149659. lajstromszámú szabadalom • Eljárás főleg magnetofonszalag gyártására alkalmas irányítható gammavasoxid előállítására
o Megjelent: 1382. szeptember 30. MAGYAIÍ NÉPKÖZTÁRSASÁG iS •w \s» Nemzetközi osztály: C 01 g OKSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL 149.659. SZÁM ci-329. AL.V:,:ZÁLJ Magyar osztály: 12 n 2 Eljárás főleg magnetofonszalag gyártására alkalmas irányítható gamma-vasoxid előállítására Czikk Zoltán művezető (50%), Radványi László technikus (25%), és Fehér Edit vegyész (25%), budapesti lakosok A bejelentés napja: 1960. március 22. A találmány eljárásra vonatkozik magnetofonszalag gyártására alkalmas, irányítható gaimmavasoxid előállítására. A kis sebességű magnetofonkészüllékekhez használt hangszalagok többnyire olyan szerkezetű gairuna-vasoxidofeból készülnek, melyek a szalag gyantása közben az alkalmazott mágneses tér irányító hatására egyirányban rendeződnek. Ezáltal a szalag mágneses tulajdonságai, a hangfelvétel és leadás tekintetében, lényegében megjavulnak. Ahhoz, hogy egy gamma-vasoxid-kristály a mágneses tér irányába álljon be, az kell, hogy bizonyos irányban mágnesesen anizotrop, azaz a kristálynak kitüntetett tangeíye legyen. E célból eddig különböző fémion-szennyezőanyagokat vittek be a rácsba és így feszített kristályrácsot kaptak, mely mágneses tériben a tér irányéba fordul, azaz irányítódik, A találmány szerinti eljárás a feladatot nagy hasáb alakú kristályok létesítésével oldja meg. A találmány szerinti eljárás lényege az, hogy oxálsav 5—30%-os, célszerűen 9%-os és vasszulfátnak 5—30%-os, célszerűen 10%-os töménységű meleg vizes oldatait 1 :2 arányban mechanikus keverés kizárásával elegyítjük, a kapott vasoxalátot termikus úton elbontjuk és az elbontás folytán keletkezett magnetítet, utóoxidációval, gamma-vasoxiddá oxidáljuk. A találmány szerinti eljárásnál keletkező vasoxid-kristályok nagyok (10—60 méretűek), aholifí a hasáb tengelyének irányában a méretek jóval nagyobbak, mint keresztirányban, így mágneses térben erős forgatónyomaték lép fel és a kristály irányítódik. A mechanikus keverés kizárásával való elegyítés úgy történik, hogy a vasszulfátoldatot (fs. : 1,4) az oxálsavoldat (fs. : 1,1) alá vezetjük, amikor is az elegyítés keverés nélkül, megy végbe, ami biztosítja a nagy kristályok képződését. Miután az oldat nyugalomban van, a kristályok növekedési sebessége nagyobb, mint a kristálygócok képződési sebessége és így nagy kristályok alakulnak ki. Keverés esetében viszont a gócképződés sebessége nagyobb, mint a kristálynövekedés sebessége, amikor is apróbb kristályok képződnek. Ahhoz, hogy az említett kedvező nagyságú és alakú kristályrészecskéket megkapjuk, a fent leírtak figyelembevételével adott kiindulááú oxálsav 9%-os, illetve vasszulfát 10%-os koncentrációval 10—lOO C°-os 'hőmérsékleten, célszerűen 80 C°-on és adott elegyíté» sebesség mellett (1 üt/sec.) állítjuk élő a vasoxalát oldatot. Az ily ^modon kapott vasoxalátoldatot szűrjük, semlegesre mossuk, megszárítjuk, majd Vascsövekben termikus úton elbontjuk. A kapott 'magnetítet (Fe?,04) lehűtjük és utóoxidációval gamma Fe2Os-á oxidáljuk. A találmány szerinti ölj árassal kapott vasoxid izzítás után is megtartja hasáb alakját és mágneses tériben nagyfokú irányítottságot »mutat. Az eljárással kapott gamima-^vasoxid hisziterézisgörbéje lényegesen különbözik a 143 384 számú szabadalom szerinti vasoxidtól. Ezt a csatolt rajzon feltüntetett hisziterézis-görbék igazolják. Míg a hivatkozott; szabadalom szerinti eljárással készült vasoxid hiszterézis-görbéje S-alakú (1. ábra), addig az új eljárással készült vasoxid hisziterézis görbéjén látszik az erős tores (2. ábra). A találmány szerinti eljárással kapott gammavasoxid koeroitív ereje és ramanenciája is nagyabb a hivatkozott szabadalom szerinti eljárással készült vasoxidénál. Minél nagyobb ugyanis valamely ferromágneses kristály ellipszoid két főtengelyének irányában jelentkező demagnetizálási tényezők különbsége, annál nagyobb a .mágneses anyag koeroitív ereje. Nyújtott vagy hasáb alakú kristályok esetén