152610. lajstromszámú szabadalom • Eljárás lumineszcens anyagok fénykibocsátásának növelésére szerves anyagokkal

MAGYAR X EPHÜZXÁRS ASÁG ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL SZABADALMI LEÍRÁS SZOLGALATI TALÁLMÁNY Bejelentés napja: 1964. VI. 09. (MA—1354) Közzététel napja: 1965. VIII. 22. Megjelent: 1966. V. 01. 152610 Szabadalmi osztály; 22 f Nemzetközi osztály: C 09 c Decimái osztályozása Feltaláló: Lemdivai Ödön tudományos munkatárs, Budapest Tulajdonos: MTA Műszaki Fizikai Kutató Intézet, Budapest Eljárás lumineszcensz anyagok fénykibocsátásának növelésére szerves anyagokkal Ismeretes, hogy szervetlen fotovezető anyagokon adszorbeált szerves vegyületek esetenként, a fotovezetésben szenzifoilizátorként szépeinek. Hasonló jellegű hatásokat lumineszcenciában nem figyeltek meg, ezért technikai felhasználásukra nem került sor. A találmány a lumineszcens tulajdonságokban jelentkező szenzibilizációs és fénykibocsátást növelő módszer megoldását adja. A megoldás lényege az, hogy az adszorpciós vagy kémiai úton a szervetlen luminofor felületére felvitt szerves anyag vagy anyagok, a kristályfoszfor által emittált sugárzás intenzitását, a sugárzás nélküli átmenetek számának csökkentése vagy közvetlen energiaátadás útján megnövelik. A fenti folyamatok eredményeként a kristályfoszfor változatlan" sipektrális energiaeloszlással, de lényegesen nagyobb intenzitással sugároz a gerjesztés hatására. Az említett fényerő növekedésének nagy jelentősége van a fotolumineszcens, illetve világítástechnikai (fénycsövek, H/g-gőz lámpák stb.), katódlumineszcens (pl. TV képcsövek) és elektroktmineszcens alkalmazásoknál. Az eljárás lényege az, hogy félvezető típusú anyagoknál i(pl. ZnO, ZnS alapú luminoforok) folyadék vagy gőzfázisból történő kemoszorpcióval, rossz adszorpciós tulajdonságú anyagoknál (pl. halofoszfátoknál) egyéb módszerrel, pl. megfelelő töménységű oldatba való bekeveréssel és beszárítással a szervetlen anyag felületére felvisszük a megfelelő szerves anyagot. A szerves anyag megválasztása a gerjesztés módjától és alkalmazásától függ. Olyan esetek-5 ben, amikor a fénypor réteg vacuumban helyezkedik el (pl. ZnS, katódsúgárcsövekben) igen kis gőznyomású anyagot i(pl. ftalocianinokat) kell választani. Hasonló módon figyelembe kell venni a gerjesztés módját '(fotonok, elekt-10 ronök, elektromos tér stb.). A fenti rendszerekben a felületi réteg közvetlen kölcsönhatásiban van a kristályos, szervetlen anyaggal. A kölcsönhatás eredményeként jön létre a kristályfoszfor fényerejének 15 növekedése. Ez a fényerőnövekedés csak a szerves anyag vagy, anyagok meghatározott felületi koncentrációinál jelentkezik. Az említett felületi koncentrációk alatt és felett a lumineszcencia csökkenése észlelhető. Az a felü-20 letd koncentráció tartomány, ahol szenzibilizáció mutatható ki, a fcristályfoszfor és a felületi réteg anyagi tulajdonságaitól függ. Az eljárás különösen alkalmas ZnS és ZnO alapú luminoforolk fényerejének megnövelésére. 25 Fotogerjesztés esetén az utóbbi esetekben az emittált lumineszcens sáv intenzitása 10—50%kal növelhető megfelelő xanthen származékkal (pl. dijódfluöresceinnel). Hasonló hatást mutatnák az acridih és éyanin származékok is, ha 30 felületi koncentrációjúik az optimális tarto-152610