154550. lajstromszámú szabadalom • Eljárás aranymentes doppingoló hatású forrasztóanyag előállítására szilícium-félvezetőkhöz

3 154550 4 kell kialakítani, ezt követően még hideg for­málás következik. Ekkor minden egyes alakí­tási lépés, pl. minden egyes hengerlés előtt hid­rogén-atmoszférában, 400 C°-on közbenső iz­zítást kell végezni. Az ilyen eljárással előállított forrasztófém ki­tűnően felhasználható szilícium félvezetők elő­állítására. Rendkívül jó nedvesítési tulajdon­ságokat mutat, jól alakítható, biztosítja a fél­vezető átmenetek számára szükséges doppin­golást és megjavult paraméterek mellett nagy kilhozatalt biztosít. 10 nálása előtt vagy az ötvöző komponenseket az ötvözés előtt és/vagy közben hidrogén-atmoszfé­rában megolvasztjuk vagy izzítjuk, majd gáz­mentesítjük. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganato­sítási módja, azzal jellemezve, hogy az ötvöző komponensek külön-külön végzett kezelésekor az ötvözést levegő kizárása mellett és állandó keverés közben végezzük. 3. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás fo­ganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a forrasztófém 91% ezüstöt, 8,6% ónt és 0,4% antimont tartalmaz. Szabadalmi igénypontok: 15 1. Eljárás aranymentes doppingoló forrasz­tófém előállítására ezüst, ón és antimon ötvö­ző komponensekkel szilícium-félvezetőkhöz, az­zal jellemezve, hogy a forrasztófémet felhasz- 20 4. Az 1—3. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítás! módja, azzal jellemezve, hogy hidegalakítás esetén, különösen fóliáknál minden egyes alakítási lépés előtt hidrogén­atmoszférában 4O0 C° körüli hőmérsékleten közbenső izzítást végzünk. Figyelembe vett nyomtatvány: 2 801 375 számú USA szabadalom. A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója. 6806942. Zrínyi (T) Nyomda, Budapest V., Balassi Bálint utca 21—23. 2

Next

/
Oldalképek
Tartalom