159761. lajstromszámú szabadalom • Eljárás vékonyréteg-áramkör előállítására
159761 nikkel-króm ellenállásréteg felvitele. Ettől függetlenül, az érintkezőifelületekkei és a vezetékpályákkal egyidejűleg felviszünk egy vas-nikkel fedőelektródát oly módon, hogy az a dielektrikumot átlapolja. 5 A találmány szerint mármost az alapelektródának a dielektrikummal nem borított részét vas-nikkel érintkezőfelülettel fedjük le. Az alapelektródát célszerűen a vas-nikkel fedő- 10 elektróda, az érántkezőfelületeket és a vezetékpályák felvitele előtt 150—500 C° hőmérsékleten, oxidáló atmoszférában temperáljuk. Célszerű továbbá a dielektrikumot reaktív úton felvinni. Az érintkező-felületet továbbá előnyö- 15 sen úgy visszük fel az alapelektródára, hogy a dielektrikumot átlapoljuk. A találmány előnye főként az, hogy minimális számú művelettel olyan kondenzátort 20 tartalmazó vékonyréteg-áramkört tudunk előállítani, amely 105 Hertznél nagyobb frekvenciákon is használihiató. Ilyen módon alumínium elektródák alkalmazásakor a dielektrikum reaktív felgőzölögtetése rendkívül gazdaságos 25 műveletben történik, ezenkívül az alkalmazott elektródaanyag lehetővé teszi a kondenzátorrétegek temperálását is. Annak következtében, hogy a vas-nikkel ellenelektródát az érintkezőrétegekkel és vezetékpályákkal együtt visszük ?0 fel, a műveletek számát a lehető legkisebbre csökkentjük. További előny az, hogy a felvitt vas-nikkel érintkezöfelületek lehetővé teszik a vékonyréteg áramkör kontaktusképzését merítő ónozással. A forrasztófürdőnek alumínium- 35 elektródák használatakor fellépő, ismert elszennyeződését az akadályozza meg, hogy az alapelektródát az S:iO„ dielektrikumréteg, vagy pedig a vas-nikkel kontaktréteg fedi. Minthogy a merítőforrasztásnál a vas-imkkel fedőelektrő- 40 dát az ón teljesen befedi, a vas-nikkel elektróda felületi ellenállása hasonló nagyságrendű, mint az alumíniumelektíódáé. A rajz a találmányt két kiviteli példa kap- 4s csán közelebbről világítja meg. Az 1. ábra a vékonyréteg-áramkör felülnézete üveglapon. A 2. ábra az 1. ábra I—I vonalán vett metszet. 50 Az 1 üveglapra először a 2 alumínium alapelektródát, majd erre az SiOn anyagú 3 dieleki- 55 rikumot reaktív rágőzölögtetessél visszük fel. A 3 dielektrikum reaktív rágőzölögtetése oxigénatmoszférában oly módon történik, hogy a 3 dielektrikum a 2 alapelektródát csak részben fedje be. Ezután következik az 1 alap tempe- ^ rálása a felgőzölögtetett 2 és 3 réteggel együtt, 150^—500 C° hőmérsékleten, ami után, szükség esetén a 7 nikkelkróm ellenállásréteget visszük fel. A következő műveletben a vas-nikkel anyagú 4 fedőelektródával egyidejűleg a 6 vezeték- g5 pályákat és az 5 érintkezőfelületeket gőzölögtetjük rá. Ezáltal a 2 alumíniumelektródának a 3 dielektrikumtól szabadon hagyott részét a merítéssel ónozlható 5 vas-nikkel érintkezőfelülettel vonjuk be. A rágőzölögtetett vas^nikkel ötvözet 50% vasból és 50% nikkelből állt, mely arány megközelítő értékű. Ezután következik a merítő ónozás, melynek következtében az 5 érintkezőfelületek, a 6 vezetékpályák és a 4 vas-nikkel fedőeléktródfa ónbevonatot kapnak. A vékonyréteg áramkör minden egyéb olyan felületrészét, amelyet nem kell ónozni, ismert védőréteggel vonjuk be. A találmány egyik további változata különösen olyan passzív vékonyréteg-^áramkörök előállítására alkalmas, amelyek kapacitásának és veszteségtényezőjének, frekvenciafüggősége iránt 105 Hertznél nagyobb frekvenciákon csak csekély követelményeket támasztunk. Itt a 2 alumínium-alapelektróda helyett az 1 alapra vas-nikkel alapelektródát gőzölögtetünk. Az alapelektródára 3 TiOn -dielektrikumot reaktív úton ügy viszünk fel, hogy az a 2 vas-nikkel alapeléktrődát csak részben fedje le. A 2 vasnikkel alapelektróda csupasz felületén ilyenkor oxidréteg jön létre. Ezután gőzölögtetjük rá a 7 krómnikkel ellíenállásréteget. Végül egyszerre visszük fel a 4 vas-nikkel fedőelektródát, 6 vezetékpályákat és 5 érintkezőifelületeket. Ennek következtében a 2 vas-nikkel alapelektródának a 3 TiOn^dielektrikummal nem fedett, de oxidréteggel borított részét ugyancsák vas és nikkel borítja be. Ez a réteg érintkezőrétegként szerepel, és merítéssel forrasztíható. Ezután a vékonyréteg-áramkört az 1. példához hasonló módon merítéssel ónozzuk. Szabadalmi igénypontok: 1. Eljárás vékonyréteg-áramkör előállítására, melynek során sík szigetelő hordozótestre (1) alumínium vagy vas-nikkel ötvözetű alapelektródát i(2) viszünk fel, ezt részben SiO„ vagy TiOn anyagú dielektrikummal (3) fedjük be, ezután szükség esetén a hordozótesten (1) nikkel-króm ellenállásréteget (7) képezünk, végül érintkezőfelületekkel (5) és vezetékpályákkal (6) egyidejűleg vas-nikkel ötvözetű fedőelektródát (4) úgy viszünk fel a hordozótestre (1), hogy az a dielektrikumot (3) átlapolja, azzal jellemezve, hogy az alapelektródának .(i2) dielektrikummal (3) nem fedett részét vas-nikkel érintkezőfelülettel (5) fedjük be. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a dielektrikummal (3) fedett alapelektródát {2) a vasnikkel ötvözetű fedőelektródának (4), az érintkezőfelületeknek (5) és a vezetékpályáknak (6) felvitele előtt 150—500 C° hőmérsékleten, oxidáló atmoszférában temperáljuk. 3. A 2. igénypont szerinti eljárás foganato-1
