160296. lajstromszámú szabadalom • Eljárás NPN ötvözött germánium tranzisztor előállítására

160296 mennyiség kb. 5—5 mikron). Ezután a bázislemezre a felforrasztást 1% indium tartalmú ón forraszanyaggal végezzük 240—300 C° közötti hőmérsékleten. Szabadalmi igénypontok: Eljárás germánium ötvözött NPN tranzisztor előállítására, azzal jellemezve, hogy az 1—20% antimon tartalmú ólom, előnyösen ólom-antimon 6 10 eutektikus, ötvözetből álló emitter és kollektor elektródát 730 C° hőmérséklet felett, előnyösen 770—790 C° között beötvözzük, majd a germánium lapka felületén, a kollektor és az emitter elektródon kívül kialakult N típusú diffúziós réteget kémiai maratással, az emitter elektróda beötvözési mélységének legfeljebb egyharmadáig, vagy legfeljebb 10 mikron mélységig eltávolítjuk, továbbá, hogy az ismert összetételű Ga vagy In tartalmú báziselektródát ráforrasztjuk. A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója. 7307077. Zrínyi (T) Nyomda, Budapest V., Balassi Bálint utca 21—23. 3