153348. lajstromszámú szabadalom • Eljárás félvezetők p-n átmenetének előállítására planar technológiával

5 153348 6 ha a fázisátmenet körül elhelyezkedő védőgyűrű kialakításával a letörési feszültséget kívánjuk növelni. Ugyanis n típusú kristály felületén az oxidréteg kialakításával inverziós réteg jön létre, ez p típusú lévén, a bázis és a kollektor között átvezető csatornát képez. Ezt a zavaró réteget, a bázison kívüleső zónában elvékonyított oxidrétegen keresztül foszfor (P) bediffundáltatásával meg lehet szüntetni. Eljárásunk egyik eléggé nem hangsúlyozható előnye, hogy az átmenetek kialakításakor •— és általában az egész technológia folyamán — az elszennyeződés mértéke és veszélye igen csekély, tekintve, hogy a műveleteknél a kristályt mindég oxidréteg fedi, ami a félvezetőt a mű-10 15 veletek alatt állandóan megvédi külső behatásoktól. Szabadalmi igénypont: Eljárás nagy frekvenciás szilicium (Si) tranzisztor, dióda, egyenirányító átmenet(ek) „planar" technológiájú kialakítására, szennyezőként a periódusos rendszer III. és/vagy V. osztályának elemeit alkalmazva, azzal jellemezve, hogy legalább az egyik szennyezőt a szilicium (Si) lemezbe a bázisihelyó(i)n vegyszeres marással csak elvékonyított sziliriumdioxid (SAO2) rétegen át juttatjuk a félvezetőibe. 1 db rajz A kiadásért felel; a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója. 6706007. Zrínyi (T) Nyomda, Budapest V., Balassi Bálint utca 21—2*. 3