146208. lajstromszámú szabadalom • Félvezető kristályerősítő és eljárás annak előállítására
B 146.208 párologtatott és az „n" típusú kristállyal azonos kristályszerkezetű és orientációjú intrinsic („i") réteggel és mind az ,,n" típusú kristályhoz, mind pedig az intrinsic („i") réteghez csatlakozó egyegy »P" típusú szennyezéseket szolgáltatni tudó hozzávezető elektródával, végül az „n" típusú kristályhoz csatlakozó báziselektródával. 2. Az 1. igénypont szerinti félvezető kristályerősítő: kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a félvezető rétegek germánium, szilícium, vagy germánium-szilicium ötvözet alapúak. 3. Az 1—2. igénypontok bármelyike szerinti félvezető kristályerősítő kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy az intrinsic réteg vastagsága 25 mikronnál, előnyösen pedig 10 mikronnál kisebb. 4. Az 1—3. igénypontok bármelyike szerinti félvezető kristályerősítő kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy az „n" típusú kristály fajlagos ellenállása 0,2—2 Ohm/cni. 1 5. Az 1—4. igénypontok bármelyike szerinti félvezető kristályerősítő kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy az „n" típusú kristálynak az [1 1 1] kristály-orientációra merőleges mérete 2 mm2 -nél kisebb. 6. Az 1—5. igénypontok bármelyike szerinti félvezető kristályerősítő kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy az „i" típusú réteg 'az [1 1 1] irányra merőleges lapon foglal helyet. 7. Eljárás az 1—6. igénypontok bármelyike szerinti félvezető kristályerősítő előállítására, azzal jellemezve, hogy egy ,,n" típusú félvezető kristályra, önmagában ismert módon, egy intrinsic germánium, vagy szilícium, vagy mindkettőből álló réteget párologtatunk rá, majd mind az „n" típusú kristályt, mind e réteget ,,p" típusú szennyezést szolgáltatni tudó elektródákkal és az „n" típusú réteget egy báziselektródával latjuk el, és az így kapott rendszert hőkezelésnek vetjük alá. jz A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 594579. Terv Nyomda, Budapest V., Balassi Bálint utca 21-23.
