157681. lajstromszámú szabadalom • Eljárás heteroátmenetek előállítására

157681 5 Volt. 3,5 órai hőkezeléssel a cinkszelenid felületén összefüggő sárga cinkszulfidréteget állítottunk elő. 4. példa 0,1 g vörös foszfort és 0,2 g 79:21 súlyarányú GaAs—ZnSe elegy-egykristályokból álló, kémiai transzporttal előállított anyagot egymástól elkü- io lönítve behelyeztünk egy 150 mm hosszú és 8 mm átmérőjű kvarccsőbe, és a kvarccsövet 10"~6 torr belső nyomással leforrasztottuk. A lezárt csövet kétzónás vízszintes elektromos csőkemencébe helyeztük, és 5 órán át oly módon heví- 15 tettük, hogy a foszfor 350 C°-on volt, a kristályok pedig 820 C°-on voltak. Diffúzió következtében a kristályok felületén kialakult új réteget egyrészt l°-os ferde , csiszolaton mikroszkóp , alatt, másrészt diffúz reflexiós méréssel vizsgál- 20 tuk. A létrejött négy összetevős, (Zn, Ga) (P, As, Se)-(Zn, Ga) (Se, As) összetételű heteroátmenet eddig önmagában is ismeretlen volt az irodalomban. 6 Szabadalmi igénypontok: 1. Eljárás heteroátmenet létesítésére két félvezető vegyület között azzal jellemezve, hogy az egyik 2 vagy több elemi komponensből álló félvezető vegyület felületét a másik félvezető vegyület egyik elemi komponenséből álló vagy azt tartalmazó gőzzel kezeljük. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja azzal jallemezve, hogy a kezelést zárt térben végezzük. 3. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja azzal jellemezve, hogy a kezelést a második félvezető vegyület egyik elemi komponensét tartalmazó inert vivőgázáramban végezzük. 4. Az 1—3. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja azzal jellemezve, hogy a kezelést egységes hőmérsékletű hőzónában hajtjuk végre. 5. Az 1—3. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja azzal jellemezve, hogy a kezelést két hőzónás kemencében hajtjuk végre. A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója. 1008131. Zrínyi (T) Nyomda, Budapest V., Balassi Bálint utca 21—23. 3