145184. lajstromszámú szabadalom • Eljárás sugárzásokra érzékeny áramköri elemek előállítására

Megjeleni: 1959. szeptember 15. ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL SZABADALMI LEÍRÁS 145.184. SZÁM 21. g. 29-35. OSZTÁLY — Da-140. ALAPSZÁM Eljárás sugárzásokra érzékeny áramköri elemek előállítására Csupor István kutatómérnök, Damokos Tamás műegyetemi adjunktus, Domokos Edit műegyetemi hallgató és Havasi Valéria műegyetemi hallgató, Budapest A bejelentés napja: 1957. június 7. Már régebben is ismeretesek voltak eljárások olyan villamos vezetők, ill. félvezetők (a továbbiakban fotovezetok) előállítására, amelyek ellenállásukat a rájuk eső fény, elektromágneses vagy korpuszkuláris sugárzás hatására megváltoztatják. Ezek fontos osztályát a periódusos rendszer II/2 csoportjabeli fém (cink, kadmium és higany) amfid csoportbeli elemmel (oxigén, kén, szelén és tejlur) alkotott vegyületei alkotják. Az említett vegyületek kristályos formában kerülnek felhasználásra. A fotovezetok előállítására vagy egykristályokat, vagy célsze-, rűbben mikrokristályos rétegeket használnak. Az előbbiek előállítása viszonylag egyszerűbb technológiával történik, míg az; utóbbiakéra eddig bonyolult vákuumtechnikai és kátódporlasztásos eljárást alkalmaztak. A bejelentés tárgyát olyan eljárás képezi, amely szerint a mikrokristályos fotovezető réteget lényegében atmoszférikus nyomáson és elektroms erőtér alkalmazása nélkül hozzuk létre. Az eljárás során alkalmas reakciótérbe a választott, a periódusos rendszer II/2 csoportjabéli fémet (pl. kadmiumot), továbbá egy -vagy több, a fotovezető számára való hordozó elemet helyezünk el, amely(ek) a célszerűen (bár nem szükségképpen) megfelelő elvezető elektródokkal van(nak) ellátva. A reakcióteret az alkalmazott fém olvadáspontjánál magasabb, de az előállítandó vegyület szublimációs hőmérsékleténél alacsonyabb hőfokra hevítjük, majd a választott amfid csoportbeli elemnek (pl. kénnek) az alkalmazott hőmérsékleten gázhalmazállapotú vegyületét vezetjük a reakciótérbe, amely az ott levő fémgőzzel reagálva a megfelelő fém-amfid vegyület keletkezik és a hordozódra egyenletes mikrokristályos réteg formájában leválik. A reakciotérbe fentieken kívül célszerűen hordozó gáz(oka)t, pl. hidrogént, argont stb., továbbá aktiváló anyago(ka)t, pl. halogén(eke)t juttatunk. A reakció befejeztével a hordozó elemeket eltávolítjuk a reakciótérből, amennyiben ilyenekkel még nem rendelkeznének, elvezető elektródokkal látjuk el; a szükséghez képest temperáljuk és célszerűen vákuummal, vagy megfelelő gázzal töltött, a vizsgálandó sugárzás számára átlátszó burában hermetikusan elzárjuk. Szabadalmi igénypontok: 1. Eljárás sugárzásokra érzékeny áramköri elemek előállítására azzal jellemezve, hogy a periódusos rendszer II/2 csoportjabeli fém és az amfid csoportbeli elem vegyületéből mikrokristályos fotovezető réteget hozunk létre oly módon, hogy a fémet és az amfid elemet vagy annak megfelelő vegyületét gőzállapotba hozva reagáltatjuk és a reakció teret az alkalmazott fém olvadáspontjánál magasabb, de a keletkezett vegyület szublimációs pontjánál alacsonyabb hőfokra hevítjük, miáltal a hordozóra egyenletes mikrokristályos réteg válik le. 2. Az 1. igénypontban meghatározott eljárás foganatosítási módja azzal jellemezve, hogy a reakciót hordozó gáz jelenlétében hajtjuk végre. 3. Az 1. vagy 2. igénypontban meghatározott eljárás foganatosítási módja azzal jellemezve, hogy a reakciótérbe aktiváló anyago(ka)t is juttatunk. 4. Az 1—3. igénypontok bármelyikében meghatározott eljárás foganatosítási módja azzal jellemezve, hogy a fotovezetőt vákuummal vagy megfelelő gázzal töltött átlátszó burában hermetikusan elzárva helyezzük el. A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója 2402. Terv Nyomda, 1959. - Felelős vezető: Gajda László