161508. lajstromszámú szabadalom • Eljárás bipoláris tranzisztorokat tartalmazó integrált félvezető elrendezések előállítására
161508 6 infravörös átmenő fényű mikroszkóp segítségével végezzük. Az elkészített struktúrát a 4. ábra szemlélteti. Az 5. ábra mutatja a hozzá tartozó villamos kapcsolási elrendezést. A találmány szerinti eljárással npn- és/vagy pnp-típusú tranzisztoros integrált félvezető elrendezések állíthatók elő, amelynek felületszükséglete fele vagy negyede az ismert eljárással, összehasonlítható tűrések mellett előállított bipoláris tranzisztorokéhoz képest. Emellett kisméretű bázis- és kollektorvezeték-ellenállások adódnak és kisértékű parazita kapacitások. Azáltal, hogy az érintkeztetés két oldalról történik, rövid vezetékek adódnak. Az eljárás lehetővé teszi, hogy olyan tranzisztor konstrukciókat is kialakítsunk, amelyeket inverz üzemben (az emitter és a kollektor felcserélése esetén) kedvezően lehet alkalmazni. Ha komplementer tranzisztorokat tartalmazó félvezető elrendezésről van szó, az npn- és pnptípusú tranzisztorok egymástól nagymértékben függetlenül méretezhetők. Azáltal, hogy az eljárást többszörösen alkalmazzuk, többsíkos elrendezésű integrált félvezetők állíthatók elő. Szabadalmi igénypontok: 1. Eljárás bipoláris tranzisztorokat tartalmazó integrált félvezető elrendezések előállítására, amelynél először egykristály félvezető testben szennyezett tartományokat állítunk elő diffúziós és epitaxiális technikával és ezekhez az egykristály félvezető test felső oldalán galvanikusan fémes vezetőrétegeket csatlakoztatunk és ezen félvezető testet egy tartótesttel kötjük öszsze, amely már más alkatelemeket tartalmazhat, majd a félvezető test alsó oldaláról az alkatelemek alsó tartományának szabaddá tételéig az anyagot eltávolítjuk és ezen az oldalon passziváló réteg felvitele után ismét érintkezést biztosítunk, azzal jellemezve, hogy n-típusú egykristály félvezető testbe (1) gyűrűalakú p-típusú tartományokat (4) és egy másik helyen pnp-típusú tranzisztorok p-típusú kollektortartományait (5) diffundáltatjuk és ezek köré egyidejűleg távközzel p-típusú szigetelőgyűrűk kollektoroldali tartományait (6) diffundáltatjuk, majd ezt követően n-típusú epitaxiális réteget (8) viszünk fel és ebbe az említett dif fundál tátott tartományokat kidiffundáltatjuk, majd ezt követően ebbe az epitaxiális rétegbe (8) az eltemetett gyűrűalakú p-típusú tartományok (4) fölött az npn-típusú tranzisztorok p-típusú bázistartományait (10) oly mélyen bediffundáltatjuk, 5 hogy ezen tartományok között összeköttetést létesítünk és ilyen módon a bázistartományok (10) alatt csapalakú n-típusú kollektortartományokat (21) hozunk létre és a p-típusú bázistartományokkal (10) egyidejűleg a p-típusú szigetelőit) gyűrűk emitteroldali tartományát (11) állítjuk elő úgy, hogy a pnp-típusú tranzisztorok oldalirányban szigetelt n-típusú bázistartományai (7) a p-típusú szigetelőgyűrűkön (6, 11) belül keletkeznek, majd ezután a p-típusú bázistarto-15 mányokban (10) n+ -típusú emittereket (12) és az n-típusú bázistartományokban (7) p+-típusú emittereket (14) állítunk elő diffúzió útján. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítás! módja, azzal jellemezve, hogy az n-20 típusú kollektortartományokban (21) és egyidejűleg az n-típusú bázistartományok (7) kollektoroldalán eltemetett n+ -típusú diffúziós tartományokat (3; 2) állítunk elő. 3. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás fo-25 ganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az eltemetett p-típusú tartományokkal (4, 5, 6) vagy/és a p-típusú bázistartományokkal (10) egyidejűleg dif fundál tátott ellenállásokat állítunk elő. 30 4. Az 1.—3. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jelleme zv e, hogy a két sík vezetőréteg (18, 24) között a galvanikus összeköttetést az eltemetett p-típusú tartományokkal (4, 5, 6) és a p-típusú bázistar-35 tományokkal (10) egyidejűleg állítjuk elő. 5. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az n+-típusú emittertartományokkal (12) egyidejűleg emitteroldali n+ -típusú bázisérintkező-40 tartományokat (13) és a p+ -tipusú-emittertartományokkal (14) egyidejűleg emitteroldali p+ -típusú bázisérintkező-tartományokat (15) is diffundáltatunk. 6. Az 1.—3. igénypontok bármelyike szerinti 45 eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a kivitel sorrendjében a p+ - és az n + típusú emitter diffúziók sorrendjét felcseréljük. 7. Az 1.—6. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal j eile me z-50 ve, hogy az n- és p-típusú szennyezéseket egymással felcseréljük. 2 rajz, 5 ábra A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója. 73-2816 Pécsi Szikra Nyomda — F. v.: Melles Rezső 3
