135790. lajstromszámú szabadalom • Csekély szekundéremisszióju elektroncső
f 1357ÖO. ties alakzat szerinti szerkezet esetében pedig csupán 8,5 o/o szökhet ki. Ebből következik az is, hogy a hatás nem mezőmentes tér jelenlétén alapul, amint ezt eddig minden-5 kor feltéterezték. A mezőintenzitás változása ugyanis a falaknak sejtes anódára való átmeneténél igen kicsiny. Az előbbiekből a találmánnyal javított hatás világosan kitűnik. Azt találtuk, hogy, 10 ha a szekundérelektronok számának azonos csökkenését az ismert szerkezetekkel kívánjuk elérni, a falak magasságának a kölcsönös távolság Karóm- és hatszorosát kellene kitennie, ami gyakorlati nehézaé-15 geket okoz. Hogy a hatást túlságosan ne csökkentsük, a falak anyagvastagságának kicsinynek kell lennie, azaz ez a vastagság a sejtes nyílások szélességének 2—3o/o-ánál' többet ne te-20 gyen ki és legfeljebb annak 5<y0 -át tegye ki. A falak felső oldalának a szenkundéremisszióhoz való hozzájárulása ennekfolytán a teljes szekundéremisszió egyharmadánál kisebb marad. 25 A találmányt részletesebben a rajz kapcsán magyarázzuk meg. Az 1. ábra a találmány szerinti anóda egyik foganatosítási példájának részleges távlati képe. A 30 2. ábra a szekundérelektronok irányeloszlását mutatja. A 3. ábrán grafikon látható, mely a találmány szerinti anódaszerkezet hatását egy fax aklkal ellátott ismert anódával összeha-35 sonlítva mutatja. A 4. ábrán látható, hogy a találmány szerinti sejtes alakzatú anódák miképpen állíthatók elő. Az 1. ábrán (1) jelöli az anód'ának a ka-4) .tó da felé fordult felü'etét, amelyen (2) falakat akként alkalmazunk, hogy sejtes alakzatot kapjunk. A faiak e foganatosítási példa esetében több, zeg-zúgos csíkból állanak, amelyeket egymáshoz hegesztettünk 15 akként, hogy sejtes alakzatot alkossanak; amelyet azután az anóda (1) felületéhez hegesztettünk. Az anóda dobozalakú vagy hengeres is lehet. A sejtes alakzatot több csíkból is elő-50 állíthatjuk, mely csíkokat a 4. ábra szerint bizonyos távolságokban közepükig bemetszettünk, mire ezeket a csíkokat egymásra merőlegesen a bemetszések helyein egymásbatoltunk, úgy hogy négyszögletes 55 nyílású sejtek keletkeznek. A sejtes alakzat 1 rajzlap nyílásainak azonban bármely más Mvánt alakot is adhatunk, pl. rombusz, hatszög, stb. alakját. A 3. ábrán függőlegesen a szekunderemisszió (k) tényezőjét, vízszintesen pedig 60 a (h) és (a) viszonyt (1. ábra) vittük fel. Az (S) görbe az ismert kivitelű, párhuzamos falakkal ellátott anódára érvényes, az (R) görbe pedig a sejtes anódából kilépő szekundéremisszió lefolyását mutatja. 65 A találmány fontos bármilyen fajtájú elektroncsövekkel kapcsolatban, amilyenek a ketsarkú és háromsarkú csövek, különösen fontos azonban négysarkú, ötsarkú, stb. csövekkél kapcsolatosan. Általában nem : sMk- 70 séges az, hogy a sejtes alakzatot kicsiny szekundéremissziójú bevonattal lássuk el, azonban a sejtes alakzatot és az anód'át is bevonhatjuk erre a célra ismeretes anya* gokkal, amilyen pl. a szén. 75 Szabadalmi igény nontok: 1. Elektroncső, mely legalább egy katódát és legalább egy anódál tartalmaz, mely utóbbinak a katóda fe?j fordult oldalán az anóda felületére merőleges elreride- 80 zésű falak vannak, azzal1 jellemezve, hogy a falak oly elrendezésűek, hogy sejtes alakzatot alkotnak. 2. Az 1. igénypont szerinti elektroncső foganatosítási alakja, azzal jellemezve, hogy 85 a falak magassága a sejtnyílások szélességének másfélszeresével vagy többszörösével egyenlő. 3. Az 1. vagy 2. igényport szerinti elektiwmcső foganatosítási alakja, azzal jellé- 90 mezve, hogy a falak anyagvastagsága ^ sejtnyilások szélességének 50/0-ánál kisebb. 4. Az 1—3. igénypontok bármelyike szerinti elektroncső foganatosítási alakja, 95 azzal jellemezve, hogy a sejtes alakzat zeg-zúgos csíkokból van felépítve. 5. Az 1—3. igénypontok bármelyike szerinti elektroncső foganatosítási alakja, azzal jellemezve, hogy a sejtes alakzat 100 egymásbaillő bemetszésekkel ellátott csíkoknak egymásra merő jeges sorozataiból van felépítve. 6. Az előző igénypontok bármelyike szerinti elektroncső foganatosítási alakja, 105 azzal jellemezve, hogy a sejtes alakzaton kicsiny szekundéremissziójú anyagból,'pl1 , szénből való bevonat van. \ kiadásért felel az Állami Lapkiadó NV. vezéri gaz gatója. Budapesti Szikra Nyomda NV, V„ Honvéd-u. 10. Felelős Hyomdavezetft-RatJnóti Káfély.