148135. lajstromszámú szabadalom • Félvezető, rekesztőréteges rendszer, kiváltképpen tranzisztor vagy kristálydióda, vákuummal szemben tömítő burkolattal, valamint eljárás ennek előállítására
4 148.135 tűnik, hogy az olyan tranzisztoroknak is, melyek a burkolat és a tulajdonképpeni rekesztoreteges rendszer közötti térben arzént kötött alakban tartalmaznak, jó stabilitásuk és nagy áramerősítési tényezőjük van, amely aránylag magas hőmérsékletre való hevítéskor alig változik. 9. példa: P-n-p germániumtranzisztort vákuummal szemben tömítő üvegburkolatba szereltünk, amely szilikon-vákuumzsírral volt töltve, melyet a találmány szerint arzénvegyülettel, mégpedig 5 súlyszázalék As203-mal kevertünk. A tulajdonképpeni félvezető rendszert előzőleg „SP 98" néven ismeretes lakkréteggel láttuk el. Az acb a beforrasztás után 57-et tett ki. Ezután az egészet 85 C°-ra hevítettük. Az első 500 óra alatt az «c& 41-re süllyedt, 1000 óra után azonban ismét 59 volt. A tranzisztort ekkor 100 óráig 140 C°-ra hevítettük, aminek következtében ach 104-re emelkedett. Ezután a tranzisztort 6 óráig 300 C°-ra hevítettük, mire az áramerősítési tényező szobahőmérsékleten 110 volt. Megemelítendő, hogy a találmány szerinti tranzisztoroknál, melyeket a beforrasztás után nem hevítettünk egy ideig magas hőmérsékletre, többször az acb csökkenését is lehetett megfigyelni. Ezért előnyös, ha ilyen tranzisztorokat a találmány szerint magas, pl. 140 C°-os hőmérsékletre hevítjük addig, míg az acb stabil és nagy végértékét el nem érjük. 10. példa: Sziliciumból álló p-n-p tranzisztort a találmány szerint olyan, vákuummal szemben tömítő burkolatba helyeztünk, melynek nagy részét előzőleg szilikon-vákuumzsírral töltöttük, amely 5 súlyszázalék arzént finoman elosztott állapotban tartalmazott. Az áramerősítési tényező a beforrasztás után 24 volt. Ezután a tranzisztort 140 C°-ra hevítettük. 50, 200 és 350 óra után az cecb értékei szobahőmérsékleten 24, 25, illetve 24 voltak. így a sziliciumtranzisztor a találmány alkalmazásával szintén igen jól stabilizálhatőnak mutatkozott. 11. példa: Ugyanilyen p-n-p sziliciumtranzisztort a találmány alkalmazása nélkül, vákuummal szemben tömítő üvegburkolatba szereltünk, amely arzént nem tartalmazó, száraz szilikon-vákuumzsírral volt töltve. A beforrasztás után az ac .b 28 volt és ez az érték 350 órás, 140 C°-os hevítés után 16-ra süllyedt. A 10. példában említett, találmány szerinti tranzisztornak tehát sokkal jobb stabilitása van. Végül utalunk még arra, hogy a találmány nincsen korlátozva az ismertetett, kiviteli alakokra. Így pl. az arzén mennyisége nem kritikus nagyság, bár túl nagy vagy túl kicsiny mennyiséget el kell kerülnünk. Továbbá nincsen korlátozva ötvözet-tranzisztorokra vagy az itt megnevezett félvezetőkre. A szakértő számára a találmány keretén belül még igen sok változat lehetséges. 1 r A kiadásért felel:" a Közgazdasáj Szabadalmi igénypontok: 1. Félvezető, rekesztoreteges rendszer, különösen tranzisztor vagy kristálydióda, vákuummal szemben tömítő burkolattal, azzal jellemezve, hogy a burkolat és a tulajdonképpeni rekesztoreteges rendszer közötti térben arzén van. 2. Az 1. igénypont szerinti félvezető, rekesztoreteges rendszer foganatosítási alakja, jellemezve szabad alakban jelenlevő arzénnel. 3. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti félvezető rekesztoreteges rendszer foganatosítási alakja, azzal jellemezve, hogy a burkolat legalább részben olyan kötőszerrel van töltve, amely az arzént finoman elosztott állapotban tartalmazza. 4. A 3. igénypont szerinti félvezető rekesztoreteges rendszer foganatosítási alakja, azzal jellemezve, hogy a kötőszer egy, vagy több szilikoszerves polimerből áll. 5. A 3. vagy 4. igénypont szerinti félvezető rekesztoreteges rendszer foganatosítási alakja, azzal jellemezve, hogy a kötőszer 0.1—10 súlyszázalék arzént tartalmaz. 6. Az előző igénypontok bármelyike szerinti félvezető rekesztoreteges rendszer foganatosítási alakja, azzal jellemezve, hogy a rekesztoreteges rendszer félvezető teste germániumból áll. 7. Az előző igénypontok bármelyike szerinti félvezető rekesztoreteges rendszer foganatosítási alakja, azzal jellemezve, hogy a rekesztoreteges rendszer félvezető teste sziliciumból áll. 8. A 6. vagy 7. igénypont szerinti félvezető rekesztoreteges rendszer foganatosítási alakja, azzal jellemezve, hogy a félvezető test p-n-p tranzisztor^struktúrájú. 9. Eljárás vákuummal szemben tömítő burkolattal ellátott félvezető rekesztoreteges rendszer, például tranzisztor vagy kristálydióda előállítására, azzal jellemezve, hogy a burkolat és a tulajdonképpeni rekesztoreteges rendszer közötti térben arzént helyezünk el. 10. A 9. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a burkolat és a tulajdonképpeni rekesztoreteges rendszer közötti térnek legalább egy részét arzént finoman elosztott állapotban tartalmazó kötőszerrel, pl. szilikonzsírral töltjük ki. 11. A 9. és/vagy 10. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a rekesztoreteges rendszert a vákuummal szemben tömítő körülburkolása után egy ideig magas hőmérsékletre hevítjük. 12. A 11. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a rekesztoreteges rendszert egy ideig, pl. 100 óráig, 80 C° és egy, vagy több elektródájának olvadási hőmérséklete közötti hőmérsékletre hevítjük. 13. A 9—12. igénypontok bármelyike szerinti eljárással előállított, vákuummal szemben tömítő' burkolattal ellátott félvezető,, rekesztoreteges rendszer. és Jogi Könyvkiadó igazgatója 604597. Terv Nyomda, Budapest V., Balassi Bálint utca 21-23.
