159676. lajstromszámú szabadalom • Vékonyréteg mágneses tár
3 159676 4 egymaga látja el. A hengeres vékonyréteg tárak konstrukciója olyan, hogy a szóvezetékek az általuk körülszövött bitvezetékkel egy síkot alkotnak (TOKO rendszer) vagy a szóvezetékeket tartalmazó síkok a bitvezetékek síkjával párhuzamosan haladnak (PLESSEY, UNIVAC rend-, szer). A hengeres vékonyréteg táraknak bitvezetékei automatizált folyamatos gyártósoron, készülnek, így a homogén mágneses jellemzők beállítása mellett az előállítási költségek is leszoríthatok. A síkfilm vékonyréteg memóriákkal összehasonlítva ez lényeges előnyként jelentkezik. További előnye a hengeres vékonyréteg táráknak, hogy azonos beíró és kiolvasó áramok mellett a kiolvasott jelfeszültség 5 . . . . .. 10-szérese a síkfilm memóriákból kiolvasott jelfeszültségnek. A két legelterjedtebb hengeres vékonyréteg tár-konstrukció hátrányos tulajdonságairól a következőket állapíthatjuk meg. A TOKO rendszer alapján készült tárak speciális szövőgépet igényelnek a szóvezetékek kiképzésére. A szövés során fellépő mechanikai igénybevételek a mágneses tulajdonságokat lerontják, ezért a vékonyréteg mágneses struktúrájának magneitostrikiciómentesnek kell lennie. Ez szigorú előírást jelent a bitvezeték gyártó-sor számára. A PLESSEY rendszerben készült hengeres vékonyréteg tárak hátrányos tulajdonsága, hogy kicsi a szóvezetéksűrűségük. További hátrányként jelentkezik, hogy többmenetű szóvezetékelrendezés esetén a szerelt tárak utólagos villamos kötéseket igényelnék a szóvezetékhurkok kiképzésére. Ezen műveletek kevéssé gépesíthetek és a tár megbízihatóságát csökkentik. Mindkét említett rendszer hátrányos tulajdonságként említhető meg, hogy többmenetű szóvezeték elrendezés esetén a szóáram mágneses terének tengelye nem esik egybe a bitvezetéken kiképzett anizotrop vékonyréteg nehéz mágnesezési irányával és a bitvezetékkel. Ez a tárrendszer működését aszimmetrikussá teszi és csökkenti a jel/zaj tényezőt. Hátrányos tulajdonsága az ismert konstrukciónak az is, hogy többmenetű szóvezetékelrendezés esetén a szóáram mágneses tere viszonylag hosszú bitvezetékszakaszon oszlik me~, szert a szóáram eredő gerjesztése alatta marad az elméletileg elérhető értéknek. A találmány célja olyan vékonyréteg tárkonstrukció kidolgozása, amely az eddigieknél jobban közelíti meg a harmadik generációs számítástechnikai berendezések megbízhatósági igényeit és az eddigi megoldásoknál jobban figyelembeveszi az integrált áramkörök áramamplitudó korlátait. A találmány feladata olyan mágneses tárolók előállítása, amelyek — magnetostrikcióval rendelkező bitvezetékek felhasználására is alkalmasak; — az eddigi rendszereknél nagyobb szóvezetéksűrűségűek; — biztosítják, hogy a szóáram mágneses tere egybeessen a bitvezetékkel; — biztosítják, hogy a szóáram gerjesztése a bitvezeték egy kis szakaszára koncentrálódjék ; — végezetül egy gyártási folyamatban több tárolósík kiképzését is lehetővé teszik. A fenti körülményeknek eleget tevő, találmány szerinti megoldás lényegét az alábbiakban ismertetjük. A szóvezetékek szigetelőlemezen helyezkednek el. A szóvezetékeket tartalmazó szigetelőlemez furatokkal van ellátva. A bitvezeté szigetelőlemezen kiképzett furatokon haladtak keresztül célszerűen a szigetelőlemezre merőleges irányban. A szóvezetéket hordozó lemez igen vékony — 10 « nagyságrendjében van — így a szóvezetékek bitvezeték-menti sűrűsége többszöröse az eddig ismert konstrukciók szóvezetéksűrűségének. Ezért azonos szóhosszúságú tárrendszerek esetén a találmány szerinti megoldás biztosítja a minimális bitvezetékhosszat. A lemezeken kiképzett szóvezetékek megfelelő módon többmenetű szóvezetékké köthetők össze. A szóvezeték menetei között a távolság igen kicsiny — néhányszor 10 ,<•< így a szóvezeték mágneses terének tengelye egybeesik a bitvezetéken kiképzett mágneses vékonyréteg nehéz mágnesezési irányával, és ez a térrendszer jel/zaj tényezőjének nagymértékű javulását eredményezi. Ugyanakkor a szóvezeték menetszámának növelésével a szóáram impulzusok amplitúdója lecsökkenthető, és ez a harmadik generációs aktív elemek áramkorlátaihoz való alkalmazhatóságot jelent; vagy azonos szóáramértékek mellett a tárból kiolvasott jelfeszültség értéke megnő. A találmány tárgya a fentiekben vázolt memóriakutatás egyik eredményeként jött létre: olyan újtípusú vékonyréteg memória tár-konstrukció került kidolgozásra, amely a műszaki paraméterek magas szinten tartása mellett a gyártás nagyfokú gépesíthetőségének előnyével is rendelkezik. A vékonyréteg mágneses tár egy vagy több szigetelő lemezen levő szóvezetékeket tartalmaz és — előnyösen hengeres hordozójú — bitvezetékei vannak. A lemez vagy lemezek a bitvezetékek vezetésére alkalmas méretű lyukakkal van(-nak) ellátva és a bitvezetékek a szóvezetéket tartalmazó lemez síkjára keresztirányban, előnyösen merőlegesen vannak elhelyezve. A találmány tárgyát az alábbiakban kiviteli példák kapcsán rajz alapján részletesen ismertetjük. Az 1. ábrán a találmány szerinti megoldás vázlata látható: Az 1 szigetelőlemezen vannak kiképezve a 2 szóvezetékek és a 4 furatok. A 3 bitvezetékcsoport a 4 furatokon célszerűen a szigetelőlemezre merőlegesen halad át. 10 15 20 25 :'0 35 40 45 50 55 60 2
