161626. lajstromszámú szabadalom • Eljárás nagyáramerősítési tényezőjű, nagyfrekvenciás si tranzisztorok előállítására

161626 6 SZABADALMI IGÉNYPONT Eljárás nagy áramerősítési tényezőjű, nagy-frekvenciás szilícium tranzisztorok előállítására planár technológiával, amelynél a bázisablakkal ellátott Si lemezre B-t párologtatunk és az így felvitt szennyező két szakaszban diffundáltatjuk a Si lemezbe, jellemezve, hogy az első szakaszban erősen oxidáló atmoszférában, vagy 50 l/ó sebességű nedves oxigénben, vagy tiszta vízgőzben, 1000 C°-on előnyösen a kívánt mélység 1/6-ig, célszerűen 0,5 M mélységig a B-t bediffundál tatjuk. 10 ezután - az ismert fotoreziszt etjárátsaJ - emitter ablakot nyitunk az előző műveleti szakaszban kialakult SiO, rétegben majd adott esetben előnyösen a nyitott emitter ablak területén a Si réteg felületr rétegéből bizonyos vastagságot előnyösen 0,05-0,1 M-t eltarotttunk, és a diffúziót a második szakaszban az első szakaszban alkalmazottnál nagyobb hőmérsékleten, előnyösen 1150-1200 C°-on, közömbös -célszerűen N, vagy Ar - atmoszférában a kívánt mélységig, célszerűen 3 n mélységig folytatjuk, ezután valamely ismert P diffúziós módszernél az NPN struktúrát kialakítjuk. 2 db rajz A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 730296. OTH, Budapest