157601. lajstromszámú szabadalom • Berendezés amplitudómodulált jel előállítására
3 157601 4 van kötve, míg a kollektorköri impedancia másik végpontjára, valamint a modulált erősítő tranzisztor bázisára, illetve emitterére egy-egy vivőfrekvenciás rövidzár csatlakozik, azzal jellemezve, hogy egy modulátor kimenete, — amelynek bemenetére a moduláló jelforrás csatlakozik — egy olyan modulált erősítő tranzisztor kollektorköri impedanciájának egyik, vagy másik végpontjára van kötve, amelyek emitteré-' hez egy áramstabilizátor csatlakozik. A tranzisztorok erősítése, viszonylag alacsony kollektorbázis feszültségek esetén a kollektorbázis és kollektor-emitter feszültség segítségével változtatható. Az erősítési tényező a vezérlőjel kollektoráram karakterisztika elsőfokú differenciálhányadosával arányos. Bizonyos konstans egyenáramú emitteráram tartományban elérhető, hogy a kollektorfeszültség és erősítési tényező között nagy tartományban linearis összefüggés alakuljon ki, miáltal a moduláció is linearis lesz. A találmányt részletesebben kiviteli példák segítségével ismertetjük. Az 1. ábra egy példaszerinti berendezés tömbvázlatát mutatja be, földelt emitterű modulált erősítő tranzisztor esetén. A 2. ábrán földelt bázisú modulált erősítő tranzisztor példaszerinti tömbvázlata látható. A 3. ábrán az 1. ábra szerinti berendezés egy példaképpeni kapcsolási rajza látható. Az 1. ábra szerinti berendezésben az 1 vivőfrekvenciás bemenet egy földelt emitterű 2 modulált erősítő tranzisztor bázisára van kötve. A 2 modulált erősítő tranzisztor emitterére egy 3 áramstabilizátor és egy 4 vivőfrekvenciás rövidzár csatlakozik. A 2 modulált erősítő tranzisztor kollektora egyrészt az amplitúdómodulált vivőfrekvenciás jel 5 kimenetére, másrészt egy 6 kollektorköri impedanciára van kapcsolva, amelyhez egy másik 7 vivőfrekvenciás rövidzár csatlakozik. A 6 kollektorköri impedancia egyik, vagy másik végpontjára egy 8 modulátor csatlakozik, amelynek bemenetére van a 9 moduláló jelforrás kötve. A 2. ábrán látható berendezés annyiban különbözik az 1. ábra szerintitől, hogy a 2 modulált erősítő tranzisztor bázisa földelt a 4 vivőfrekvenciás rövidzár segítségével, a 2 modulált erősítő tranzisztor emitterére csatlakozik a vivőfrekvenciás jel. A berendezés működése a 3. ábra szerinti példaképpeni kapcsolási rajzon követhető legkönnyebben. A T2 modulátor tranzisztor emitterkövetőként működik. A Tj modulált erősítő tranzisztor földelt emitterű modulált erősítő. A konstans emitteráram nagysága az R2 ellenállással állítható be. A konstans emitteráramot az R2 ellenállás, illetve a rajta eső feszültség megfelelő megválasztásával lehet biztosítani. A vivőfrekvenciás feszültség a Ti modulált erősítő tranzisztor bázisára kerül. (Uv ). A Ti modulált erősítő tranzisztor munkaellenállása a Z impedancia. A modulált U jel a Ti modulált erősítő tranzisztor kollektorán nyerhető. A moduláló jel pl. alulvágó szűrővel leválasztható. A Q és C2 kondenzátorok a vivőfrekvenciás jelre rövidzárt jelentenek. - Az emitterkövető T2 modulátor tranzisztor lényegében impedancia-transzformációs feladatot tölt be a modulált jelre nézve, azaz kis impedancián szolgáltatja a modulált jelet az „A" pontra, a moduláló jelre nézve viszont nagy bemenő ellenállást jelent. Az R3 ellenállással a Ti modulált erősítő tranzisztor UCB feszültsége állítható. Adott U moduláló jel esetén a modulációs mélység beállítása a Ti modulált erősítő tranzisztor VQB feszültségének változtatásával egy másik R3 ellenállás segítségével, a legkisebb modulációs torzítás pedig a Ti modulált erősítő tranzisztor emitteráramának változtatásával az R2 ellenállás segítségével történik. A kapcsolásban természetesen alkalmazható NPN vagy PNP struktúrájú tranzisztor. A Tx modulált erősítő tranzisztor lehet földelt bázisú is, mely esetben az Uv feszültség az emitterre jut. A kapcsolás előnyei: Az UCB—UCE feszültség változtatásával az erősítés változtatható az említettek szerint. Az UCE feszültség segítségével a Ti modulált erősítő tranzisztor gyakorlatilag teljesen lezárható, azaz 100 %-os modulációs mélység is elérhető. Az emitteráram optimális megválasztásával elérhető, hogy nagy modulációs mélység esetén is kicsi lesz a modulációs torzítás. A Z impedancia megválasztásával a vivőfrekvenciára nézve igen szélessávú működés érhető el, többek között azért is, mert a Ti modulált erősítő tranzisztoron átfolyó vivőfrekvenciás áram is kis torzítású, így nincs szükség a kollektorkörben bonyolult szűrő alkalmazására. A moduláló jelszükséglet kicsi, teljes kimoduláláshoz 1—2 Vcs -cs jelnagyság elegendő. A moduláló jel hozzávezetés az emitterkövető T2 modulátor tranzisztor segítségével rendkívül egyszerű, nagy sávszélességű modulálást tesz lehetővé. Természetesen a moduláló jelet az „A" pontra bármilyen más módon is oda lehet vezetni. A kapcsolás egyszerű, kevés alkatrészt tartalmaz, így helyigénye rendkívül kicsi és nagyon jól alkalmazható pl. fekete-fehér, illetve színes televíziós berendezések működtetéséhez. Szabadalmi igénypont Berendezés amplitúdómodulált jel előállítására, amelyben a vivőfrekvenciás bemenet (1) egy földelt bázisú, illetve földelt emitterű modulált erősítő tranzisztor (2) emitterére, illetve bázisára van kapcsolva, míg az amplitúdómodu-10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 2
