160950. lajstromszámú szabadalom • Monolitikus integrált áramkör

5 3. A diffúzió ellen védő réteg eltávolítása, majd a szükséges tisztítási műveletek után a 12 felületen az önmagában ismert eljárásokkal kialakítjuk az ugyancsak II. vezetési típusú epitaxiális réteget — 5. ábra 16. a konstrukciónak megfelelő vastagságban, mely általában 4—16 /t tartományban van, célszerűen 8—12 ,". Ennél a műveletnél a 17 rejtett réteg kiszélesedik és behatol az epitaxiális rétegbe. 4. Az epitaxiális IS réteg felületét a sülylyesztések felett a marás ellen védő bevonattal lészlegesen letakarjuk, majd a réteget a le nem takart felületekein ellenőrzött vastagságig — mely a szokásos szilícium alapanyag és szokásos tranzisztor geometria méretek esetén célszerűen 2—3 /* — lemarjuk. (6. ábra.) így kialakulnak a leírásnál említett 19 asztalok. Szilícium esetében a marás elleni takaráshoz — hasonlóan az 1. pontban leírtakhoz — alkalmas a felületen létrehozott oxidréteg. A takarás ábrájához célszerűen a süllyesztések kijelölésére szolgáló maszk használható oly módon, hogy pl. az 1. műveleti csoportnál pozitív fotoreziszt, a 4. műveletcsapartoál pedig negatív fotoreziszt alkalmazásával másoljuk át az oxidrétegre, vagy fordítva. 5. Marás és a szükséges tisztítások után az egész szelet felületén létrehozzuk a planáris technológiához szükséges diffúzió-védő réteget — pl. szilícium esetén a szokásos oxidréteget —, majd a planáris technológia önmagában ismert műveleti rendszere szerint kialakítjuk az asztalokon az áraimkörök aktiv és/vagy passzív elemeit. A találmány szerint felépített áramkörök tervezésénél ügyelni kell arra, hogy az összes geometriailag kritikus elem kiemelt, asztal felületre kerüljön, mivel ez a fotoreziszttel végzett pontos mérettartáshoz szükséges. Ez a szempont elektronsugaras megmunkálásnál nem jön számításba. A tranzisztorok kollektor-kontaktus tartományát az asztal és a marással elvékonyított epitaxiális réteg határára célszerű elhelyezni, mivel ott közvetlenül csatlakozhat a felületen vagy közvetlen alatta elhelyezkedő rejtett réteghez, ami jelentősen javítja a fögnzisztorok karakterisztikáját. Az epitaxiális réteg elvékonyítását a szigetelés diffúziós tartományok helyén és környezetében célszerű olyan mértékűre beállítani, hogy a szigetelés diffúziója a tranzisztorok bázisával egyidejűleg végezhető légyen. A mérettűrés problémáit megkönnyíti az, hogy a teljes elszigetelés biztosításához nem szükséges a szigetelés diffúziós zónával .az epitaxiális réteget tel.jesen átmetszeni, csak az epitaxiális réteg-hordozó és az epitaxiális réteg-szigetelés-diffúziós tartomány határokon kialakuló pn átmenetek tértöltés tartományainak kell egymáshoz csatlakozniuk. Ez a szokásos paraméterek esetéber, kb. ± 0.5 t* tűrést enged meg a konstrukcióban előírt bázismélység körül. Olyan áramkörök 6 esetében, melyeknél nincs igény nagyobb zá-* rófeszültségekre, valamint az elemek geometriája vékonyabb epitaxiális rétegben elhelyezhető, a találmány szerinti felépítés olyan mó-5 don is megvalósiítható, hogy a kiindulási epitaxiális réteget az áramköri elemek számára készített lesüllyesztéseken kívül eső tartományokról teljesen eltávolítják, így a szigetelésdiffúzió feleslegessé válik, és elhagyható. Szabadalmi igénypontok: 15 1. Monolitikus integrált áramkör, mely egy I vezetési típusú hordozón létrehozott II vezetési típusú epitaxiális rétegben az önmagában ismert planáris technológiával kialakított aktív és passzív elemeket tartalmaz, és az epi-20 taxiális réteget I vezetési típusú diffúziós zónák metszik keresztül és osztják szét egymástól elszigetelt az aktív, illetőleg passzív alkatrészeket tartalmazó tartományokká, azzal jellemezve, hogy az epitaxiális réteg vastagsága nem 25 egyenletes a hordozó teljes felületén, hanem az áramköri elemeket tartalmazó tartományokban vastagabb, a kiindulási epitaxiális réteggel azonos vastagságú, míg a réteget átmetsző szigetelés-diffúziós zónák helyén és környezetében 30 el van vékonyítva. 2. Az 1. igénypont szerinti felépítésű monolitikus integrált áraimkör kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy az epitaxiális réteg vastagabb, 35 áramköri elemeket tartalmazó tartományainak külső felületei az epitaxiális réteg elvékonyított körülvevő tartományaiból asztalszerűen kiemelkednek. 40 3. Az 1. igénypont szerinti felépítésű monolitikus integrált áramkör kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy az epitaxiális réteg vastagabb, áramköri elemeket tartalmazó tartományai a hordozóhoz csatlakozó felületénél a hordozóba 45 a környezetükhöz viszonyítva be vannak sülylyesztve. 4, Az 1, igfeypont szerinti felépítésű monolitikus integrált áramkör kiviteli alakja, azzal 50 jellemezve, hogy az epitaxiális réteg vastagabb áramköri elemeket tartalmazó tartományai a hordozóhoz csatlakozó felületeknél a hordozóba, környezetükhöz viszonyítva be vannak süllyesztve, és ezzel egyidejűleg külső felületeik a kör-55 nyező elvékonyított tartományokból asztalsze rűen kiemelkednek. 5. A 4. igénypont szerinti felépítésű monolitikus integrált áramkör kiviteli alakja, azzal jel-60 lemezve, hogy az epitaxiális réteg vastagabb a hordozóba besüllyesztett tartományai alatt, a hordozó és az epitaxiális réteg határfelületén diffúzióval előállított rejtett réteg van, mely rejtett réteg, (17) a süllyesztés határfelületét kö-65 veti, egészen annak pereméig, ahol már az epi-3