128423. lajstromszámú szabadalom • Eljárás szelénelektródával ellátott, rekesztőréteges elektródarendszer előállítására
4 128423. tott elektródarendszenek alkalmazásánál azonos kapcsolásban, hűtőlemezekbei, 30 Volt váltófeszültséget alkalmazhatunk. Ekkor szintén 0.1 A/cm2 -t vehetünk le, azon-5 ban 23 Volt egyenfeszültség leadása mellett. Az azonos számú, azonos méretű eletktródarendszer alkalmazása esetén leadott teljesítmény tehát megduplázódott. Az egyenirányítók üzemi hőmérséklete valamennyi esetben 50—55 C° között van. Szabadalmi igénypontok: 1. Eljárás szelénelektródát tartalmazó, rekesztőréteges elektródarendszer előállítására, melynél a szelént alapra visszük 15 fel, majd a .szelénfelületet ez alaptól elnéző oldalon rekesztőrétegképző kezelésnek vetjük alá, azzal jellemezve, hogy a szelénrétegen a rekesztőréteget akkor képezzük, miután a kevéssé vezető, kris-20 tályos Ses -módosulatba való átalakulás legalább a szelén felületén végbement, azonban mielőtt a szelén a jól vezető Sec -módosulatba teljesen átment. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás fogana-25 tosítási módja, azzal jellemezve, hogy a szelén rekesztőrétegképző kezelését egymásután többször alkalmazzuk, mimellett minden következő kezelés az előző kezelésnél képződött rekesztőréteget vas-30 tágítja. 3. A 2. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az első rekesztőrétegképző kezelést alacsonyabb hőmérsékleten végezzük, mint a 35 reája következő rekesztőrétegképző kezelést 4. A 2. vagy 3. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az első rekesztőrétegképző kezelés 40 a szelénnek sajtó alatti tömörítésével esik egybe. 5. A 2. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy egy következő rekesztőrétegképző kezelés az-45 zal a hőkezeléssel esik egybe, melynél a kristályos See szélént a jól vezefo Sec -módosulatba visszük át. 6. Az előző igénypontok bármelyiké, szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a szelén rekesztőrétegét 50 úgy képezzük, hogy a szelénnek azt a felületét, melyen rekesztőréteget kívánunk képezni, ezzel érintkezésbe hozott oly anyäg lemért mennyiségének teszíszük ki, mely a szelént és/vagy ennek! 55 adalékait a felületen nem-vezetővé teszi. 7. A 6. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy szelént oldó, magas forrpontú, lúgosán) reagáló anyagot, pl. chinolint, szelén- 60 felületen behatásra hozunk. 8. A 2—7. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az első rekesztőrétegképző kezelést gyakorlatilag 160 C° hőmérsék- 65 léten, a következőt pedig gyakorlatilag 200 C° hőmérsékleten végezzük. 9. Az előző igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási alakja, iázzál jellemezve, hogy a szelénfelületen rekesztő- 70 réteg képezése céljából behatásra hozott anyagot a kezelendő szelénfelületre finoman szétporlasztott folyadék alakjában visszük fel. 10. A 8. igénypont szerinti eljárás fogana- 75 tosítási módja, azzal jellemezve, hogy a hordozólemezre felvitt szelénelektródát sajtó alatt nyomásnak vetjük alá, miután a rekesztőréteggel borítandó felületre saj tolótárcsát vittünk fel ós e 80 sajtolótárcsa és a szelénfelület közé a behatásra hozandó folyadéknak lemért mennyiségét egyenletesen elosztva juttattuk, mim ellett a saj tolófolyamat gyakorlatilag 160 C° hőmérsékleten megy 85 végbe, amire a kezelendő szelénfelületet ismét a behatásra hozandó anyaggal finoman elosztott alakban látjuk tel: és gyakorlatilag 200 C° hőmérsékleten hőkezelést alkalmazunk. 90 Felelős kiadó: dr. ladoméri SZMEKTNIK ISTVÁN in. í;ir. szab. biro. ,,.) (') V ő" Nyomdaszíivetkezet. Budapest. IX.. Erkel-u. 17. Tel-: 182-278 — Fel. vez.: Bárányi József
