és vezető áramhordozók következménye, amely fe­szültséget külső téremisszió okozhat, - amint az áramhordozók beáramlását az elektródákról (azaz a negativ elektróda elektronokat visz be ós/vagy a pozitiv elektróda lyukakat visz be), vagy okoz­hatja belső téremisszió, mint pl. az áramgáüó centrumok - csapdákból, rekombinációs centru­mokból, vagy hasonlókriói származó lavinaszerű beáramlás, vagy becsapódási, vagy ütközési ioni­záció, vagy pedig valencia sávokról származó be­csapódási, vagy ütközési ionizáció, ami nagyon hasonló a gázkisülési csövekben előforduló átütés­hez. A lehetséges potenciálgátak magasságának vagy szélességének a csökkenése létrejöhet alagut­vagy ehhez hasonló hatás utján is. Ugy gondoljuk, hogy az átütésnél majd azután is, az áramhordo­zók beáramlásának üteme meghaladja az áramhor­dozókat gátló centrumok által létrehozott rekombi­náció ütemét, igy az hatásosan semlegesíti az áramhordozókat gátló centrumokat és szabad áramhordozókat biztosit a vezető állapot részére. Ugy gondoljuk, hogy átütésnél a kristályos tipusu anyagok kristályrácsában az atomok helyi organi­zációja és térbeli viszonyai, valamint az amorf tipusu anyagokban a helyi organizáció ős térbeli viszonyok az atom OK, vagy kis kristályokvagy lánc, vagy gyürü töredékek között olyanok, hogy az áramhordozóknak csak minimális számú rugalmat­lan ütközésre adjanak módot, ami lehetővé teszi 4

Next

/
Oldalképek
Tartalom