161065. lajstromszámú szabadalom • Eljárás és berendezés információ tárolására és vissanyerésére

25 161065 26 információ visszanyerő szerve a réteg kiválasztott diszkrét részének az első normál állapothoz viszonyított detektáló szerv. (Elsőbbsége: 1968. augusztus 22.) 23. A 22. igénypont szerinti berendezés kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a réteggel energiát közlő, a réteg kiválasztott diszkrét részeinek állapotát normál állapotba hozó, a rétegben tárolt információt törlő eszköze' van. (Elsőbbsége: 1968. augusztus 22.) 24. Az 1. vagy 3. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja információ tárolására és viszszanyerésére, azzal jellemezve, hogy olyan emlékező félvezető anyagból levő réteget alkalmazunk, amely réteg részeinek struktúrája változó mennyiségű energia pillanatnyi alkalmazásának 'hatására progresszíven és reverzibilisen változtatható két állapot között, amelyek közül az egyik nagy villamos ellenállású stabil atomstruktúrájú állapot, amely lényegileg rendezetlen és általánosan amorf, helyileg rendezett elszigetelt kötésű körzetekkel, amelyeknek elektromágneses energia hatásának kitett állapotban detektálható jellemzőjük van és a másik stabil atomstruktúrájú állapot kis villamos ellenállású állapot, amelyben legalább egy másik helyileg rendezett körzete, vagy lokalizált kötése és egy másik, elektromágneses energia hatásának kitett állapotban detektálható jellemzője van, úgy hogy villamos ellenállása és detektálható jellemzője stabilan szabályozható, míg a rétegnek legalább egy része kezdetben referencia villamos ellenállás állapotban van és meghatározott mennyiségű energiát közlünk ezen rétegrésszel és ezen rétegrész állapotát a referencia villamos ellenállás állapotából egy másik villamos ellenállás állapotúra változtatjuk és ezáltal információkat tárolunk ezen a réteg részben, majd a rétegben tárolt információ visszanyerésére ezen réteg rész megváltozott állapotát detektáljuk azáltal, hogy elektromágneses energiát közlünk ezen réteg résszel és érzékeljük a réteg résznek az elektromágneses energiára gyakorolt hatását. (Elsőbbsége: 1969. január 15.) 25. A 24. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a detektálásnál érzékeljük a rétegrészen áthaladó elektromágneses energia mennyiségét. (Elsőbbsége: 1969. január 15.) 26. A 24. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a detektálást oly módon végezzük, hogy elektromágneses energiasugarat vezetünk egy szög alatt a réteg részen keresztül és érzékeljük azt az értéket, amellyel a rétegrész az elektromágneses energiát eltérítette. (Elsőbbsége: 1969. január 15.) 27. A 24. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a detektálást oly módon végezzük, hogy érzékeljük azt a mértéket, amellyel a rétegrész az elektromágneses energiát reflektálja. (Elsőbbsége: 1969. január 15.) 28. A 24. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy érzékeljük azt a fokot, amellyel a rétegrész az elektromágneses energiát szétszórja. (Elsőbbsége: 1969. január 15.) 29. A 24. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az emlékező félvezető anyagból levő rétegrészként struktúráját folyamatosan változtatható anyagot alkalmazunk, amely több különböző, viszonylag alacsony villamos ellenállású állapota bármelyikéből stabilan több különböző, viszonylag nagy villamos ellenállású állapot bármelyikébe hozható azáltal, hogy egy első hullámforma-típusú változó energia tartalmú energiát közlünk a rétegrésszel és az emlékező félvezető anyagból levő rétegrész stabilan folyamatosan változtatható ezen különböző viszonylag kis villamos ellenállású állapot bármelyikébe azáltal, hogy egy második hullámforma-típusú változó energiatartalmú energiát közlünk vele és a különböző hullámforma-típusú energiákat szekvenciálisan közöljük az emlékező félvezető anyagból levő rétegrészekkel. (Elsőbbsége: 1969. január 15.) 30. A 29. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az eíső hullámforma-típusú energiaként legalább egy rövid — például mikromásodperc nagyságrendű — energia impulzust alkalmazzuk, míg második hullámforma-típusú energiaként legalább egy viszonylag hosszú — például több millimásodperc nagyságrendű — időtartamú energia közlést végzünk. (Elsőbbsége: 1969. január 15.) 31. A 24. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az emlékező félvezető anyagból levő rétegrész struktúráját stabilan változtathatjuk egy referencia villamos ellenállás állapotból tetszőleges számú különböző villamos ellenállás állapotba azáltal, hogy első hullámforma-típusú vátozó energia tartalmú energiát közlünk vele, és az emlékező félvezető anyagból levő rétegrész struktúráját stabilan változtathatjuk vissza ezen különböző villamos ellenállás állapotaiból a referencia szintű villamos ellenállás állapotaiból a referencia szintű villamos ellenállás álapotába azátal, hogy második hulámforma-típusú adott energia tartalmú energiát közlünk vele és az energia közlést oly módon végezzük, hogy különböző hullámforma-típusú energiákat szekvenciálisan közlünk ezen rétegrésszel és ezáltal villamos ellenállását az említett villamos ellenállás állapotok között változtatjuk. (Elsőbbsége: 1969. január 15.) 32. Az 1. vagy 3. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja információk tárolására és visszanyerésére, azzal jellemezve, hogy olyan emlékező félvezető anyagból levő réteget alkalmazunk, amelynek diszkrét részei vannak, amelyek váltakozó mennyiségű pillanatnyi energia közlés hatására struktúrájukat progresszíven és reverzálhatóan változtatják két állapot között, amelynek egyike egy stabil atomstruktúrájú villamoson nagy ellenállású állapot, amely lényegileg rendezetlen és általánosan amorf, he-10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 13