160612. lajstromszámú szabadalom • Eljárás nagytisztaságú szilicium előállítására

160612 elvételt. Ekkor a kiindulási elegy megmaradó 75P/o-ában a bórtriklorid a betáplált koncentrációhoz képest kb. 2—3 X 103-szeresére hígul. Ezt a visszamaradt elegyet használjuk R = 5 reflux arány mellett a redukcióhoz felhasznált tritklórszilán-fsziliciumtetraklomd előállítására. 4. példa: 10 Az 1. példában bemutatott rendszer felhasználásával a VIII redukciós térbe elektromos csatlakozási pontokra szerelt szilíciumhordozó testeket tisztított hidrogénatmoszférában nagyfeszültség segítségével felizzítjuk minimum 800 15 °C-ra, majd szabályozott üzemi feszültséggel a felületi hőmérsékletet 1100 °C-ra emeljük. Ezután a hidrogén 3—5-szörös feleslegét biztosítva a VIII redukciós térbe vezetünk a 3-as példában bemutatott elegyből ledesztillált triklórsailán-szilitiumtetraklorid elegyet, míg nagymolekulájú száliciumklorid polimerek a redukciós tér vízhűtésű falán vékony filmréteget létre nem hoznak. Ezután a klórszilánok adagolását befejezve 10 térfogatszázaléknyi sósavtartalmú hidrogénatmoszféráiban néhány perces izzítás után fényes, sima és tiszta felületű sziliciumhordozókat állítunk elő. Ezt követően 2 térfogatszázaléknyi sósavat és 6 térfogatszázaléknyi az előbbiekben már használt triklórszilán-'sziliciumtetraklorid elegyet tartalmazó hidrogént 2000 l/h áramlási sebességgel vezetünk a VIII redukciós téren keresztül. Ezzel kb. 40—50 gr/h szilieiumkiválási sebesség mellett a felhasznált szilicium vegyületek szdliciumtartairnára vonatkoztatva 35—40%-cs szilicium kitermelést érünk el rendkívül nagyfokú tisztaságot biztosítva. 20 25 30 35 Szabadalmi igénypont: Eljárás félvezető célra alkalmas nagytisztaságú szilicium előállítására triklórszilán — tetraklórszüMn felhasználásával, melynél mikrokristályos állapotú pálca alakú szilicium hordozó testet elektromos csatlakozási pontokra szerelünk és 1000—1200 °C-ra hevítünk, e rendszerbe deísztniációval tisztított (I, II, III, IV, V) szilicium halagenidekiből, szárító — és oxigénmentesítő rendszerrel (IX) oxigénben és egyéb szennyezőkben már minimum 1 ppm értékre tisztított hidrogénből és sósavból álló gázelegyet vezetünk, a redukciós tér (VIII) nikkel, vagy nikkel tartalmú ötvözetből készült falán nagymolekulájú sziliciumklorid polimer filmet hozunk létre, majd ezt követően a hordozók felületét a polimer-fáim képzése alatt az ott képződött szilicium filmtől sósavgázzal megtisztítjuk, azzal jellemezve, hogy a tisztított hidrogén vivőgázt szilicium zúzalékkal töltött, 200—900 °C hőmérsékletű tisztítótereken (X, XI) vezetjük keresztül, — a tisztítótereket a redukciós térből távozó (VIII) nagy sósav tartalmú véggázzal váltakozva regeneráljuk, amikoris mialatt az egyik tisztítótéren a hidrogén vivőgázt vezetjük át, a másik tisztítótteret 500— 1300 °C-ra hevítjük és a véggáz egy részét 10— 20 percen át e téren keresztül áramoltatjuk — majd a tisztított hidrogén vivőgáziba, 0,1—0,6 móltörtű szilicdumtetrakloridot tartalmazó triklórszilán rektifikálásával tisztított triklórszilánt vezetünk, s az előállított, triklórszilánból, tetraklórsziláraból és hidrogénből álló elegyet a reakciós térbe vezetjük és a hordozót 0,1 ppb, vagy kisebb bórtartalmú szilicium lerakódással Önmagában ismert módon növeljük. 1 db rajz A kiadásért felei: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója. 7307427. Zrínyi (T) Nyomda, Budapest V., Balassi Bálint utca 21—23. 3