154200. lajstromszámú szabadalom • Eljárás tranzisztorok előállítására

154200 tunk. Ez a 'módszer .a .krisitálygyártásnál biztosltja azt is, ,hogy a keletkezett éldisziOikácicik nagyobb oiészénidk a tengelye párhuzamos az öntecs tengelyével, miivel e'Isősorban radiális feszültségek alaikulniaik ki, a kéreg elsó'dileges 5 megszilárdulása mwatt. Az ötvözött áitmeneteiket állványra szereljük. Az állvány emitter (és kollektor áitvezetőrjéhez TO/'-os nikkel huzalt hegesztünk, és ezt az indium eiektooidaikhoz forrasztjuk. 10 A következő tedhinológiai lépésiben ancdikusan ,10%-os KQH-ban elekitroüitikusan mairjuik. A niaróedényíben 50—100 db-oit rnairunk egyszerre és az áramot úgy állítjuk be, hogy maráskor az á'bmenet körül kialakult árok mélysége 15 kb. a beötvözésii mélységekkel legyein egyenlő, a példánkban ez 2 perc. A mart átmeneteket egyéb hőkezelési ,sitb. eljárások után lezárjuk, az előállítást ezzel lényegében befejeztük. A találmány alikalmaziáEával elérhetjük, (b°gy 20 szokásos módon gyártott tranzisztorok kimenő ellenállásához képest a kiimenő .ellenállás a 0,5 MHz körüli tartományban 50—100%-al megnő, és hogy a bázisellenállás valaiminlt a Ikollektarkapaidirtás számértéke kisebb. A nagyobb ki- 25 menőíelienáílllás .mellett ,a tranzisztorok bemenőeltenálláea lecsökken és ezáltal nagyobb teljesítményerősítés érhető el. A találmányunk biztosítja még a tranzisztorok áramerősítési szórásának csökkenését, valamint a marás következményeiként a visszáraimok csökkenését. Szabadalmi igénypont: Eljárás homogén , bázisiréfegű germánium p-n-p 'tranzisztorok előállítására, azzal jellemezve, hogy ,20 000 dászldkáció/am2

diszlcíkáció sűrűségénél nagyobb, n típusú germánium egykristályt felszeletelünk, a szeleteikből lapkákat készítünk, a lapkákat kémiai úton méretre maratjuk, a méretre (maratott lapkákat majd ^ méretre válogatott indium golyócskákat ötvözőkazettába helyezzük, majd ötvSzőkályhában, redukáló hidrogén atmoszférában ötvözzük, a beötvözött lapkát állványra szereljük, ia kivezetéseket beforrasztjuk, (majd a foeforirasztással ellentétes végeiket galvanikusan összekötjük, és az így állványra szerelt beötvözött lapkáikat alkálilúgos oldatba nneritjülk, a galvanikusan összekötöitít elektródák ipozíitw feszültségre és a marató edény negatív (feszültségre kapcsolása mellett az emitter és kollektor átmenetek kerület összegére vonatkozóan 0,5—1,5 niA/mim-es árammal mairatjuk, imiajd annikoir a iwaraitiásli ároík elérte a beötvözési mélységeit az áramot megszakítjuk és a tranzisztoirokiaít mosás, saárítás után lezárjuk. 3 rajz, 5 ábra A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója. 4 6708509. Zrínyi (T) Nyomda, Budapest V., Balassi Bálint utca 21—23.