161508. lajstromszámú szabadalom • Eljárás bipoláris tranzisztorokat tartalmazó integrált félvezető elrendezések előállítására

MAGYAR NÉPKÖZTÁRSASÁG ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL SZABADALMI LEÍRÁS SZOLGÁLATI TALÁLMÁNY Bejelentés napja: 1970. XII. 2. (MO—783) Német Demokratikus Köztársaság-beli elsőbbsége: 1969. XII. 4. (WP 21 g 144111 sz.) Közzététel napja: 1972. IV. 28. Megjelent: 1973. XI. 30. 161508 Nemzetközi osztály: H 01 1 19/00 iiswiär J Feltaláló: Jorke Günter oki. mérnök Dresden, Német Demokratikus Köztársaság Tulajdonos: Arbeitsstelle für Molekularelektronik, Dresden, Néímet Demokratikus Köztársaság Eljárás bipoláris tranzisztorokat tartalmazó integrált félvezető előállításra A találmány tárgya eljárás bipoláris tranzisztorokat tartalmazó integrált félvezető elrendezések előállítására, amelyek különösen nagy kapcsolási sebességű elrendezésekben alkalmazhatók tömör felépítés mellett. Javasoltak már eljárásokat, amelyeknél az alkatelemek tartományait egykristály félvezető testen belül diffúziós és epitaxiális technikával állítják elő és amelyeknek felső oldalára fémvezetőket csatlakoztatnak és a félvezető testet egy tartóval kötik össze, majd a félvezető test alsó részén az alkatelem alsó tartományainak szabaddá tételéig az anyagot eltávolítják; ezáltal szigetelt kollektor tartományok keletkeznek a tranzisztor bázistartományain belül és ezekhez ezen az oldalon képezik ki az érintkezéseket. Ezek az eljárások az eddig ismert eljárásokkal szemben azáltal tűnnek ki, hogy a velük gyártott tranzisztoroknak kisebb geometriai méretei és kedvezőbb villamos kapcsolási tulajdonságaik vannak, valamint azáltal, hogy az alkatelemek több síkban rendezhetők el. Ezen eljárások egyikénél harangalakú bázistartományt képeznek gyűrűalakú mély aknaszerű diffúzió útján, majd ezt követő lapos diffúzió segítségével, és ebbe diffundáltatják az emittert. 10 15 20 25 30 A kollektor azáltal keletkezik, hogy a megmaradó alap-félvezető anyag egy részét eltávolítják. Emellett igen kis méretű tranzisztorok megvalósításához a mély aknaszerű diffúzió közben előálló oldalirányú kidiffundálás következtében igen kis rétegvastagságokat szabad csak alkal-^ mázni az alkatelemeket tartalmazó félvezető rétegnél. Ennek következtében a félvezető réteg eltávolításánál a megengedett tűrések igen szigorúak. Célunk, hogy a találmány tárgyával olyan integrált félvezető elrendezéseket állítsunk elő npn — és/vagy pnp — tranzisztorokkal, amelyeknek geometriai méretei igen kicsik, villamos kapcsolási tulajdonságaik kedvezőek és amelyek egy vagy több síkban rendezhetők el. Feladatul tűztük ki, hogy olyan eljárást dolgozzunk ki bipoláris tranzisztorokat tartalmazó integrált félvezető elrendezések előállítására, amelyek nagy kapcsolási sebességük mellett tömör felépítésűek és olyan tranzisztor geometria megvalósítását teszik lehetővé, amelynél a teljes nagyságot csak a bázisnak a működéshez szükséges nagysága határozza meg. Emellett az alkatelemeket tartalmazó félvezető rétegeknél viszonylag nagy vastagságok legyenek megengedhetőek. Komplementer tranzisztorok előállításánál el kell kerülni, hogy az 161508