151442. lajstromszámú szabadalom • Eljárás megnövelt negatív hőfoktényezőjű polikristályo oxidkerámiai félvezető ellenállás előállítására
a 151442 4 kialakulásában a kristályszerkezet finomságának és a kristályszemcse kontaktusok mennyiségének van lényeges szerepe. Az elektromos tulajdonságok és különösen ezek hőfoktól való függése szempontjából döntőek a kristályszemcsék érintkezési felületein lejátszódó folyamatok. Azt találtuk, hogy az oxidkerámiai félvezetők megnövelt hőfok függését, vagyis B megfelelő értékét kedvező kristályszerkezet kialakításával érhetjük el. A találmány értelmében, kiindulási anyagként igen finom eloszlású, legfeljebb 1 jx szemcseméretű Fe2 0 3 —Ti0 2 őrleményt használunk fel, mimellett a kívánt kristályszerkezet kialakulását kedvezően befolyásoló adalékanyagként, a kiindulási őrlemény súlyára számítva 0,5%-ban Si02 -t használunk fel. Az így készült oxidkerámiai félvezetőnél a kiindulási őrlemény 97%-ának 1 fi szemcseméretre való őrlését nagy hatásfokú őrlőbérende>zésben, például acélgolyó töltésű attritorban végezzük el. Az igen finom szemcsemérettel lényeges módon megnövelhető a végtermékben kialakuló kristályszemcse kontaktusok mennyisége, melyek nagymértékben befolyásolják az energiakonstans B értékét. Az adalékanyagként felhasznált Si02 a rendszer elektromos tulajdonságait nem befolyásolja, viszont magas hőfokon á vasoxid természetes szennyeződéseivel folyadékfázist alkot, amelynek egyrészt köszönhető a zsugorítási hőmérséklet lényeges csökkenése. A zsugorítási hőmérséklet csökkenését másrészt a kiinduló nyersanyagok reakcióképessége is befolyásolja, és jelen esetben az 1 /t szemcseméretre való őr-Lés fajlagos felületnövelő hatása miatt már 1300 C° zsugorítási hőmérsékleten is az eddigieknél lényegesen finomabb kristályszövet szerkezet és legfeljebb' 3% porozitású kerámia készíthető. Az eljárás előnyeihez tartozik még, hogy reprodukálhatósága a tömeggyártás feltételeinek megfelel. A találmány szerinti eljárás részleteit közelebbről alábbi példán szem-5 leltet j ük: 99,65% Fe,03 . 0,15% TiO a és 0,2% Si0 2 keverékéből nagy hatásfokú őrlőberend ezésben például acélgolyó töltésű attritorban 5 órás nedves őrlés útján masszát készítünk. Ennek 10 megszárítása után 4%-os tilöz oldattal plasztifikált masszából (78% szárazanyag, 22% tilozoldat) vákuum présen 10 mm átmérőjű rudakat húzunk, melyeket 30 mm hosszú hengeres darabokra szabunk, majd levegő-atmoszférá,15 ban elektromos fűtésű kemencében 1300 C°-on „ . • 1 órát zsugorítjuk. Az így készített oxidkerämiai félvezető ellenállás jelentős elektromos értékei a következők: Q 25 C° = 250 O cm; B = 3450 K°. A találmány szerinti eljárás 20 nélkül hasonló fajlagos ellenállás mellett csak B = 2500 K° érhető el. Szabadalmi igénypontok: 25 1. Eljárás megnövelt negatív hőfoktényezőjű, Fe2 0 3 —Ti0 2 rendszerbe tartozó kisporozitású polikristályos oxidkerámiai félvezető ellenállás előállítására, azzal jellemezve, hogy az ismert összetételű vasoxid-titánoxid kiindulási anyag-30 hoz 0,2% Si02 adalékanyagot adunk, majd áz így kapott keveréket legalább 1 n szemcseméretre őröljük, a kapott őrleményt kerámiai módszerrel extrudáljuk és az extrudált anyagot 1300 C°-on 0,5—1,5 óra hosszat levegőatmosz-35 férában zsugorítjuk. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a kiindulási anyagok kívánt szemcseméretre való őrlését nagyhatásfokú attritorban végezzük. Á kiadásért feíel: á Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó Igazgatója. 64494a: Sirályi (í) Nyoriída, Budapest "V.j Balassi Bálint utca SÍ—23:
