149027. lajstromszámú szabadalom • Germánium teljesítménydióda és eljárás annak előállítására

149.027 3 10—ÍO'O mA nagyságrendű. Az ismertetett elekt­rolitikus maratás előnye, hogy a p—n átmenet kerületén kialakuló maratási árokban a forgatás következtében hosszirányban áramlik az elektrolit és ebből kifolyólag a kerület mentén egyenletes mélységű és keresztmetszetű, simafalú árok ala­kul ki. Ugyanezt a célt siolgálja a maratógyűrű is, mivel így a forgatás .miatt minden kerület elem egyenletesem maradik, még a gyűrű kisebb excentricitása esetén is. A forgatás további elő­nye, hogy az elektrolitot a germánium felületén állandóan cseréli és ezáltal annak, helyi kimerü­lését meggátolja. Az elektrolitikus maratás után mosás, öblítés és vákuumszárítás után lemérhető a maratás hatása. A záróirányú karakterisztiká­ban az áramcsökkenés kb. 30—60%-os. Ezután előzőleg 120 C°-os vákuumszárítást al­kalmazunk, majd a 7. ábra szerint a 18 szilikon­lakkal bekenjük a szabad germániumfelületet és az 5 fémpohár oldalát. Ujabb hőkezeléssel a szi­liikonlakk-réteget levegőn ráégotjük a p—n átme­net felületére, ahol az üvegkemény felületet alkot és a p—n átmenetet megvédi az esetleges nedves­ségtől. Másik szerepe az, hogy a p—n átmenet tokba forrasztásánál — tekintettel arra, hogy a bázistönkre forrasztás és a flexibilis kivezetés po­hárba forrasztása egyetlen folyamatban történik — a szilikonlakk meggátolja, hogy forraszanyag kerüljön a germánium felületére és ezzel jelen­tős selejtcsökkentő hatása van. A készre szerelt dióda hosszmetszete és rész­beni nézete látható a 8. ábrán. A tokozást megelőzően a p—n átmenet aljáról hőfolyamat segítségével eltávolítjuk az 5. és 6. ábrákon megjelölt 13 nikkellapot, tekintettel ar­ra, hogy szerepét már betöltötte és a továbbiak­ban már nincs rá szükség. A 19 forrasztóanyaggal, mely a 12 forrasztó­anyaggal (5. ábra) azonos összetételű, az előned­vesített 26 vörösréz bázisitönköt, a p—n. átmene­tet, valamint a 20, 21 és 22 jelű alkatrészekből álló vörösréz kivezető egységet egyetlen lépésben forrasztjuk össze szabad levegőn. Itt kell megje­gyezni, hogy a 20 rugózó káfoelrész az 5 fémpo­hárban fekvő tömörített része a 6 forraszanyag­gal van beforrasztva. A 23 vörösréz átvezetőeső a 24 szigetelőanyaggal (pl. zománc) van kötve a 25 vörösréz, sapkához. A sapka és a bázistönk egy­másnak fekvő peremeit célszerűen hidegsajtoló hegesztéssel, vagy más módon kötjük egymáshoz. Hideghegesztés után meleg vákuumban tartjuk a diódát, amikor a 21 és 23 elemek közötti résen a dióda belsejéből a levegővel együtt a nedvesség is eltávozik. A kihűlt dióda belsejét száraz leve­gővel, vagy nitrogénnel megtöltjük, majd a 12 forraszanyaggal a 21-s 23 vörösréz átvezető ele­meket összeforrasztjuk és ezzel a p—n átmenet körüli teret véglegesen lezártuk. A találmányunkat képező gyártástechnológiával már eddig is kísérletképpen 5—200 A terhelhető­ségig készültek germániumdiódák, rendkívül ala­csony selejtszázalékkal és nagyon jó elektromos adatokkal. A 9. ábrán látható a leírt technológiá­val gyártott példaképpeni 50 A-es germánium telj esi tménydioda 25 C° hőmérsékleten felvett nyitó- és záróirányú karakterisztikája. E karak­terisztikából látható, hogy a nyitó- és záróirányú áramok aránya a névleges zárófeszültségnél — a jelen példában 100 Voltnál — eléri az 50 000-sze­res értéket, de más esetekben kb. 40 000—60 000-szeres értékű is lehet. Szabadalmi igénypontok: 1. Germánium teljesítménydióda, különösen 5 A-en felüli áramok egyenirányítására, azzal jelle­mezve, hogy az egyik hozzávezetésen, célszerűen bázistönkön, oly színterelt fémlemez (1), előnyö­sen AgW, van elhelyezve, mely jó elektromos- és hővezetési tényezője mellett az óm-antimón for­rasztási réteg (2) közbeiktatásával a felette levő n-típusú germánium egykrisitályleroezzel egyező hőtáigulási együtthatójú, továbbá azzal jellemezve, hogy a kémiailag polírozott felületű n-típusú ger­mánium kristálylcmezre (3) van a teljesen egyen­letes p—n átmenetet biztosító tükörsimára vágott, í'ém-, előnyösein nikkel- vagy molibdén-pohár (5) fenekének külsejére felvitt indiumréteg (4) ráöt­vözve, e fémpohár belseje pedig forraáztóanyag­gal (6) van nedvesítve (pl. InSn) a másik hozzá­vezetés odaforrasztására. 2. Az 1. igénypont szerinti germánium teljesít­ménydióda kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a p—n átmenetet alkotó germanium-indium le­mezek külső hengeres palástjaikon maratva van-* nak és e palástokra, valamint az indium-lemez felett levő fémpohár külső hengeres palástjának alsó részére a p—n átmenet védelmére üvegke­mény szilikonlakk védőréteg (18) van ráégetve. 3. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti germánium teljesítménydióda kiviteli alakja, azzal jellemez­ve, hogy az áramhozzávezetések, illetőleg elveze­tések a lakkréteggel védett p>—n átmenet bázis­tönkjéhez, valamint fémpoharához tokozás előtt egymás után, vagy egyidejűleg vannak erősítve. 4. A 2. vagy 3. igénypontok bármelyike szerinti germánium teljesítméinydióda kiviteli alakja, az­zal jellemezve, hogy az. egyik elvezetés forrasztó­anyaggal nedvesített vörösréz bázistönkje (26) út­ján a p'—m átmenet alsó színterelt fémlemezére (1), míg a másik oldali elvezetés forrasztóanyag­gal (6) nedvesített íémpoharába (5) rugalmas ká­belrész (20) és ehhez vörösréz átvezető elemek útján van odaforrasztva, ez utóbbiak pedig szige­telőanyaggal (pl. zománc) vannak a germánium­dióda szerkezeti elemeit burkoló fémsapkával (25), előnyösen vörösrézsapkával összeerősítve, mely utóbbi az alsó bázistönkhöz van célszerűen hideg sajtoló hegesztéssel hozzáerősítve és így az. egész germániumdióda zárt egységet alkot. 5. Eljárás az 1—4. igénypontok bármelyike sze­rinti germánium teljesítménydióda előállítására, azzal jellemezve, hogy fémpohárra (5) indiumré­teget (4), vagy indiumötvözetet hidrogén atmosz­férában való hőkezeléssel erősítünk rá, majd a fémpoharat a feneke külsején levő indiumréteggel felfelé fordítva szerszám, különösen rozsdamentes acélszerszám élőire meghatározott mélységű üre­gébe helyezzük úgy, hogy abban a szükséges in­diumréteg helyezkedjem el, a kiálló részt pedig rozsdamentes vágószerszámmal eltávolítjuk, mi­által a kívánt rétegvastagságú frissen vágott fém­tiszta indiumfelületet kapunk, melyet a fémpohár- . ral együtt a szerszámból kiemelve kémiailag polí-

Next

/
Oldalképek
Tartalom