143846. lajstromszámú szabadalom • Germániumdióda és eljárás annak előállítására

Megjelent: 1958. január hó 15-én. ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL SZABADALMI LEÍRÁS 143.846. SZÁM 21. g. 1 — 16. OSZTÁLY — EE—303. ALAPSZÁM Germániumdióda és eljárás annak előállítására Egyesült Izzólámpa és Villamossági Rt., Budapest A bejelentő által megnevezett feltalálók: Bán Tamás és Bodó Zalán mérnökök és Dr. Szép Iván vegyész, mindhárman a Híradástechnikai Ipari Kutató Intézet Bródy Imre laboratóriumának munkatársai, budapesti lakosok A bejelentés napja: 1955. november 19. Találmányunk tárgya újfajta tue germánium­dióda. Találmányunk tárgykörébe tartozik e diódák előállítása is. Mint ismeretes, a ma használatos tűs germánium­diódák lényegében egy germániumkristályból és az azzal érintkező kontaktustűből állanak. Az áram­bevezetés céljára ezen kontaktustű, valamint a kristálytartó szolgál. Ez a rendszer általában üveg­ből, vagy műanyagból készült tokba van légmente­sen lezárva. A kristály anyaga többnyire n típusú germánium, melynek előállítása úgy történik, hogy a legtisztább elemi Ge-hoz a megfelelő mennyiség­ben a periodikus rendszer V. csoportjába tartozó elemeket, (pl. Sb, As, P) adnak. Eme adalékelemek mennyisége szabja meg az n típusú Ge fajlagos el­lenállását, melynek értéke az egyenirányítási ka­rakterisztika alakjára és az áramfeszültség értékek­re bír befolyással. A forgalomban levő tűs Ge diódáknak számos változata ismeretes. Ezek jellemzése főleg a —50 V-nál záróirányban és + 1 V-nál nyitóirányban át­haladó áram értékével történik. Az ismert tűs Ge­diódák legnagyobb részénél a záróirányú csúcsfe­szültség értéke 80—100 V és a —50 V-nál záróirány­ban mért áram 100—600 mikroamper. Ezeknél a tí­pusoknál a + 1 V-nál mért nyitóirányú áram rend­szerint nem haladja meg az 5—10 milliampert, a tí­pusok többségénél pedig jóval ezalatt, 2,5—5 mil­liamper körül van. A tűs germániumdiódák egy má­sik csoportja záróirányban —30, —50 V-nál éri el a csúcsfeszültséget, 200—300 mikroamper záróirá­nyú áram mellett, ezzel szemben a + 1 V-nál mért nyitóirányú áram a 20—25 milliampert is eléri. Eb­ből tehát az látható, hogy a nagy zárófeszültség és kis záróirányú áram, valamint a kis nyitóirányú fe­szültség és nagy nyitóirányú áram egymásnak bizo­nyos mértékben ellentmondó követelmények, mely­nek megvalósítása alapvető nehézségekbe ütközik. Ezen a nehézségen bizonyos mértékig segítenek az újabban ismeretessé vált Ge-rétegdiódák, azonban ezek nem minden esetben alkalmasak a tűs Ge-dió­dák helyettesítésére. Találmányunk egyik célja a fenti hátrányok kikü­szöbölése. Találmányunk egy másik célja olyan tűs Ge-dióda készítése, mely nagy nyitóirányú árammal rendel­kezik és ugyanakkor csak nagy zárófeszültségnél éri el a kritikus záróirányú áramot. Találmányunk egy további célja a tűs Ge-diódák alkalmazási területének kiszélesítése. Találmányunk egy ismét másik célja ezen újfajta tűs Ge-dióda előállítására vonatkozó egyszerű eljá­rás létesítése. Találmányunk egyéb céljai és előnyei az alábbi leírásból és rajzból fognak kitűnni. A találmányunk szerinti újfajta tűs Ge-dióda egy . Ge-kristályból, egy azt hordozó tartóelektródából, valamint egy, a kristályhoz nyomott fémtűből áll, mimellett a Ge-kristály a periodikus rendszer III. és V. csoportjába tartozó legalább egy-egy elem nyomait tartalmazza és azzal van jellemezve, hogy legalábbis a kristály és a tűhegy között a kristály­ban főtömegében jelenlevő III. csoportbeli elem ese­tén az V. csoportba tartozó, a kristályban főtöme­gében jelenlevő V. csoportbeli elem esetén pedig a III. csoportba tartozó, legalább egy elemből álló ré­teg foglal helyet. . A találmányt részletesebben a mellékelt ábrák kapcsán magyarázzuk. Az 1. ábra példaképpen mutatja be a találmá­nyunk szerinti Ge-diódát. Az ábrán (10) jelöli a Ge-kristályt, melyet a periodikus rendszer V. cso­port ába tartozó egyik elemmel, pl. As-sel n típusú­vá tettünk. (11) jelöli a tartóelektródát, amelyhez a kristály ismert módon oda van forrasztva. (12) jelö­li a dióda kontaktustűjét. E tű az eddig szokásos módon, pl. wolframból, molibdénből, platina, vagy arany ötvözetből stb. készülhet. (14) jelöli a tűn az előzetesen, az alábbiakban ismertetendő módon létesített fémbevonatot, amely jelen példában a pe­riodikus rendszer III. csoportjába tartozó, legalább egy elemből (pl. In) áll. (13) jelöli az n típusú Ge­ban a tűn jelenlevő III. csoportbeli elem jelenlété­ben a találmányunk szerinti eljárással kialakított

Next

/
Oldalképek
Tartalom