153197. lajstromszámú szabadalom • Félvezető készülék

153197 8 véért a 13 és 14 csatlakozó vezetékeket csak a 3. ábrán ábrázoltuk. A 9 árnyékoló réteg 10 részével hasonló módon köthető össze egy csatlakozó vezeték, amelyet áttekinthetőség okából nem ábrázoltunk. Ha az 1 félvezetőtest egy nagyobb tárcsa egy részét képezi, akkor ezt kivágjuk a tárcsából és például 21 indium-antimon forrasz (kb. 2 súly% antimon) segítségével 20 tartólappal — amely például aranyozott fernikoból lehet — összeforrasztjuk. A tartólap ekkor a kollektor csatlakozó vezetékét képezi. Megjegyezzük, hogy az 5, 6 és 9 fémrétegek csatlakozó vezetékkel összekötendő részének átmérője például kb. 75 p lehet és az. 5 és 6 fémrétegek felülről nézve (1. ábra) néhány mikronnal a a fémrétegen belül maradnak ás a 9 fémréteg néhány mikronnal a 7, 8 szigetelő rétegen belül marad. Ha az ismertetett tranzisztort erősítő elemként például olyan kapcsolásban használjuk, amelyben az emitterelektród konstans potenciálú pontra, például a földre van kapcsolva, akkor a bemenő jeleket a bázis és az emitter 14, illetőleg 13 csatlakozó vezetékei által képezett villamos bemenetre vezetjük és a kimenő jeleket a kollektor és az emitter 20, illetőleg 13 csatlakozó vezetékei által képezett villamos kimeneten vesszük le. Ha a 9 árnyékoló réteg nem volna jelen, akkor kb. 0,6 pF értékű bázis-kollektor-kapacitás lépne fel, amely visszacsatolást képez. Ha azonban a 9 árnyékoló réteg jelen van és azt konstans potenciálú pont« ra, például a földre kötjük csatlakozó vezeték útján, amely az árnyékoló réteg 10 részével van összekötve, akkor a bázis-kollektor-kapacitás értéke kb. 0,15 pF, tehát mintegy a negyedére csökken. Ezáltal a lehetséges erősítés körülbelül négyszeresére nő és ez a körülmény több fokozatú kapcsolásban lehetőséget nyújt arra, hogy egy fokozatot elhagyjunk. (Nyilvánvaló, hogy ez különösen fontos. Ha olyan kapcsolást alkalmazunk, amelynél a báziseléktródot konstans potenciálú pontra kapcsoljuk, akkor a például földelt árnyékoló réteg a visszacsatolást létrehozó emitter-kollektor-kapacitást lecsökkenti. A 4., 5. és 6. ábrák kapcsán olyan kiviteli példát ismertetünk, amelynél az árnyékoló réteg a félvezetőtest egy felületzónájából áll, míg a záróréteget a p-n-átmenet képezi, amelyet a felületréteg a félvezetőtestnek alatta fekvő részével képez. A 4., 5, és 6. ábrák szerinti kiviteli példa olyan tranzisztorra vonatkozik, amelynek' 30 félvezetőteste sziliciumból van és mérete kb. 500X400X250 /x és n-típusú 31 kollektorzónaval, p-típusú 32 báziszónával és n-típusú 33 emitterzónával rendelkezik. A 30 félvezetőtest 35 szilieiumoxid-réteggel van fedve, amelyben 38 és 39 nyilasok vannak, amelyeknek. mérete •kb.. 10X50 í*, amelyeken keresztül a kontaktus céljára szolgáló 44 és 45 fémrétegek össze vannak kötve a 32 báziszónával, illetőleg a 33 emitterzónával. A 44 és 45 fémrétegek gyakor-10 15 20 25 55 40 45 50 55 60 65 latilag köralakú részeinek átmérője kb. 75 /J. nagyságú. Ezen részek, valamint a 15 oxidréteg alatt vannak a p-típusú 37 felületzónák, amelyeik árnyékoló rétegként szolgáinak és amelyek a 48 p-n-átmeneteket képezik a 30 félvezetőtest alattuk fekvő részével, azaz a 31 kolléktorzónával együtt. A 35 oxidrétégben 40 nyílások vannak kiképezve, amelyeknek átmé'rője kb. 75 /x, hogy a csatlakozó vezetéket össze lehessen kötni a 37 árnyékoló rétegekkel. A kontaktus céljára szolgáló 44 és 45 fémrétegekkel 46 báziscsatlakozó vezeték, illetőleg 47 emittercsatlakozó vezeték van összekötve, amelyeket áttekinthetőség kedvéért csak az 5. ábrán szemléltettünk. A tranzisztor 50 tartólapon lehet rögzítve, amely egyidejűleg kollektorcsatlakozásként szolgál. A 4., 5. és 6. ábrák szerinti tranzisztor számára hasonló anyagok alkalmazhatók, mint az 1., 2. és 3. ábrák szerinti tranzisztornál és a gyártás alatt a különböző rétegek és zónák felvitelére ugyanolyan vagy hasonló eljárások alkalmazhatók, mint amilyeneket az 1. és 2. és 3. ábrák szerinti tranzisztor hasonló zónáinak és rétegeinek felvitelénél ismertettünk. A 37 árnyékoló rétegeket diffúzió útján a 32 báziszónával egyidejűleg lehet előállítani, közös diffúziós kezelés folyamán. Erre a célra a 32 báziszóna létrehozása szükséges 34 nyilas mellett — amelynek mérete kb. 65 X 65' a — egyidejűleg diffundált 37 árnyékoló rétegek létrehozására 38 nyilasokat képezhetünk ki a 35 oxidrétegben, amely nyilasok mérete kb. 175X85 ix, amelyekét a diffúziós kezelés után ismét elzárunk például azáltal, hogy nedves oxigénnel oxidálunk. Természetesen az is lehetséges hogy a 37 árnyékoló rétegeket különálló diffúziós kezeléssel vigyük fel, ami például viszonylag nagy ellenállású báziszóna felvitelénél hasznos lehet, Előnyösen ebben az esetben először a 37 árnyékoló réteget visszük fél és ezt követően a 32 báziszónát, minthogy ekkor az árnyékoló réteg felvitele miatt szükséges hőkezelésnek nincs befolyása a 32 báziszónára. Az adott példában a 44 és 45 fémrétegek számára tehát különálló 37 árnyékoló rétegek vannak. Áttekinthetőség kedvéért nem ábrázoltuk a csatlakozó vezetékeket, amelyek a 35 oxidrétegben levő 40 nyilasokon keresztül a 37 árnyékoló rétegekkel össze vannak kötve. Ilyen vezetékeket a félvezető technikában szokásos módon lehet felvinni. Ha ezt a tranzisztort erősítő elemként például emiitterkapcsölásban vagy báziskapesolásban alkalmazzuk, amikor is a 37 árnyékoló rétegeket például földeljük, akkor ugyanúgy mint az előbbi példánál, nagy mértékben csökkentjük a visszacsatolást és javífjuk az erősítést. E mellett a 48 p-n-átmenetek záró irányban elő vannak feszítve és ezáltal zárórétegként működnek, Ha a tranzisztor csak arra szolgál, hogy olyan kapcsolásokban alkalmazzuk, amelyekben az emitter konstans potenciálú pontra van kap-4