128423. lajstromszámú szabadalom • Eljárás szelénelektródával ellátott, rekesztőréteges elektródarendszer előállítására
Megjelent 1941. évi december hó 1-én. MAGTAB KIRÁLYI SZABADALMI BÍRÓSÁG SZABADALMI LEIRAS 128423. szám. Vll/g. (VII/j.) osztály. — P. 9818. alapszám. Eljárás szelénelektródával ellátott, rékfesztőrétéges eleMródareridszer előállítására. N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken cég, Eindhovenben (Németalföld). A bejelentés napja; 1940. évi március hó 11. — Németországi elsőbbsége: 1939. évi március hó 14. A találmány eljárás szelénelektródával ellátott, rekesztőréteges elektródarendszer előállítására. A találmány főcélja ez elektródarend-5 szer rekesztőrétegének javítása, minthogy ennek minőségié a rekeszt őré teges elektród ar end szernek jó működésére, pl. egyenirányítókban, különösen nagy jelentőségű. Fokozott rekesztőhatással tudvalevőleg el-' 10 érjük, hogy az elrekesztendő irányban átszivárgó áram gyengébb, úgyhogy a veszteségek csökkenek és a hatásfok növekedik. Ez a szivárgó áram lényegileg az egyenirányítóban adódó hőfejlődést szab-15 ja meg és az elektródarendszert többnyire éppen ez a hőfejlődés pusztítja él. A rekesztőhatás növelése tehát a hőfejlődést csökkenti és ennek következtében az élettartamot és terhelhetőséget fokozza. 20 Nem genetikus, pl. polisztirólból készült, rekesztőrétegű elektródarendszereknél javasoltuk már a szivárgóáram csökkentését nagyellenállású határrétegnek a tulajdonképeni rekesztőréteg és szelén kö-25 zötti alkalmazásával. Ennek következtében ama fázisban, melyben a szélén negatív, amelyben tehát a rekesztőhatásnak kell fellépnie, kevesebb elektront emittálunk. Ez a megoldás kiváltképen jelentős abban 30 az esetben, melyben az áteresztési irányban való ellenállásnak meglehetősen nagyértékűnek szabad lennie. A külön ellenállásréteg tudvalevőleg az áteresztési irány ellenállását is növeli. 35 A találmány azon a felismerésen alapul, hogy a jó rekesztőréteghatás elérésié szempontjából fontos szerepet játszik, hogy a szelénfelület a rekesztőréteg képződése idején milyen állapotban van. A találmányt az jellemzi, hogy a szelénrétegen rekesztő- 40 réteget akkor létesítünk, miután a kevéssé vezető, kristályos (Ses )-módosulatba való átváltozás legalább a szelén felületén bekövetkezett, azonban mielőtt a szelén a jól vezető Set -módosulatba átment- 45 Ismeretes, hogy a szelén, miután hordozólemezre felvittük és simára kikentük, általában az ú. n. amorf módosulatban van, amely nem vezet és melyet a továbbiakban Se A -val fogunk jelölni. Ha ezt a szelént, 50 esetleg sajtó alatt, pl. gyakorlatilag 160 C°-on hőkezelésnek vetjük alá, az amorf szelén a kristályos módosulatba megy át, amely azonban nem jó vezető és melyet már előbb Se B -vei jelöltünk. A véglege- 55 sen kívánt, jóvezető módosulatba való átalakulás sokkal magasabb, általában gyakorlatilag 200 C° hőmérsékleten megy végbe. Az ekkor képződő szelént a továbbiakban Se c -vei jelöljük. A találmány 60 szerint, mint megadtuk, a rekesztőréteget csak azután visszük fel, miután, legalább a felületen, már a kristályos See -iszelén képződött. Továbbá a kristályos, kevéssé vezető SeB ^szelént a jól vezető, kristá- 65 lyos Sec -szelénbe teljesen csak a rekesztőréteg felvitelét követően vezetjük át. A rekesztőréteget tehát két kezelés között visszük fel, melyek közül az első a felületen már Se képződésére vezetett, míg 70
