152423. lajstromszámú szabadalom • Hordozófelület fototokatód részére
152423 ság, karcolás stb. összefüggő félvezetőréteg kialakítását megnehezíti. Az üvegfelület egy másik, szintén anyagi vagy kezelési helytelenségből adódó, hibája lehet az, hogy a félvezetőréteg kialakulásakor, a hibahelyek csíraképző hatása folytán, annak polykristályos struktúrát ad, holott ismeretes, hogy a kristályhatárokon fellépő hatások a félvezető jótulajdonságait károsan befolyásolják és emiatt célszerű fotokatódrétegnek egykristály struktúrát vagy olyan struktúrát biztosítani, mely minél közelebb áll az egykristályhoz. Kísérleteink során azt tapasztaltuk, hogy az eddig ismert felület előkezelési eljárások mint pl. különböző vegyszerekben való mosás, polírozás, ionbombázás, vagy ezek kombinációja sem hoz kellő eredményt. Ezeknél az ismert eljárásoknál jobb eredményt ad az az eljárás, midőn az üvegfelületen levő vagy az előkészítéskor keletkező hibaforrásokat lefedjük. A lefedés különösen akkor ad jó eredményt, ha az üveg mint közvetlen hordozó szerepel, pl. képátalakító csövek átlátszó fotokatódjánál. Az üvegfelületen mutatkozó hibaforrások lefedése célszerűen az optikai sugárzást kismértékben abszorbeáló rétegekkel történhet, mikor is a réteg vastagsága a gerjesztő fény hullámhosszával összemérhető. Ilyen anyagok lehetnek pl. a SiO, Si02 , TiO a . Az üvegfelületre való ' felvitel SiO esetében párologtatással történhet, Si02 és TiO a esetében pedig a Si vagy Ti organikus vegyületeinek a felületen történő pl. termikus elbontásával. Találmányunkat két példa kapcsán mutatjuk be, anélkül, hogy erre korlátoznánk magunkat. 1. példa: A fotókatód hordozójaként kiszemelt üvegfelület 60 C° hőmérsékletű krómkénsavban 20'-ig áztatjuk. Majd lúgos öblítéssel és desztillált vizes mosással eltávolítjuk a krómkénsav maradékát és a felületet megszárítjuk. Az üvegfelületet ezután vákuum-párologtató burájába helyezzük és legalább 10-5 Hgmm nagyságrendű vákuumot létesítve a felületre 2000 Ä vastagságú SiO réteget párologtatunk. Továbbiakban a fotókatód (pl. AgO, Cs) kialakítása az ismert módon történik. 5 2. példa: A fotókatód hordozójaként kiszemelt üvegfelületet 6%-os fluorhidrogén oldatban 40"-ig áztatjuk. Majd desztillált vizes öblítéssel eltávolítjuk a fluorhidrogén maradékát és a felületet alkoholos oeriumoxiddal polírozzuk. A polírpaszta maradékát ultrahang készülékben vízöblítéssel eltávolítjuk és az üvegfelületet megszárítjuk. Ezután az üvegfelületet 2,0%-os alkoholos butiltitanát oldatába mártjuk, majd onnan kivéve a fölös mennyiségű oldat lecsurgatása után megszárítjuk és 400 C°-on kiégetjük. Az üvegfelületen vékony, átlátszó, Ti02 film marad vissza. Továbbiakban a fotókatód (Sb, O, Cs) kialakítása az ismert módon történik. Az ily módon elkészített üvegfelületen kialakított fotokatódok érzékenysége felülmúlja az eddig ismert eljárással készülttét. 10 15 20 23 30 35 40 45 Szabadalmi igénypontok: 1. Hordozófelület fotókatód, különösen átlátszó fotókatód részére, azzal jellemezve, hogy a hordozófelület és a fotokatódot képező félvezető vékonyréteg között összefüggő, anorganikus átlátszó film van elhelyezve. 2. Az 1. igénypontban leírt fotókatód, azzal jellemezve, hogy az említett összefüggő anorganikus átlátszó film titán és/vagy szilícium-oxidból áll. 3. Az 1. és 2. igénypontokban leírt fotókatód elkészítésének eljárása, azzal jellemezve, hegy az említett összefüggő anorganikus átlátszó filmet vákuumpárologtatással visszük fel. 4. Az 1. és 2. igénypontokban leírt fotókatód elkészítésének eljárása, azzal jellemezve, hogy az említett összefüggő anorganikus filmet az oxid fématomjának organikus vegyületéből a felületen termikus és/vagy hidrolitikus bontással képezzük. A kiadásért felei: a Közgazdasági és Jogi könyvkiadó igazgatója 658812. Zrínyi (T) Nyomda, Budapest V., Balassi Bálint utca 21—23.
